驅(qū)動(dòng)基于N溝道MOSFET或IGBT的半橋需要為高側(cè)開(kāi)關(guān)提供大于主電源的門(mén)極電壓。如果沒(méi)有這種過(guò)驅(qū)動(dòng),高側(cè)開(kāi)關(guān)將不能正確偏置,從而嚴(yán)重影響功率級(jí)性能。
生成這種額外電壓的最常見(jiàn)方法之一是由電容器和二極管串聯(lián)連接到切換節(jié)點(diǎn)的引導(dǎo)電路。
本文描述了該電路的基本原理,并提供了有關(guān)組件正確選擇的指南。