• 正文
    • HFSS 應用案例:射頻衰減器仿真與優(yōu)化 01、摘要
    • 02、HFSS 仿真思路與流程 01 仿真思路
    • 03、仿真結果與效果分析
    • 04、投入資源與時間
    • 05、結論
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HFSS應用案例:射頻衰減器仿真與優(yōu)化

2020/12/31
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HFSS 應用案例:射頻衰減器仿真與優(yōu)化
01、摘要

射頻衰減器是一種提供衰減的電子元器件, 廣泛地應用于電子設備中,它的主要用途是:

調整電路中信號的大??;

在比較法測量電路中,可用來直讀被測網絡的衰減值;

此次仿真的目的,是通過仿真提供該衰減器在最大衰減和最小衰減 2 種配置下的插入損耗和回波損耗數據,并同時提供對衰減器附近走線進行調整優(yōu)化之后的仿真結果。

02、HFSS 仿真思路與流程 01 仿真思路

通過 IC DATASHEET 上獲得衰減器內 IC 本身在最大衰減和最小衰減狀態(tài)下的插入損耗和回波損耗,提供該衰減器在最大衰減和最小衰減 2 種配置下的插入損耗和回波損耗數據,并同時提供對衰減器附近走線進行調整優(yōu)化之后的仿真結果。此方法使用 HFSS 2020R2 版本,并配合 Circuit 求解器進行場路協同仿真。

02、仿真流程

2.2.1?? 仿真數據準備

仿真數據準備主要是獲得射頻衰減 IC 本身在最大衰減和最小衰減狀態(tài)下的插入損耗和回波損耗,該數據可以從 IC DATASHEET 上查詢到,然后通過 Excel 將該 DATASHEET 上的數據制作成可以被仿真軟件使用的 S 參數文件,制作完成的 S 參數如圖 1 和圖 2 所示:

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圖 1 最大衰減模式下 IC 的 S 參數

圖 2 最小衰減模式下 IC 的 S 參數

2.2.2?? CAD 模型導入

將客戶提供的衰減器的 CAD 模型導入到 HFSS,并經過必要的幾何修復和調整,并設定相應的材料屬性,得到如圖 3 所示的 HFSS 仿真模型

圖 3 衰減器 CAD 模型

2.2.3?? 仿真端口設置

在 CAD 模型的同軸輸入端和 IC 的焊盤端分別設定 Port, 并設定仿真頻率為 7GHz 到 50GHz,得到如圖 4 所示的衰減器 LAYOUT 的 S 參數 .

圖 4 衰減器 LAYOUT 通道的 S 參數

將圖 4 的 S 參數與 IC 本身的 S 參數在 Circuit 中進行組合(圖 5),形成最終完整的通道并進行 Linear Network Analysis,得到衰減器的完整 S 參數特性,分別如圖 6 和圖 7 所示

圖 5 在 Circuit 中組件完整衰減器通道

圖 6 衰減器完整通道的 S 參數(最大衰減配置)

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圖 7 衰減器完整通道的 S 參數(最小衰減配置)

2.2.4?? 仿真結果分析及優(yōu)化

從圖 6 和圖 7 的結果來看,組裝完成后的全通道 S 參數與 IC 本身的 S 參數相比,在 39GHz 和 49GHz 這 2 個頻點附近性能惡化較多。所以對 LAYOUT 本身和盒子結構做適當改進,下面是選擇的 2 條改進手段:

l? 增加若干地過孔(圖 8)

l? 改變 IC 上方空腔形狀(圖 9),

圖 8 增加的地過孔

圖 9 改變 IC 上方腔體形狀

03、仿真結果與效果分析

經過上述步驟優(yōu)化之后,再次進行仿真,得到的最終衰減器全通道 S 參數如圖 10 和圖 11 所示,可以看到在 39GHz 和 49GHz 處有明顯改變。

圖 10 優(yōu)化后最大衰減配置下的全通道 S 參數

圖 11 優(yōu)化后最小衰減配置下的全通道 S 參數

04、投入資源與時間

此次運算運用 3 核計算(沒有使用 HPC 模塊),用時 01:28:37

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05、結論

ANSYS HFSS 可以實現從建模到仿真以及多目標優(yōu)化的全過程設計,大大提高了設計效率,縮短研發(fā)周期;

ANSYS HFSS 解決方案可解決衰減器設計流程中可能遇到的頻點性能惡化的情況,并針對問題頻點進行性能優(yōu)化;

利用 ANSYS HFSS 完整的虛擬原型設計,從而提升研發(fā)設計能力,有效指導新產品的研發(fā)設計,節(jié)省產品開發(fā)成本。

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公眾號“老貓電磁館”主筆,仿真軟件專家,高頻電磁問題專家,從事電磁場仿真與天線設計工作近二十年,關注方向包括各類天線設計與優(yōu)化,高頻電磁兼容,強電磁脈沖防護,5G與物聯網等。愛好美的事物,喜歡用文字和光影與讀者交流,工匠精神,人文關懷,從心開始。