• 正文
    • 一、擊穿電壓Vz:決定穩(wěn)壓基準(zhǔn)的核心指標(biāo)
    • 二、穩(wěn)壓電流Iz:確保穩(wěn)壓工作的關(guān)鍵電流范圍
    • 三、功耗能力Pz:熱管理與可靠性的衡量標(biāo)準(zhǔn)
    • 四、三者的權(quán)衡與優(yōu)化建議
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MDD穩(wěn)壓二極管的極限參數(shù)詳解 功耗 電流與擊穿電壓如何權(quán)衡

13小時(shí)前
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在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,MDD穩(wěn)壓二極管(Zener Diode)作為經(jīng)典的電壓鉗位和穩(wěn)壓元件,廣泛應(yīng)用于電源電路、電壓參考、過(guò)壓保護(hù)等場(chǎng)景。為了確保其在電路中的穩(wěn)定運(yùn)行與長(zhǎng)壽命,深入理解其關(guān)鍵極限參數(shù)——擊穿電壓(Vz)、穩(wěn)壓電流(Iz)與功耗能力(Pz)——顯得尤為重要。本文將從這三個(gè)核心參數(shù)出發(fā),解析它們之間的相互關(guān)系及如何在實(shí)際設(shè)計(jì)中進(jìn)行合理權(quán)衡與選型。

一、擊穿電壓Vz:決定穩(wěn)壓基準(zhǔn)的核心指標(biāo)

擊穿電壓(Zener Voltage)是指穩(wěn)壓二極管處于反向擊穿狀態(tài)時(shí),其兩端維持穩(wěn)定電壓的特性參數(shù),常見(jiàn)范圍從2.4V到200V以上。Vz值通常通過(guò)控制PN結(jié)摻雜濃度來(lái)設(shè)定,并具有一定的溫度漂移特性。

設(shè)計(jì)考量:

應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的穩(wěn)壓需求選擇合適的Vz值。如MCU的電壓鉗位選用5.1V或3.3V;電源過(guò)壓保護(hù)可選用12V或24V。

注意Vz與溫度的關(guān)系:低電壓的穩(wěn)壓管齊納擊穿為主,溫度系數(shù)為負(fù);高電壓穩(wěn)壓管以雪崩擊穿為主,溫度系數(shù)為正。因此,在需要精確穩(wěn)壓的場(chǎng)合,建議使用溫度系數(shù)較低的穩(wěn)壓電壓段(如5.1V附近)。

二、穩(wěn)壓電流Iz:確保穩(wěn)壓工作的關(guān)鍵電流范圍

穩(wěn)壓二極管需要在一定的反向電流范圍內(nèi)工作,才能保證其穩(wěn)壓特性。Iz通常分為:

最小穩(wěn)壓電流(Izk):達(dá)到Vz所需的最小電流;

最大穩(wěn)壓電流(Izm):穩(wěn)壓管在不超過(guò)額定功耗下所允許的最大反向電流。

設(shè)計(jì)考量:

Iz必須大于Izk,否則穩(wěn)壓管可能進(jìn)入“軟擊穿”區(qū)域,導(dǎo)致輸出電壓漂移;

同時(shí),Iz也不能超過(guò)Izm,否則將引起功耗過(guò)高或熱擊穿。

舉例:某穩(wěn)壓二極管Vz=5.1V,Izk=1mA,Pz=500mW,則其Izm=500mW/5.1V≈98mA。在電路設(shè)計(jì)中,應(yīng)控制其工作電流在5~70mA之間,以確保穩(wěn)定運(yùn)行并留有足夠裕量。

三、功耗能力Pz:熱管理與可靠性的衡量標(biāo)準(zhǔn)

功耗能力(Zener Power Dissipation)是指穩(wěn)壓管在穩(wěn)壓工作狀態(tài)下所能承受的最大功率,通常與封裝形式密切相關(guān)。

常見(jiàn)封裝與功耗值如下:

DO-35:功耗約500mW

DO-41:功耗約1W

SOD-123/SOD-323:功耗250~500mW

設(shè)計(jì)考量:

Pz=Vz×Iz,設(shè)計(jì)中需要根據(jù)最大負(fù)載電流與穩(wěn)壓電壓計(jì)算是否超出穩(wěn)壓管的功耗能力;

考慮環(huán)境溫度與PCB散熱條件,需要留出降額系數(shù),一般建議按60~70%最大功耗使用;

熱阻(RθJA)也是關(guān)鍵參數(shù),決定散熱效率,若散熱設(shè)計(jì)不佳,即便電流未超限,穩(wěn)壓管也可能熱失效。

四、三者的權(quán)衡與優(yōu)化建議

實(shí)際電路設(shè)計(jì)中,Vz、Iz與Pz是相互耦合的,必須統(tǒng)一考慮。例如:

負(fù)載電流大→需要更大Iz→需要更高Pz→選擇更大封裝或散熱器件;

負(fù)載輕,但精度高→需要接近最優(yōu)穩(wěn)壓區(qū)間的Vz與Iz;

對(duì)溫度敏感應(yīng)用→選擇溫漂小的Vz段或并聯(lián)熱補(bǔ)償元件;

此外,還應(yīng)考慮限流電阻的配合設(shè)計(jì)。限流電阻需保證最大輸入電壓時(shí),穩(wěn)壓管電流不超過(guò)Izm,最小輸入電壓時(shí),電流大于Izk。如下公式供參考:

R限流=(Vin_max-Vz)/Izm←確保不燒管

R限流=(Vin_min-Vz)/Izk←確保穩(wěn)壓有效

在Vin波動(dòng)較大的場(chǎng)合,建議選擇穩(wěn)壓帶寬較大的穩(wěn)壓管,并適當(dāng)加大功耗裕度。

MDD穩(wěn)壓二極管雖小,但在電路設(shè)計(jì)中扮演著電壓基準(zhǔn)和過(guò)壓防護(hù)的重要角色。合理選型時(shí),必須綜合考慮擊穿電壓、穩(wěn)壓電流及功耗能力這三大極限參數(shù),并結(jié)合封裝、散熱與工作環(huán)境因素進(jìn)行系統(tǒng)評(píng)估。

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