芯耀
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英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和臺(tái)積電近日宣布，兩家公司準(zhǔn)備將臺(tái)積電的可變電阻式記憶體制程技術(shù)引入至英飛凌的新一代MCU AURIX?微控制器中。
自首個(gè)發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)問(wèn)世以來(lái)，嵌入式閃存微控制器一直是汽車(chē)電子控制單元（ECU）的主要構(gòu)建模塊。這些微控制器是打造綠色、安全和智能汽車(chē)所不可或缺的組成部分，被應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、車(chē)輛動(dòng)態(tài)控制、駕駛輔助和車(chē)身應(yīng)用中，助力汽車(chē)領(lǐng)域在電氣化、全新電子電氣（E/E）架構(gòu)和自動(dòng)駕駛方面實(shí)現(xiàn)了重大創(chuàng)新。目前，市場(chǎng)上的大多數(shù)MCU系列均采用嵌入式閃存技術(shù)。作為下一代嵌入式存儲(chǔ)器，RRAM可以進(jìn)一步擴(kuò)展至28nm及以上。
英飛凌AURIX TC4x微控制器產(chǎn)品性能的可擴(kuò)展性與虛擬化、安全和網(wǎng)絡(luò)功能方面的最新趨勢(shì)相結(jié)合，以支持新一代軟件定義汽車(chē)和全新E/E架構(gòu)。英飛凌與臺(tái)積電成功地將RRAM引入至汽車(chē)領(lǐng)域，為AURIX微控制器建立了更加廣泛的技術(shù)與供應(yīng)基礎(chǔ)。RRAM具有很高的抗干擾性并且允許在不需要擦除的情況下進(jìn)行逐位輸入，其耐久性和數(shù)據(jù)保持性能堪比閃存技術(shù)。
臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁Kevin Zhang博士表示：“英飛凌和臺(tái)積電長(zhǎng)期以來(lái)一直保持著成功的合作關(guān)系，比如在第一代AURIX TC2x產(chǎn)品的合作。我們?cè)赗RAM NVM技術(shù)領(lǐng)域也合作了近十年，涵蓋了各種不同的應(yīng)用。此次為T(mén)C4x引入RRAM將為MCU的進(jìn)一步小型化開(kāi)辟新的可能性。我們十分高興能與英飛凌這樣領(lǐng)先的企業(yè)展開(kāi)合作?！?/p>
英飛凌科技高級(jí)副總裁兼汽車(chē)微控制器業(yè)務(wù)總經(jīng)理Thomas Boehm表示：“AURIX TC3x作為一款倍受青睞的汽車(chē)微控制器已經(jīng)在許多應(yīng)用領(lǐng)域得到了認(rèn)可。基于臺(tái)積電RRAM技術(shù)打造的AURIX TC4x將憑借更高的ASIL-D性能、更加強(qiáng)大的AI功能以及包括10Base T1S以太網(wǎng)和CAN-XL等在內(nèi)的最新的網(wǎng)絡(luò)接口，進(jìn)一步擴(kuò)大這一領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。RRAM技術(shù)為提高性能、減少功耗和節(jié)約成本創(chuàng)造了巨大的潛力?！?/p>
供貨情況
英飛凌正在向主要客戶(hù)提供基于臺(tái)積電28nm eFlash技術(shù)的AURIX TC4x系列樣品。首批基于28nm RRAM技術(shù)的樣品將在2023年底前提供給客戶(hù)。
