恩智浦推出全新的射頻功率器件頂部冷卻封裝技術，進一步縮小5G無線產(chǎn)品尺寸

恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達克股票代碼：NXPI）宣布推出頂部冷卻式射頻放大器模塊系列，其中采用的創(chuàng)新封裝技術有助于為5G基礎設施打造更輕薄的無線產(chǎn)品。尺寸更小的基站可以提高安裝的便利性和經(jīng)濟性，同時能夠更分散地融入環(huán)境。恩智浦的GaN多芯片模塊系列與全新的射頻功率器件頂部冷卻解決方案相結合，不僅有助于將無線電產(chǎn)品的厚度和重量減少20%以上，而且還可以減少5G基站制造和部署的碳足跡。

恩智浦副總裁兼射頻功率業(yè)務部總經(jīng)理Pierre Piel表示：“頂部冷卻技術為無線基礎設施行業(yè)帶來了重大機遇，借助該技術，我們可以將高功率功能與出色的熱性能相結合，打造出尺寸更小的射頻子系統(tǒng)?；谶@一創(chuàng)新技術的解決方案，讓我們既可以部署更環(huán)保的基站，同時又能保證實現(xiàn)5G全部性能優(yōu)勢所需的網(wǎng)絡密度?！?/p>

恩智浦新推出的頂部冷卻式器件具有顯著的設計和制造優(yōu)勢，如無需專用射頻屏蔽、可以使用高性價比的精簡印刷電路板，以及分離熱管理與射頻設計。這些特性有助于網(wǎng)絡解決方案提供商為移動網(wǎng)絡運營商打造更輕薄的5G無線產(chǎn)品，同時縮短產(chǎn)品的整體設計周期。

恩智浦首個頂部冷卻式射頻功率模塊系列專為32T32R、200W射頻而設計，覆蓋3.3GHz至3.8GHz的頻率范圍。這款器件結合使用了恩智浦專有的LDMOS和GaN半導體技術，兼具高增益、高效率和寬帶性能，能夠在400MHz瞬時帶寬下提供31 dB的增益和46%的效率。

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