貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術(shù)，開啟了電力系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量儲(chǔ)存系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

貿(mào)澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2 MOSFET可在所有常見電源方案組合（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中樹立高質(zhì)量標(biāo)桿，并進(jìn)一步利用英飛凌獨(dú)特的XT互聯(lián)技術(shù)來提高半導(dǎo)體芯片的性能和散熱能力（例如采用TO-263-7、TO-247-4分立封裝的型號(hào)）。CoolSiC? G2 MOSFET 650V和1200V在不影響質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的關(guān)鍵性能（例如存儲(chǔ)能量和電荷）提高了20%，不僅提升了整體能效，還進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化進(jìn)程。G2的散熱能力提高了12%，并將CoolSiC?的SiC性能提升到了一個(gè)新的水平。其快速開關(guān)能力可在所有工作模式下將功率損耗降低5%到30%（取決于負(fù)載條件），具有出色的節(jié)能效果。

CoolSiC? G2的新一代SiC技術(shù)能夠加速設(shè)計(jì)成本更加優(yōu)化，且更加緊湊、可靠、高效的系統(tǒng)，從而節(jié)省能源并減少現(xiàn)場(chǎng)每瓦功率的二氧化碳排放量。