場效應管的參數(shù)有哪些

硬件型號：RisymAO3400

系統(tǒng)版本：半導體系統(tǒng)

場效應管的參數(shù)有：開啟電壓UT （MOSFET)、夾斷電壓UP （JFET）、飽和漏極電流IDSS （JFET）、直流輸入電阻RGS、跨導Gm和最大漏極功耗。

1、開啟電壓UT （MOSFET）

通常將剛剛形成導電溝道、出現(xiàn)漏極電流ID時對應的柵一源電壓稱為開啟電壓，用UGS（th）或UT表示。開啟電壓UT是MOS增強型管的參數(shù)。當柵一源電壓UGS小于開啟電壓的絕對值時，場效應管不能導通。

2、夾斷電壓UP （JFET）

當UDS為某一固定值（如10V），使ID等于某一微小電流（如50mA）時，柵一源極間加的電壓即為夾斷電壓。當UGS＝UP時，漏極電流為零。

3、飽和漏極電流IDSS （JFET）

飽和漏極電流IDSS是在UGS =0的條件下，場效應管發(fā)生預夾斷時的漏極電流。IDSS型場效應管所能輸出的最大電流。

4、直流輸入電阻RGS

直流輸入電阻RGS是漏一源短路，柵一源加電壓時柵一源極 之間的直流電阻。結(jié)型場效應管：RGS》107ΩMOS管：RGS》109～1015Ω。

5、跨導Gm

漏極電流的微變量與柵一源電壓微變量之比，即gm＝△ID/△UGS。它是衡量場效應管柵一源電壓對漏極電流控制能力的一個參數(shù)。gm相當于三極管的hFE。

6、最大漏極功耗

最大漏極功耗PD＝UDSID，相當于三極管的PCM。