HDPCVD的原理

知識(shí)星球里的學(xué)員問(wèn)：麻煩介紹下HDPCVD的具體用途，原理。

什么是HDPCVD?

HDPCVD，全名High Density Plasma Chemical Vapor Deposition，即高密度等離子體化學(xué)氣相沉積。它產(chǎn)生的等離子體密度非常高，通常在1011至1012 ions/cm3的量級(jí)。相比之下，PECVD的等離子體密度就很低了，在間隔寬度小于0.5μm的情況下，用PECVD填充高的深寬比間隙會(huì)產(chǎn)生空洞，如下圖。

因此，線寬在90nm時(shí)，需要用HDPCVD來(lái)代替。詳見(jiàn)文章：不同芯片節(jié)點(diǎn)下的CMOS填充技術(shù)

HDPCVD的原理？

如上圖，HDPCVD產(chǎn)生高密度等離子體的方式類似于ICP。Inductor是感應(yīng)線圈，射頻電流通過(guò)線圈時(shí)，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)交變的磁場(chǎng)。這個(gè)交變磁場(chǎng)在等離子體反應(yīng)腔內(nèi)通過(guò)感應(yīng)耦合，產(chǎn)生變化的電場(chǎng)，從而加速電子，并將其激發(fā)為高能電子。高能電子會(huì)與氣體分子發(fā)生碰撞，導(dǎo)致氣體分解，形成等離子體。另一方面，在晶圓上施加RF偏壓，吸引高能粒子轟擊，增加了粒子的方向性。因此HDPCVD可填充深寬比在6：1的結(jié)構(gòu)。