RS485總線浪涌解決方案！| 深圳比創(chuàng)達(dá)EMC

在各種通訊方式當(dāng)中，RS485總線是較為常見的一種，因其接口簡(jiǎn)單、系統(tǒng)運(yùn)行穩(wěn)定和通訊速率高等特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用。但由于RS485總線一般傳輸距離較長(zhǎng)，且經(jīng)常暴露在外，所以非常容易受到電磁干擾，而浪涌干擾已經(jīng)成為485通信使用中最常遇到的問(wèn)題。

下面通過(guò)一個(gè)實(shí)際案例，來(lái)說(shuō)明RS485總線在防浪涌實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，常遇到的問(wèn)題以及需要注意的一些細(xì)節(jié)！

一、問(wèn)題描述

被測(cè)產(chǎn)品為一個(gè)RS485控制終端，要求按照GB/T 17626.5標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行差?！?KV和共?！?KV浪涌抗擾度測(cè)試，共?！?KV時(shí)測(cè)試通過(guò)，但在差模±0.5KV測(cè)試過(guò)程中發(fā)現(xiàn)485芯片被打壞，端口實(shí)物圖如下：

二、整改過(guò)程

1、通過(guò)端口圖發(fā)現(xiàn)，485端口的A/B兩根線各有一個(gè)陶瓷氣體放電管對(duì)地，但是兩線之間的防浪涌器件沒(méi)有貼，基于先加后減整改驗(yàn)證原則，所以優(yōu)先補(bǔ)貼一個(gè)SMB封裝的TSS器件BTRTP0300SB進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證，如下圖：

驗(yàn)證結(jié)果：差?！?.5KV通過(guò)，但測(cè)試±1KV時(shí)，485芯片打壞。

2、通過(guò)補(bǔ)貼TSS器件，雖然仍不滿足要求，但是發(fā)現(xiàn)樣機(jī)抗浪涌能力有改善，所以改用更大通流的TSS器件BTRTP0300SC再進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證，如下圖：

驗(yàn)證結(jié)果：差?！?KV時(shí)，485芯片打壞。

3、總結(jié)第1和第2步的測(cè)試結(jié)果發(fā)現(xiàn)，A/B線之間所并的TSS器件有工作，但是用通流更大的TSS器件確對(duì)結(jié)果沒(méi)有較大改善。由此得出，TSS器件的性能發(fā)揮沒(méi)有達(dá)到理想效果，所以把TSS器件改為并在保險(xiǎn)絲前級(jí)再進(jìn)行驗(yàn)證,如下圖：

結(jié)果：差模±2KV測(cè)試OK。

三、分析和總結(jié)

1、布板設(shè)計(jì)時(shí)，在考慮成本和空間要求的同時(shí)，還需要考慮預(yù)留相對(duì)較足的防護(hù)方案（包括但不限于浪涌）。

2、在整改浪涌時(shí)，僅僅選擇合適的防護(hù)器件遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，還需要同時(shí)考慮電流回路的走線線徑、長(zhǎng)短、周邊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等等，在出現(xiàn)問(wèn)題時(shí)，需多方面通盤去考慮，才能更好的找到問(wèn)題點(diǎn)所在。

綜上所述，相信通過(guò)本文的描述，各位RS485總線浪涌解決方案都有一定了解了吧，有疑問(wèn)和有不懂的想了解可以隨時(shí)咨詢深圳比創(chuàng)達(dá)這邊。今天就先說(shuō)到這，下次給各位講解些別的內(nèi)容，咱們下回見啦！也可以關(guān)注我司wx公眾平臺(tái)：深圳比創(chuàng)達(dá)EMC！

以上就是深圳市比創(chuàng)達(dá)電子科技有限公司小編給您們介紹的RS485總線浪涌解決方案的內(nèi)容，希望大家看后有所幫助！

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