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英特爾內(nèi)部代工模式的最新進(jìn)展

2023/06/25
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近日,英特爾執(zhí)行副總裁兼首席財(cái)務(wù)官 David Zinsner和英特爾公司副總裁兼企業(yè)規(guī)劃事業(yè)部總經(jīng)理 Jason Grebe介紹了英特爾的內(nèi)部代工模式及其諸多優(yōu)勢(shì)。

英特爾正在擁抱其成立55年以來的重大業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型。伴隨著IDM 2.0轉(zhuǎn)型的順利進(jìn)行,英特爾調(diào)整了其產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門與制造部門間的合作方式。在全新的“內(nèi)部代工模式”(internal foundry model)中,英特爾制造部門的損益(P&L)將單獨(dú)核算,需要在性能和價(jià)格上參

與競(jìng)爭(zhēng),英特爾的各產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門則將能夠自主選擇是否與第三方代工廠進(jìn)行合作。簡(jiǎn)而言之,英特爾的產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門與制造部門的關(guān)系現(xiàn)在類似于客戶和代工廠。

內(nèi)部代工模式將確保英特爾在實(shí)現(xiàn)長期增長的同時(shí)提高效率、節(jié)約成本。一方面,內(nèi)部代工模式能夠推動(dòng)英特爾實(shí)現(xiàn)在2023年節(jié)約30億美元成本,在2025 年前節(jié)約80到100 億美元成本的目標(biāo),另一方面,它也將助力英特爾達(dá)成非GAAP毛利率60%和營業(yè)利潤率40%的長期增長目標(biāo)。

此外,內(nèi)部代工模式也會(huì)為英特爾代工服務(wù)的增長提供強(qiáng)大的助力。英特爾能夠?yàn)榭蛻舴峙鋵iT的產(chǎn)能和有保障的供應(yīng)渠道,并確保英特爾代工服務(wù)的公平性,保護(hù)客戶的數(shù)據(jù)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。英特爾的先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)最初將通過英特爾內(nèi)部產(chǎn)品提升產(chǎn)量,將在很大程度上為英特爾代工服務(wù)的外部客戶降低新制程的風(fēng)險(xiǎn)。

英特爾仍然將在2030年成為第二大外部代工廠作為自己的目標(biāo),也將始終保持產(chǎn)品部門和技術(shù)開發(fā)團(tuán)隊(duì)之間緊密而深入的聯(lián)系,延續(xù)英特爾作為IDM公司的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。通過內(nèi)部代工模式,英特爾能夠?yàn)橥瑫r(shí)成為世界級(jí)的IDM公司和代工廠打下基礎(chǔ)。

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1N4007E-E3/54 1 Vishay Intertechnologies Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL, DO-41, 2 PIN

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RMCF0603FT1K00 1 SEI Stackpole Electronics Inc Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 1000ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP

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BSS84 1 Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
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英特爾在云計(jì)算、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)和電腦解決方案方面的創(chuàng)新,為我們所生活的智能互連的數(shù)字世界提供支持。

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