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金泰克超頻DDR5 SODIMM 內(nèi)存強(qiáng)勢登場,可穩(wěn)定超頻至6400MT/s

2023/09/06
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泰克在存儲領(lǐng)域不斷追求創(chuàng)新和突破,致力于提高產(chǎn)品性能、效能和用戶體驗(yàn)。9月6日,金泰克新品超頻DDR5 SODIMM內(nèi)存正式發(fā)布上市,該內(nèi)存基頻為5600MT/s,容量為16GB,并支持Intel XMP3.0,可一鍵超頻至6400MT/s,充分釋放內(nèi)存出色性能。

該款內(nèi)存采用小巧的SODIMM規(guī)格,尺寸僅為69.6x30x1.2mm,主要應(yīng)用于高端游戲本,同時(shí)也適用普通筆記本、一體機(jī)、迷你主機(jī)等,可廣泛應(yīng)用于5G、大數(shù)據(jù)等對性能極為重視的行業(yè)領(lǐng)域。

據(jù)了解,日前聯(lián)想“拯救者Y9000K 2023”旗艦游戲本在海外市場重磅發(fā)布,專為圖形工作需求繁重的游戲玩家和創(chuàng)作者設(shè)計(jì),重新定義了游戲筆記本電腦的奢華標(biāo)準(zhǔn),金泰克該款新品內(nèi)存條正是其核心配置之一。
該款內(nèi)存是業(yè)內(nèi)第一個(gè)通過聯(lián)想認(rèn)證的DDR5 OC(超頻)產(chǎn)品,并通過Memtest、3DMark、Burnin等聯(lián)想嚴(yán)格的性能測試和可靠性測試、環(huán)保(RoHS、REACH和EMC等)相關(guān)認(rèn)證測試。

全新架構(gòu) 高能體驗(yàn)

新一代DDR5內(nèi)存,全新內(nèi)置雙通道架構(gòu)設(shè)計(jì),精選高品質(zhì)超頻顆粒,低延遲、高速度,顯著提升電腦整體性能,可支持多任務(wù)同時(shí)運(yùn)行。其快速的加載、傳輸、下載能力,能輕松應(yīng)對各種游戲、辦公、視頻剪輯、設(shè)計(jì)渲染等需求。支持Intel XMP3.0一鍵超頻技術(shù),超頻至6400MT/s時(shí),內(nèi)存讀取速度為98955 MB/s,寫入速度為82176MB/s,復(fù)制速度為87005 MB/s,釋放新一代DDR5強(qiáng)大性能,盡享高能疾速體驗(yàn)。

性能測試數(shù)據(jù)圖

高頻低耗 續(xù)航強(qiáng)勁

全新PMIC電源架構(gòu),將電源集成于內(nèi)存模組,通過協(xié)議配置,調(diào)節(jié)電壓、電源紋波、上下電時(shí)序,降低功耗增強(qiáng)設(shè)備續(xù)航力,有助于保持信號完整性和兼容性,提升持續(xù)高強(qiáng)度工作的穩(wěn)定性與流暢性。

自帶ECC糾錯 運(yùn)行更穩(wěn)定

金泰克DDR5 SODIMM在On-Die ECC片內(nèi)糾錯功能的加持下,能有效檢查和糾正內(nèi)存單元中的數(shù)據(jù)錯誤,確保內(nèi)存運(yùn)行的穩(wěn)定性和可靠性,為用戶提供卓越性能表現(xiàn)和良好使用體驗(yàn)。

自研高速PCB板 海量數(shù)據(jù)秒傳輸

為充分發(fā)揮產(chǎn)品性能,金泰克采用自主研發(fā)的高速PCB板來適配DDR5高頻顆粒,以提升電氣性能及信號完整性。通過表面化金工藝,確保產(chǎn)品具備優(yōu)良的抗氧化性和抗干擾性,為內(nèi)存提供更高速且穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸處理能力。

金泰克憑借強(qiáng)大的創(chuàng)新能力和技術(shù)實(shí)力,相繼推出多款DDR5先鋒產(chǎn)品,金泰克超頻DDR5 SODIMM的成功發(fā)布進(jìn)一步完備了其DDR5產(chǎn)品矩陣,全力推動高端化存儲發(fā)展。
面對日新月異的數(shù)字化時(shí)代,唯有主動擁抱變革和挑戰(zhàn),深耕專業(yè)領(lǐng)域,堅(jiān)持技術(shù)創(chuàng)新,方能行穩(wěn)致遠(yuǎn)。這也是金泰克所孜孜追尋的。

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器件型號 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊 ECAD模型 風(fēng)險(xiǎn)等級 參考價(jià)格 更多信息
1N4007E-E3/54 1 Vishay Intertechnologies Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL, DO-41, 2 PIN

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RMCF0603FT1K00 1 SEI Stackpole Electronics Inc Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 1000ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP

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BSS84 1 Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
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