芯耀
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下面這張照片展示了一堆古董內(nèi)存。從上到下是：采用三星顆粒的兩根 32M 72 針 DRAM 內(nèi)存，韓國生產(chǎn)。中間是新加坡 NCP 的 256M PC133 SDRAM 內(nèi)存。最下面是采用英飛凌顆粒的 64M PC133 SDRAM 內(nèi)存，葡萄牙生產(chǎn)。其中 NCP 是新加坡赫克松（Hexon）集團(tuán)的內(nèi)存品牌。赫克松成立于 1989 年，是德國英飛凌和日本爾必達(dá)的亞太區(qū)總代理，因此采購兩家的 DRAM 顆粒，到新加坡組裝成內(nèi)存條，然后銷售到中國大陸，靠價格低廉取勝。不過時至今日，德國英飛凌（奇夢達(dá)）和日本爾必達(dá)，都已經(jīng)破產(chǎn)倒閉。只剩下了韓國三星獨霸江湖。
DRAM 是動態(tài)隨機(jī)存儲器的意思，也就是電腦內(nèi)存。對于今天的消費者來說，電腦內(nèi)存只是些綠色的小條條，售價不過幾百元。然而這些小玩意，卻走過了長達(dá) 120 年的復(fù)雜演進(jìn)歷史。從百年前的穿孔紙卡、磁鼓、磁芯到半導(dǎo)體晶體管 DRAM 內(nèi)存。人們已經(jīng)很難想象，一個電冰箱大小的計算機(jī)存儲器，只能存儲幾 K 數(shù)據(jù)，售價卻高達(dá)幾萬美元。在中國市場，1994 年的時候，一根 4M 內(nèi)存售價 1400 元，相當(dāng)于兩個月工資。1999 年中國臺灣 921 大地震，在北京中關(guān)村，一根 64M SDRAM 內(nèi)存條，價格可以在幾天內(nèi)，從 500 元暴漲到 1600 元。
自 1970 年，美國英特爾的半導(dǎo)體晶體管 DRAM 內(nèi)存上市以來，已經(jīng)過去 47 年。DRAM 內(nèi)存芯片市場，累計創(chuàng)造了超過 1 萬億美元產(chǎn)值（$1000,000,000,000 美元）。企業(yè)間摻雜著你死我活的生死搏殺。美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的選手，懷揣巨額籌碼，高高興興地走進(jìn)來，卻在輸光光之后黯然離場。無數(shù)名震世界的產(chǎn)業(yè)巨頭轟然倒地。就連開創(chuàng) DRAM 產(chǎn)業(yè)的三大元老——英特爾、德州儀器和 IBM，也分別在 1986 年、1998 年和 1999 年，凄慘地退出了 DRAM 市場。目前，只有韓國三星和海力士，占據(jù)絕對壟斷地位，在 DRAM 市場呼風(fēng)喚雨，賺得盆滿缽滿。
從美國到韓國，這個巨大的轉(zhuǎn)變，背后隱藏著半個世紀(jì)以來，那些不為人知的經(jīng)濟(jì)戰(zhàn)爭，足以載入經(jīng)濟(jì)學(xué)教科書。把歐美和中國，那些冒牌經(jīng)濟(jì)學(xué)家，極力鼓吹的“自由市場經(jīng)濟(jì)”論調(diào)，徹底掃進(jìn)垃圾堆。
——這是一場真正的經(jīng)濟(jì)戰(zhàn)爭，國與國之間的生死較量，慘烈程度遠(yuǎn)超液晶戰(zhàn)爭。
1949 年，美國哈佛大學(xué)實驗室的王安博士，發(fā)明磁芯存儲器。這種古老的存儲器一直使用到 1970 年代。直至被英特爾批量生產(chǎn)的 DRAM 內(nèi)存淘汰。
在敘述這場經(jīng)濟(jì)戰(zhàn)爭前，我們先從總體上，了解一下 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的脈絡(luò)和現(xiàn)狀。
電腦存儲器的發(fā)明者，幾乎都來自計算機(jī)巨頭——美國 IBM 公司。IBM 的歷史最早可追溯到 1890 年代。美國統(tǒng)計學(xué)家霍列瑞斯（Hollerith Machin）研制了穿孔制表機(jī)，采用在卡紙上打孔的方式，記錄統(tǒng)計數(shù)據(jù)。1890 年，美國進(jìn)行第 12 次人口普查時，便大量采用這種機(jī)器。直到 1930 年代，IBM 每年仍要銷售上千萬張穿孔紙卡。
1932 年，IBM 公司的奧地利裔工程師古斯塔夫·陶斯切克（Gustav Tauschek），發(fā)明了第一種被廣泛使用的計算機(jī)存儲器，稱為“磁鼓存儲器”。直到 1950 年代，磁鼓依然是大型計算機(jī)的主要存儲方式。1956 年，IBM 公司購買了中國人王安博士（上海人），擁有的“磁芯存儲器”專利。磁芯存儲一直使用至 1970 年代。1966 年，IBM 公司的研究人員，羅伯特·登納德博士，發(fā)明了半導(dǎo)體晶體管 DRAM 內(nèi)存，并在 1968 年獲得專利。
然后，1970 年美國英特爾，依靠批量生產(chǎn) DRAM 大獲成功，逼死了磁芯存儲器。1976 年日本廠商進(jìn)攻 DRAM 市場后，差點將英特爾逼死。1985 年美國發(fā)動經(jīng)濟(jì)戰(zhàn)爭，扶植韓國廠商進(jìn)攻 DRAM 產(chǎn)業(yè)，又將日本廠商逼死。1997 年美國發(fā)動亞洲金融風(fēng)暴，差點將韓國廠商逼死。美國控制韓國經(jīng)濟(jì)后，韓國廠商又借著 DRAM 市場的暴利翻身崛起。此時不怕死的中國臺灣人沖進(jìn) DRAM 市場，投入 500 億美元卻虧得血本無歸。2007 年全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)，逼死了德國廠商，并將中國臺灣 DRAM 廠商打翻在地，狠踩兩腳。2017 年，不怕死的中國大陸廠商沖了進(jìn)來，準(zhǔn)備投資 660 億美元，進(jìn)攻 DRAM 市場。
有人說，中國人瘋了。
我說沒瘋，因為中國——做為世界第一大電子產(chǎn)品制造國，居然 90%以上的內(nèi)存靠進(jìn)口，剩下那部分，居然連國產(chǎn)的產(chǎn)量，都控制在韓國企業(yè)手里。
2015 年，韓國三星電子投資 136 億美元（15.6 萬億韓元），在韓國京畿道平澤市，建設(shè) 12 寸晶圓 DRAM 廠（Fab18）。該項目占地 2.89 平方公里，總產(chǎn)能預(yù)計將達(dá)到每月 45 萬片晶圓，其中 3D NAND 閃存芯片將占據(jù)一半以上。主要生產(chǎn)第四代 64 層堆疊 3D NAND 閃存芯片。2017 年 7 月 4 日三星宣布該廠投產(chǎn)。
行業(yè)高度壟斷——韓國三星獨占鰲頭
我們來看看市場情況，就知道中國為什么非要進(jìn)攻 DRAM 市場了。半導(dǎo)體存儲器主要應(yīng)用于臺式電腦、筆記本電腦、手機(jī)、平板電腦、固態(tài)硬盤、閃存等領(lǐng)域，包括 DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash 三大類。2015 年全球半導(dǎo)體存儲器銷售總額達(dá) 772 億美元。在全球 3352 億美元的集成電路產(chǎn)業(yè)中，占據(jù) 23%的份額，是極為重要的產(chǎn)業(yè)核心部件。
其中 DRAM 內(nèi)存主要用于臺式電腦、筆記本電腦，全球市場規(guī)模約 420 億美元，目前被韓國三星、海力士和美國鎂光三家壟斷，占據(jù) 90%以上的份額。從 1992 年以來，韓國三星在 DRAM 市場已經(jīng)連續(xù) 25 年蟬聯(lián)世界第一，占據(jù)絕對壟斷地位，市占率超過 60%。似乎無人可以撼動它的地位。
NAND Flash 閃存主要用于手機(jī)存儲、平板電腦、SSD 固態(tài)硬盤、大容量閃存，全球市場規(guī)模約 300 億美元，壟斷形勢更加嚴(yán)重。韓國三星、海力士、美國鎂光、英特爾、閃迪、日本東芝六家廠商，壟斷了全球 99%的產(chǎn)量。其中僅三星、海力士、東芝三家，就占了 80%以上的份額。NOR Flash 閃存屬于小眾產(chǎn)品，主要用于 16M 以下的小容量閃存，全球市場規(guī)模只有 30 億美元，由美國鎂光、韓國三星、中國臺灣旺宏、華邦、中國大陸的兆易創(chuàng)新等 7 家企業(yè)瓜分。
行業(yè)高度壟斷造成的結(jié)果，是前三大廠商可以輕易操縱產(chǎn)量和價格，用低價來擠垮競爭對手，或用漲價來謀取暴利。2016 年由于全球內(nèi)存芯片缺貨，三星電子營業(yè)收入達(dá)到 809 億美元，利潤高達(dá) 270 億美元。韓國海力士收入 142 億美元，美國鎂光收入 128 億美元。
而中國廠商深受其害。中國是世界最大的電子產(chǎn)品制造國。2016 年，光是中國就是生產(chǎn)了 3.314 億臺電腦，21 億臺手機(jī)（其中智能手機(jī)占 15 億臺），1.78 億臺平板電腦。與之相對應(yīng)，2016 年，中國進(jìn)口 DRAM 產(chǎn)品超過 130 億美元。中國需要的存儲器芯片 9 成以上需要進(jìn)口。國內(nèi) DRAM 產(chǎn)能也掌握在韓國海力士等外資廠商手中。
2015 年起，美國鎂光（Micron），在新加坡 Woodlands 投資 40 億美元，擴(kuò)建 Fab 10X 晶圓廠，主要生產(chǎn)第二代 32 層堆疊 3D NAND 閃存。2017 年建成后，月產(chǎn)能 14 萬片晶圓，采用 16 納米工藝。
有錢都買不到——那就自己造吧
在外資廠商故意操縱下，華為、中興、小米、聯(lián)想等中國手機(jī)、PC 廠商，經(jīng)常遇到 DRAM 缺貨情況。而在中國國內(nèi)，僅有中芯國際具備少量 DRAM 產(chǎn)能，根本無法實現(xiàn)進(jìn)口替代。更嚴(yán)重的事例還有：2016 年 3 月，美國政府下令制裁中國中興通訊，禁止美國廠商給中興提供元器件。這種情況簡直讓人不寒而栗。2017 年 4 月，華為手機(jī)爆出閃存門事件。事情的根源，實際就是華為手機(jī)用的 NAND Flash 內(nèi)存嚴(yán)重缺貨。
怎么辦呢？有錢可以買吧？2015 年 7 月，中國紫光集團(tuán)向全球第三大 DRAM 廠商，美國鎂光科技，提出 230 億美元的收購要約。結(jié)果被鎂光拒絕了，理由是擔(dān)心美國政府，會以信息安全方面的考慮，阻撓這項交易。
那就自己造吧。于是從 2016 年起，中國掀起了一場 DRAM 產(chǎn)業(yè)投資風(fēng)暴。紫光集團(tuán)宣布投資 240 億美元，在武漢建設(shè)國家存儲器基地（武漢新芯二期 12 英寸晶圓 DRAM 廠），占地超過 1 平方公里，2018 年一期建成月產(chǎn)能 20 萬片，預(yù)計到 2020 年建成月產(chǎn)能 30 萬片，年產(chǎn)值超過 100 億美元。計劃 2030 年建成月產(chǎn)能 100 萬片。福建晉華集團(tuán)與聯(lián)華電子合作，一期投資 370 億元，在晉江建設(shè) 12 英寸晶圓 DRAM 廠，2018 年建成月產(chǎn)能 6 萬片，年產(chǎn)值 12 億美元。規(guī)劃到 2025 年四期建成月產(chǎn)能 24 萬片。合肥長鑫投資 494 億（72 億美元），2018 年建成月產(chǎn)能 12.5 萬片。
2017 年 1 月，紫光集團(tuán)宣布投資 300 億美元(約 2000 億人民幣)，在江蘇南京投資建設(shè)半導(dǎo)體存儲基地，一期投資 100 億美元，建成月產(chǎn)能 10 萬片，主要生產(chǎn) 3D NAND FLASH（閃存）、DRAM 存儲芯片。
上述四個項目總投資超過 660 億美元（4450 億元人民幣）。確實有點瘋狂。
但是只要認(rèn)真研究過去半個世紀(jì)，世界 DRAM 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷史，就會讓人看清一件事情。
——拿錢砸死對手，少砸一點就會死！不相信的都死了！
2016 年 6 月，美國 IBM 實驗室的研究人員 Janusz Nowak，向記者展示新型的磁性儲藏器（STT-MRAM）12 寸晶圓。磁性內(nèi)存既有 DRAM 和 SRAM 的高性能，又有閃存的低功耗和低成本，被認(rèn)為具有競爭下一代內(nèi)存的潛力，但是還存在很多問題。
2017 年 6 月，韓國三星電子宣布，開始在平澤工廠（Fab18），批量生產(chǎn) 64 層堆疊的 256Gb 第四代 TLC V-NAND 內(nèi)存產(chǎn)品。三星目前 V-NAND 占整體 NAND Flash 產(chǎn)能的 70%以上，擁有 500 多項專利。
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