射頻電源的頻率對刻蝕有什么影響？

知識星球（星球名：芯片制造與封測技術社區(qū)，星球號：63559049）里的學員問：干法刻蝕中，射頻電源的功率與頻率對刻蝕結果都有哪些影響？

什么是RF的功率與頻率？

RF功率（RF Power）,是指射頻電源提供給等離子體系統(tǒng)的能量大小，用于等離子體的產生和穩(wěn)定,通常以瓦特（W）為單位。RF頻率（RF Frequency）,是指射頻電場的振蕩頻率，通常以赫茲（Hz）為單位。常用的頻率有13.56MHz，2.45GHz，27MHz，60MHz，2MHz等。功率一定時，頻率越高，等離子體密度越高，離子的能量越低。

頻率對刻蝕的影響？

1，等離子體空間分布的均勻性

高頻電場振蕩更快，電子在一個周期內被電場加速的時間更短，因此電子能量集中在較窄的范圍內，分布更均勻。

2，離子能量的分布

低頻RF，如2 MHz，離子能量分布較寬，不集中。高頻RF，離子能量更集中。

3，等離子體的密度：高頻RF生成更高密度的等離子體

4，等離子體中化學反應的主導性

高頻RF，更多的自由基生成，促進化學刻蝕。低頻RF，可增強物理刻蝕。

5，刻蝕的選擇性

高頻RF，可提高刻蝕的化學選擇性。低頻RF，由于離子轟擊較強，會導致選擇性下降。

也可以加入Tom的半導體制造與先進封裝技術社區(qū)，在這里會針對學員問題答疑解惑，上千個半導體行業(yè)資料共享，內容比文章豐富很多很多，適合快速提升半導體制造能力，介紹如下：? ? ?《歡迎加入作者的芯片知識社區(qū)！》