2項SiC新技術(shù)：8吋襯底、CMP效率提升500%

近日，國內(nèi)2家企業(yè)/團隊宣布取得SiC新突破，涉及8吋復合襯底、無損拋光裝備等。

青禾晶圓：突破8吋SiC襯底制備

前天，世紀金芯宣布成功制備了8吋SiC單晶（.點這里.）；4月11日，青禾晶圓也在官微宣布，他們突破了8英寸SiC鍵合襯底制備。

據(jù)介紹，青禾晶圓通過技術(shù)創(chuàng)新，在SiC鍵合襯底的研發(fā)上取得了重要進展，在國內(nèi)率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底，有望加速8英寸SiC襯底量產(chǎn)進程，為產(chǎn)業(yè)界客戶提供更具競爭力的價格。

公開資料顯示，青禾晶元成立于2020年7月，致力于使用先進異質(zhì)集成技術(shù)來提高碳化硅良率、降低成本。

據(jù)“行家說三代半”此前報道，2022年6月，青禾晶元擬投資9.9億元在天津高新區(qū)建設國內(nèi)首條復合SiC襯底生產(chǎn)線；同年12月，青禾晶元的復合SiC襯底產(chǎn)線首臺設備搬入啟動儀式在渤龍湖科技園舉行。據(jù)36氪稱，該公司新型鍵合集成襯底量產(chǎn)示范線于2023年5月19日正式通線，規(guī)劃產(chǎn)能3萬片/年，滿產(chǎn)后預計單條產(chǎn)線營收過億元。

截至目前，青禾晶元已經(jīng)完成晶圓鍵合設備、Chiplet設備及功率模塊鍵合設備等多款設備的開發(fā)及量產(chǎn)；SiC、POI等鍵合集成襯底材料規(guī)?；慨a(chǎn)。

蘇州大學：推出電場+化學機械拋光裝備

4月10日，據(jù)騰訊網(wǎng)消息，近期，蘇州大學一支超精密拋光團隊將電場引入傳統(tǒng)的化學機械拋光（CMP）工藝中，研發(fā)出國內(nèi)外首臺電化學機械拋光（ECMP）裝備，并已于2023年完成了第三代產(chǎn)品。

松山湖材料實驗室檢測報告顯示，該設備可幫助SiC、GaN實現(xiàn)高效、無損拋光，具有很高的應用價值。

據(jù)介紹，通過對第三代半導體材料進行加工實驗，半導體材料的表面粗糙度可降至0.22nm以下，達到納米級加工的標準，拋光加工的效率可以提升到現(xiàn)有CMP技術(shù)的5倍，提升芯片企業(yè)的生產(chǎn)效益130%—160%。同時，該工藝可有效提升32%的磨料利用率，顯著降低拋光液成本70%以上（約4.6萬/噸）。

研發(fā)團隊負責人彭洋表示，“超精密拋光是半導體芯片制造中最為關鍵的制程之一，直接決定了芯片表面質(zhì)量。在研究初期，我們實地走訪了國內(nèi)眾多的芯片制造廠商，了解到傳統(tǒng)的化學機械拋光技術(shù)存在拋光效率低、拋光液消耗成本高昂的問題。我們團隊將現(xiàn)有的化學機械拋光技術(shù)和電場進行良好復合，成功實現(xiàn)了第三代難加工半導體的無損超精密拋光。”

注：本文來源地方政府及企業(yè)官網(wǎng)，僅供信息參考，不代表“行家說三代半”觀點。