ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的小型MOSFET，助力快速充電應(yīng)用

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產(chǎn)品“AW2K21”，其封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導(dǎo)通電阻*2低至2.0mΩ（Typ.），達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。

新產(chǎn)品采用ROHM自有結(jié)構(gòu)，不僅提高器件集成度，還降低單位芯片面積的導(dǎo)通電阻。另外，通過(guò)在一個(gè)器件中內(nèi)置雙MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，僅需1枚新產(chǎn)品即可滿足雙向供電電路所需的雙向保護(hù)等應(yīng)用需求。

新產(chǎn)品中的ROHM自有結(jié)構(gòu)能夠?qū)⑼ǔ４怪睖喜跰OS結(jié)構(gòu)中位于背面的漏極引腳置于器件表面，并采用了WLCSP*3封裝。WLCSP能夠增加器件內(nèi)部芯片面積的比例，從而降低新產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻的降低不僅減少了功率損耗，還有助于支持大電流，使新產(chǎn)品能夠以超小體積支持大功率快速充電。例如，對(duì)小型設(shè)備的雙向供電電路進(jìn)行比較后發(fā)現(xiàn)，使用普通產(chǎn)品需要2枚3.3mm×3.3mm的產(chǎn)品，而使用新產(chǎn)品僅需1枚2.0mm×2.0mm的產(chǎn)品即可，器件面積可減少約81％，導(dǎo)通電阻可降低約33％。即使與通常被認(rèn)為導(dǎo)通電阻較低的同等尺寸GaN HEMT*4相比，新產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻也降低了約50％。因此，這款兼具低導(dǎo)通電阻和超小體積的“AW2K21”產(chǎn)品有助于降低應(yīng)用產(chǎn)品的功耗并節(jié)省空間。

另外，新產(chǎn)品還可作為負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的單向保護(hù)MOSFET使用，在這種情況下也實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻。

新產(chǎn)品已于2025年4月開(kāi)始暫以月產(chǎn)50萬(wàn)個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)（樣品價(jià)格500日元/個(gè)，不含稅）。新產(chǎn)品在電商平臺(tái)將逐步銷售。

ROHM還在開(kāi)發(fā)更小體積的1.2mm×1.2mm產(chǎn)品。未來(lái)，ROHM將繼續(xù)致力于提供更加節(jié)省空間并進(jìn)一步提升效率的產(chǎn)品，助力應(yīng)用產(chǎn)品的小型化和節(jié)能化發(fā)展，為實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展社會(huì)貢獻(xiàn)力量。

＜開(kāi)發(fā)背景＞

近年來(lái)，為縮短充電時(shí)間，智能手機(jī)等配備大容量電池的小型設(shè)備中，配備快速充電功能的產(chǎn)品日益增多。這類設(shè)備需要具備雙向保護(hù)功能以防止在非供電狀態(tài)時(shí)電流反向流入外圍IC等器件。此外，為了在快速充電時(shí)支持大電流，智能手機(jī)等制造商對(duì)MOSFET有嚴(yán)格的規(guī)格要求，如最大電流為20A、擊穿電壓*5為28V至30V、導(dǎo)通電阻為5mΩ以下等。然而，普通MOSFET產(chǎn)品若要滿足這些要求，就需要使用2枚導(dǎo)通電阻較低的大體積MOSFET，而這會(huì)導(dǎo)致安裝面積增加。為了解決這個(gè)問(wèn)題，ROHM開(kāi)發(fā)出采用超小型封裝并具備低導(dǎo)通電阻的MOSFET“AW2K21”，非常適用于大功率快速充電應(yīng)用。

＜產(chǎn)品主要特性＞

＜應(yīng)用示例＞

• 智能手機(jī)
• 平板電腦
• 筆記本電腦
• VR（Virtual Reality）眼鏡
• 可穿戴設(shè)備
• 掌上游戲機(jī)
• 小型打印機(jī)
• 液晶顯示器
• 無(wú)人機(jī)

此外，新產(chǎn)品還適用于其他配備快速充電功能的小型設(shè)備等眾多應(yīng)用。

＜電商銷售信息＞

發(fā)售時(shí)間：2025年4月起

新產(chǎn)品在電商平臺(tái)將逐步發(fā)售。 產(chǎn)品型號(hào)：AW2K21

＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞

*1）MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫(xiě)）

一種采用金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是FET中最常用的類型。

通常由“柵極”、“漏極”和“源極”三個(gè)引腳組成。其工作原理是通過(guò)向控制用的柵極施加電壓，增加漏極流向源極的電流。

Nch MOSFET是一種通過(guò)向柵極施加相對(duì)于源極為正的電壓而導(dǎo)通的MOSFET。

共源結(jié)構(gòu)的MOSFET內(nèi)置兩個(gè)MOSFET器件，它們共享源極引腳。

*2）導(dǎo)通電阻

MOSFET工作（導(dǎo)通）時(shí)漏極與源極間的電阻值。數(shù)值越小，工作時(shí)的損耗（功率損耗）越小。

*3）WLCSP（Wafer Level Chip Scale Package）

在晶圓狀態(tài)下完成引腳成型和布線，隨后切割成芯片的超小型封裝。與將晶圓切割成芯片后通過(guò)樹(shù)脂模塑形成引腳等的普通封裝形式不同，這種封裝可以做到與內(nèi)部的半導(dǎo)體芯片相同大小，因此可以縮減封裝的尺寸。

*4）GaN HEMT

GaN（氮化鎵）是一種用于新一代功率元器件的化合物半導(dǎo)體材料，與普通的半導(dǎo)體材料Si（硅）相比，其物性更優(yōu)異，開(kāi)關(guān)速度更快，支持高頻率工作。

HEMT是High Electron Mobility Transistor（高電子遷移率晶體管）的英文首字母縮寫(xiě)。

*5）擊穿電壓

MOSFET漏極和源極之間可施加的最大電壓。如果超過(guò)該電壓，會(huì)發(fā)生絕緣擊穿，導(dǎo)致器件無(wú)法正常工作。