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負載VSWR如何影響非線性電路應用說明手冊

2023/04/25
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負載VSWR如何影響非線性電路應用說明手冊

引言

考慮以下場景:您正在設計寬帶C類功率放大器并將其投入生產。在你的設計階段,你要遵循所有的科學規(guī)則,還要深入研究你的電子技巧,以滿足設計規(guī)范。你的設計在實驗室里制造并測試成功。實驗室里又建造了25個單元,它們的測試結果也很好。

確信設計和生產程序都令人滿意,您就可以開始批量生產了。但當?shù)谝慌鷨卧_到RFtest時,就不符合規(guī)范。當你取回這些單元時,它們在實驗室測試正常。這些放大器出了什么問題?可能什么都沒有。這種情況,以一種或另一種形式,在非線性RF電路的設計和制造中非常常見。罪魁禍首是測試系統(tǒng)的相關性。0.5 dB的差值足以使非常好的單元失效,導致不必要且昂貴的重新測試甚至返工。更糟糕的是,一個半dB的錯誤將通過不符合規(guī)格且永遠不應該發(fā)貨的單元。

這種相關性誤差將破壞更重要的功能,即保持產品連續(xù)性。1982年制造的設備應與1976年制造的相同型號設備性能相同。另一種說法是,在1982年的測試系統(tǒng)中測試的設備在1976年的系統(tǒng)中測試時應該產生相同的結果。當然,關鍵是射頻相關性。

什么是射頻相關性?簡單地說,當在兩個或多個測試站之間建立并連續(xù)遵守目標誤差極限時,就會發(fā)生RF相關性。這種相關性對于非線性RF和微波功率放大器的成本效應生產至關重要,無論是在測試系統(tǒng)還是設備環(huán)境中,這些放大器的電路對其負載的阻抗都非常敏感。補償衰減器中的插入損耗誤差很容易,但補償衰減器焊盤之間的輸入阻抗差(即負載VSWR)的變化要困難得多。
讓我們從經驗和理論兩個層面來研究射頻相關性。

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恩智浦

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恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結。收起

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