三星、SK海力士的艱難抉擇：留在中國？或者去美國？

以下為編譯全文：《韓國半導體制造商面臨危機：大衰退和美國對華政策雙重打擊》

韓國兩大半導體廠商三星電子和SK海力士在2022年全球半導體廠商銷售排名中分別排名第一和第三（如果臺積電不包括在排名中）（圖1）。

圖1 2022年半導體廠商銷量排名前10? ?資料來源：Gartner發(fā)布的數(shù)據(jù)（2023年1月17日）

三星和SK海力士正面臨困境，造成這種困境有兩個原因：

（1）由于新冠特殊需求的結束而導致的大衰退

（2）美國半導體政策的不利影響

目前，三星電子和SK海力士在全球排名第一和第三，但取決于如何解決上述問題，它們不僅可能在排名上滑落，還可能處于企業(yè)危亡的邊緣，情況就是這么嚴重。

尤其是SK海力士，它在2020年10月20日以90億美元收購了英特爾在美國的NAND閃存業(yè)務，未來相當暗淡。而且我有一種預感，這次收購可能是英特爾讓SK海力士抓住泡沫的一個伎倆。

在本文中，我們將討論三星電子和SK海力士面臨的兩個困境，然后討論SK海力士可能處于劣勢地位的猜測。

由于新冠特殊需求結束而導致的大衰退

2020年，蔓延到世界各地的新型冠狀病毒大流行導致了遠程工作、在線學習和在線購物的爆炸式增長。因此，2021年各種電子電氣產(chǎn)品的出貨量大幅增加（圖2）。例如，PC出貨量增長了16.5%，游戲機增長了35%，可穿戴設備增長了11.1%。

圖2：各類電子電氣產(chǎn)品出貨量同比增速，來源：Joanne Chiao（TrendForce），“晶圓短缺推動2022年晶圓代工產(chǎn)能普遍增長”，2022年內(nèi)存趨勢峰會

然而，在2022年，對新冠的特殊需求告一段落，可能是因為人們開始習慣于新冠疫情，風險也減少了。因此，與2021年相比，2022年各種電子電氣產(chǎn)品的增長率全面為負，特別是個人電腦、顯示器和智能手機急劇下降，分別為-20%、-15%和-11.3%。

因此，各種電子和電氣產(chǎn)品的出貨量出現(xiàn)負增長，自然會導致這些產(chǎn)品中使用的半導體的需求急劇下降。

事實上，各種半導體的季度出貨量顯示，內(nèi)存出貨量在2021年第三季度達到424億美元，接近內(nèi)存泡沫的峰值441億美元，然后在2022年第四季度暴跌至223億美元，減少了約200億美元（圖3）。

圖3：各種半導體的季度出貨量，來源：作者根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)創(chuàng)建

引人注目的DRAM和NAND出貨價值

以上存儲器主要是DRAM和NAND。因此，我們繪制了DRAM和NAND的季度出貨價值（圖4）。結果，DRAM和NAND的表現(xiàn)都很悲慘。

圖 4：DRAM 和 NAND 季度出貨量，來源：作者根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)創(chuàng)建

首先，由于新冠病毒的特殊需求，DRAM在2021年第三季度取得257億美元。這僅次于2018年Q3的記憶泡沫峰值282億美元。然而，此后出貨量在2022年第二季度下降到231億美元，然后在六個月后的同年第四季度下降到127億美元。這127億美元只是新冠病毒特殊需求峰值257億美元的49%。換句話說，DRAM出貨量的價值在一年多的時間里減少了一半以上。

接下來，讓我們看看NAND。由于新冠病毒的特殊需求，NAND在2021年第四季度達到了創(chuàng)紀錄的153億美元。然而，與DRAM一樣，NAND的出貨價值也下降兩次。它在2022年第二季度降至144億美元，并在同年第四季度暴跌至84億美元。這84億美元是一年前冠狀病毒需求峰值153億美元的55%。

因此，DRAM和NAND在2021年下半年都出現(xiàn)了新冠特殊需求的高峰，但隨后出貨價值急劇下降，尤其是在2022年下半年，DRAM市場萎縮至49%，NAND市場萎縮至55%。當DRAM和NAND市場嚴重放緩時，內(nèi)存制造商無法毫發(fā)無損。

那么，讓我們看看三星電子和SK海力士各自在內(nèi)存的全球市場份額。

按公司劃分的DRAM和NAND份額

圖5顯示了按公司劃分的DRAM份額。在美光于2013年收購破產(chǎn)的爾必達存儲器后，三星電子、SK海力士和美光有效地壟斷了DRAM市場。2022年第三季度，三星電子的市場份額為40.7%，SK海力士為28.8%，美光為26.4%。

圖 5：按公司劃分的 DRAM 銷售份額（至2022年第3季度）

來源：作者根據(jù)DRAMeXchange、IHS和TrendForce的數(shù)據(jù)創(chuàng)建

圖6顯示了NAND按公司劃分的份額。與DRAM不同，NAND市場擁有大量的參與者。然而，鎧俠和西部數(shù)據(jù)（WD）在四日市工廠和北上工廠共同生產(chǎn)，最近有報道稱西數(shù)將收購鎧俠。也許是因為“存儲器大衰退”，沒有一家公司可能獨善其身。

圖 6：按公司劃分的NAND銷售份額（至2022年第3季度）來源：作者根據(jù)DRAMeXchange、IHS和TrendForce的數(shù)據(jù)創(chuàng)建

另一個重大事件：2020年10月20日，SK海力士宣布將以90億美元收購英特爾的NAND業(yè)務。英特爾的NAND是在其中國的大連工廠生產(chǎn)的。收購的第一階段，即轉(zhuǎn)讓英特爾的SSD業(yè)務和大連工廠，已于2021年12月22日完成。收購的第二階段是在2025年3月前獲得設計、研發(fā)和知識產(chǎn)權。

在這個日益整合的NAND市場中，按規(guī)模排序，2022年Q3三星電子的份額為31.4%，鎧俠為20.6%，收購英特爾業(yè)務的SK海力士為18.5%，西部數(shù)據(jù)為12.6%，美光為12.3%，中國的長江存儲約為4%。

從上述情況可以看出，三星電子在DRAM和NAND領域的市占率都位居第一，而SK海力士在DRAM領域排名第二，在NAND領域排名第三。他們各自的高市場份額也意味著各自市場受到急劇下降的影響很大。

三星和SK海力士的業(yè)績

圖7顯示了三星電子半導體業(yè)務的銷售額和營業(yè)利潤：在2022年第二季度銷售額取得28.4萬億韓元后，同年第四季度的銷售額下降到20.1萬億韓元，而營業(yè)利潤驟降至2700億韓元。三星電子除了DRAM和NAND之外，還有代工業(yè)務。據(jù)推測，其內(nèi)存業(yè)務處于虧損狀態(tài)，但代工業(yè)務有盈利，所以整體業(yè)務勉強實現(xiàn)了順差。

圖7：三星電子半導體業(yè)務的季度銷售額和營業(yè)利潤 來源：作者根據(jù)三星電子的財務報告編制

SK海力士在2022年第二季度取得了13.8萬億韓元的銷售額，但在同年第四季度下降到7.7萬億韓元。而且它陷入了虧損，營業(yè)利潤為負1.7萬億韓元（圖8）。

圖8：SK海力士的季度銷售額和營業(yè)利潤 來源：作者根據(jù)SK Hynix的財務報告編制

可以看出，三星電子和SK海力士在2022年下半年都出現(xiàn)了業(yè)績下滑。這并不奇怪，因為全球內(nèi)存市場正處于急劇下滑之中。預計2023年上半年，由新冠特殊需求結束引起的大衰退將變得更加嚴重。即使有復蘇，也將是在2023年下半年或2024年之后。

除了這次半導體衰退外，美國的半導體政策將使韓國制造商處于更加困難的境地。

芯片法案中包含的對半導體制造商的補貼

2022年8月9日，美國總統(tǒng)拜登簽署了《芯片和科學法案》，這是一部促進美國半導體制造的法律。芯片法案中包括對美國半導體制造和研發(fā)的527億美元的補貼。成為補貼對象的主要半導體制造商如圖9所示。

圖9：根據(jù)美國CHIPS法案獲得補貼的主要候選制造商 資料來源：SIA；《CHIPS法案已經(jīng)為美國半導體生產(chǎn)激發(fā)了200億美元的私人投資》（2022年12月14日）等，由作者編寫。

美國英特爾公司將分別在亞利桑那州和俄亥俄州投資200-300億美元，建設處理器工廠和代工廠。受美國政府邀請的臺積電最初計劃在亞利桑那州投資120億美元建設月產(chǎn)2萬片的5納米代工廠，但后來改變了決定，改為批量生產(chǎn)N4制程工藝，而不是5納米，同時還將建設3納米二期工程。月產(chǎn)能將提高到5.5萬片，投資金額將增加3.3倍，達到400億美元。

同時，希望在代工領域追趕臺積電的三星電子，將投資170億美元在德克薩斯州建設3納米代工廠。此外，包括SK海力士在內(nèi)的SK集團，計劃在半導體研發(fā)中心和先進封裝方面總共投資220億美元。

根據(jù)英特爾和其他公司的說法，每100億美元可以獲得30億美元的補貼。因此，這些半導體制造商希望不惜一切代價獲得芯片法案的補貼。

出其不意的“護欄條款”

然而，出現(xiàn)了一個重大問題。那就是在芯片法案出臺的同時，一份題為“芯片法案將削減成本、創(chuàng)造就業(yè)、加強供應鏈等”概況介紹被公布，并明確了其附帶強有力的“護欄條款”。

這些“護欄”為了確保美國半導體行業(yè)的競爭力得到保護，“禁止獲得聯(lián)邦資金的公司在中國大幅增產(chǎn)先進制程芯片（28納米及以上），期限為10年”。

根據(jù)該“護欄條款”，在南京工廠生產(chǎn)40-16納米的邏輯半導體的臺積電，在西安工廠生產(chǎn)3D NAND的三星，在無錫工廠生產(chǎn)DRAM、在大連工廠生產(chǎn)3D NAND的SK 海力士，如果要獲取芯片法案的補貼，在今后十年內(nèi)將無法投資上述任何一家中國工廠（雖然現(xiàn)在獲得了一年緩刑，但這并不是一個根本的解決方案）。

其中，臺積電在中國的南京工廠占公司產(chǎn)量不到10%，但三星電子西安工廠生產(chǎn)的3D NAND占公司產(chǎn)量的40%左右。SK海力士的大連工廠約占公司3D NAND產(chǎn)能的30%，無錫工廠約占公司DRAM產(chǎn)能的50%。

如果三星電子和SK海力士根據(jù)芯片法案獲得補貼，將無法在中國存儲工廠進行尖端工藝投資或增產(chǎn)。半導體存儲器每隔兩年就會進入新一代工藝，保持競爭力。因此，對存儲器制造商說“不要投資”等同于被告知“去死”。因此，這些韓國廠商陷入了不得不考慮退出中國的境地。

2022年美國對華的技術出口限制

當我開始覺得應該放棄美國市場時，去年，美國就頒布了對中國更為嚴格的出口管制。

該法規(guī)將阻止任何美國制造設備出口到中國的先進半導體工廠。此外，用于設備維護的零件也不能出口。此外，由于法規(guī)中提到“未獲許可的美國公民禁止在中國從事芯片開發(fā)或制造工作，包括美國設備的售后技術服務人員”，美國人被禁止涉足中國的先進半導體工廠，不僅高管和研究人員，而且維護設備的現(xiàn)場工程師也被迫退出。

在這里，先進半導體被定義為16/14nm之后的邏輯半導體、18nm之后的DRAM、128層以上的3D NAND。屬于這一類的中國半導體制造商有3家：晶圓代工廠中芯國際、DRAM長鑫存儲和3D NAND制造商長江存儲。此外，臺積電的南京工廠、三星電子的西安工廠、SK海力士的大連和無錫工廠等海外企業(yè)也都在涵蓋范圍內(nèi)。

美國設備制造商Applied Materials (AMAT)、Lam Research (Lam) 和KLA 向這些先進半導體企業(yè)出口設備將被禁止。此外，荷蘭和日本也將效仿，ASML的曝光設備（不僅是EUV，還有ArF浸沒）和東京電子的 Coater/Developer預計將受到出口禁令（圖10）。

圖10：各公司各種前期工程設備市場占有率（2021年）資料來源：作者根據(jù)野村證券數(shù)據(jù)制作

也就是說，受美國新規(guī)的影響，三星電子和SK海力士無論是否根據(jù)芯片法案獲得補貼，都將無法在中國工廠生產(chǎn)先進存儲。

英特爾出售大連工廠是計劃？

或許SK海力士后悔收購了英特爾的大連工廠。從更深層的角度來看，英特爾或許是因為了解了美國半導體政策的內(nèi)容，才決定出售中國大連工廠的。

英特爾于2010年在大連設立工廠。最初，它用于生產(chǎn)處理器，但后來轉(zhuǎn)向尖端的3D NAND。英特爾試圖通過在大學開設捐贈課程來培養(yǎng)中國優(yōu)秀的工程師。英特爾為此付出了超過10年的努力，但卻輕易地將大連工廠賣給了SK海力士。這其中還是有原因的。

結果，SK海力士被大連工廠牢牢抓住。而且，占據(jù)DRAM產(chǎn)能一半的無錫工廠也可能不得不撤出。

SK海力士即使在全球半導體銷售排名中位列第三，也會因為經(jīng)濟大蕭條而陷入虧損。明天SK海力士會怎樣？