美光和SK海力士發(fā)布新型SOCAMM內(nèi)存模組

美光和SK海力士近日正式發(fā)布了新的SOCAMM內(nèi)存模組。美光表示，該內(nèi)存將用于英偉達GB300 Grace Blackwell Ultra超級芯片，作為Grace CPU的可更換內(nèi)存。

SOCAMM采用單面四顆粒焊盤設計，外形尺寸為90mm×14mm，128bit位寬，支持8533 MT/s。與LPCAMM2相比，SOCAMM取消了頂部的梯形結構，降低了高度，更適合服務器安裝和液體冷卻。

此外，據(jù)臺媒消息，SK海力士或?qū)ⅹ毤夜ミ_Blackwell Ultra架構芯片第五代12層HBM3E，預期與三星電子、美光的差距將進一步拉大。

SK海力士于去年9月率先量產(chǎn)12層HBM3E，容量達36GB，速度達9.6Gbps，在運行大語言模型時表現(xiàn)出色。公司計劃于2025年下半年推出12層HBM4，并于2026年推出16層HBM4。