硅基光電子集成鍺硅（雪崩）光電探測(cè)器--吉林大學(xué)技術(shù)專利

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成果簡(jiǎn)介

鍺硅（雪崩）光電探測(cè)器在短波紅外成像，光通信等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。采用CMOS技術(shù)兼容的硅基光電子集成技術(shù)，研制出世界首個(gè)三電極鍺硅雪崩光電二極管陣列芯片。暗電流<1.0e-7A,光電流>1.0A/W。

項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)依托于吉林大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院、集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、吉林省激光雷達(dá)探測(cè)系統(tǒng)工程實(shí)驗(yàn)室，核心團(tuán)隊(duì)成員10人，擁有相關(guān)設(shè)備一千余萬元，實(shí)驗(yàn)場(chǎng)地300余平方米。

應(yīng)用領(lǐng)域

短波紅外探測(cè)、紅外成像。

知識(shí)產(chǎn)權(quán)情況

授權(quán)發(fā)明專利2項(xiàng)

成果圖片