• 正文
  • 推薦器件
  • 相關(guān)推薦
申請(qǐng)入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

Vishay推出固體模壓型片式鉭電容器增強(qiáng)電子引爆系統(tǒng)性能

2024/07/03
1052
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

Tantamount?器件設(shè)計(jì)牢固,漏電流(DCL)低至0.005CV,具有嚴(yán)格的測(cè)試規(guī)范,確保嚴(yán)苛環(huán)境下可靠起爆

日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出專為電子引爆系統(tǒng)設(shè)計(jì)的新型系列TANTAMOUNT?表面貼裝固體模壓型片式鉭電容器---TX3。Vishay Sprague TX3系列器件機(jī)械結(jié)構(gòu)牢固,漏電流(DCL)低,具有嚴(yán)格的測(cè)試規(guī)范,性能和可靠性優(yōu)于商用鉭電容器和MLCC。

日前發(fā)布的電容器DCL僅為0.005CV,與其他電容技術(shù)相比,鉭電容器能量密度高,可提供更高能量確保正確起爆,是采礦和拆除應(yīng)用遠(yuǎn)程引爆系統(tǒng)的理想選擇,滿足可靠放電的要求。該器件的鉭陽(yáng)極技術(shù)與Vishay業(yè)界出色的介質(zhì)成型技術(shù)相結(jié)合,確保嚴(yán)苛環(huán)境下穩(wěn)定的電氣性能。

為保證可靠性,TX3系列電容器的測(cè)試規(guī)范比標(biāo)準(zhǔn)商用器件更加嚴(yán)格。每個(gè)產(chǎn)品均采用標(biāo)準(zhǔn)篩選法進(jìn)行100%浪涌電流測(cè)試,并對(duì)關(guān)鍵電氣特性進(jìn)行二次額外篩查,以消除批次間誤差。為提供可靠解決方案,器件容芯和引線框采用硬塑料樹(shù)脂封裝。與MLCC相比,電容器符合MIL-STD-202測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),具有更高的抗沖擊(100 g)和抗震動(dòng)(20 g)能力。

TX3系列器件采用B(EIA 3528-21)和C(EIA 6032-28)封裝,容值范圍10 μF至100 μF,額定電壓16 V至25 V,容差低至± 10 %。器件+25 °C下ESR為0.700 W至2.3 W,紋波電流為0.438 A,工作溫度高達(dá)+125 °C。TX3系列器件采用無(wú)鉛(Pb)端子,符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵素。

新型固鉭電容器現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為10至12周。

推薦器件

更多器件
器件型號(hào) 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊(cè) ECAD模型 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 參考價(jià)格 更多信息
MBR0520L 1 Sensitron Semiconductors Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 20V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SOD-123, 2 PIN
$0.4 查看
BSS84 1 Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
$0.17 查看
BSN18-3K 1 Panduit Corp Wire Terminal, 1.5mm2,
暫無(wú)數(shù)據(jù) 查看

相關(guān)推薦