惠科公布SiMiP技術

?近日，HKC惠科表示，已成功完成全球首款硅基GaN單芯集成全彩Micro-LED芯片 （SiMiP）在微間距LED大屏直顯領域的應用的研發(fā)。該技術基于立琻半導體SiMiP芯片基礎上的共同研發(fā)，提升了生產效率與顯示效果。

此次研發(fā)的SiMiP技術通過單芯集成紅綠藍三基色像元，簡化生產與修復工藝，該技術可大幅提高微間距LED顯示模組生產的直通良率，顯著降低生產成本，兼具高性能和成本的優(yōu)勢，或將進一步推動微間距LED大屏直顯技術的革新與普及。

SiMiP是一種高階MiP技術，通過單芯集成紅綠藍三基色像元，無需復雜的巨量轉移和修復工藝，只需一次固晶即可將芯片轉移到驅動背板上。該技術可大幅提高微間距LED顯示模組生產的直通良率，顯著降低生產成本，兼具高性能與低成本的優(yōu)勢，為微間距LED大屏直顯應用提供了更具競爭力的解決方案。

該技術有以下4點優(yōu)勢：

1.晶圓級封裝：SiMiP晶圓切割出的晶粒即為MiP封裝結構，可直接用于轉移固晶，簡化工藝流程，降低成本。

2.無需巨量轉移：?SiMiP單芯集成了紅、綠、藍三個子像元芯片，可采用成熟的高良率、低成本Pick&Place固晶工藝將芯片轉移到驅動背板，無需復雜的巨量轉移技術，大幅提高直通良率。

3.紅綠藍三合一：SiMiP芯片通過色轉換材料實現(xiàn)紅綠像元發(fā)光，無需傳統(tǒng)的紅、綠發(fā)光芯片，不僅降低了成本，還避免了傳統(tǒng)四元紅光芯片生產中用到的有毒材料，更加環(huán)保。

4. 一致性好：SiMiP芯片通過硅基藍光Micro-LED與自研色轉換技術集成實現(xiàn)單芯全彩化，紅、綠發(fā)光像元在工作電壓、出光分布及發(fā)光波長上具有高度一致性和穩(wěn)定性。紅綠像元發(fā)光波長不隨工作電流和溫度的變化而變化，且出光分布不易受固晶偏差干擾，從根源上解決了傳統(tǒng)方案的色偏問題。

2024年至今，惠科持續(xù)并加大在MLED領域發(fā)力，項目投資方面超過百億，且在今年提速推進Mini LED產能建設，且在去年12月，相繼獲得綿投集團24億元增資；與長虹控股集團簽署2025年戰(zhàn)略合作備忘錄；與長沙市政府團隊洽談內容包括惠科Mini LED背光/直顯模組及整機項目的建設；并成功點亮行業(yè)首款玻璃基HMO背板的6.67英寸 Micro LED直顯屏體。

可見，惠科逐步將Mini LED技術納入其戰(zhàn)略規(guī)劃，隨著惠科在Mini LED領域的持續(xù)投入和產能擴張，Mini LED技術或有望成為其核心業(yè)務的重要組成部分，不僅將為公司業(yè)績增長提供強勁動力；與此同時，這一戰(zhàn)略布局或將為惠科的IPO進程注入新的動能，助力其在資本市場實現(xiàn)更大突破。

立琻半導體則是國內半導體領域的新銳企業(yè)，在2021年3月成功競標收購了韓國LG的光電化合物半導體事業(yè)部資產。該收購交易涵蓋了近萬項GaN和GaAs 技術相關全球專利。