IGBT應(yīng)用手冊

2023/10/01 作者：安森美半導體

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IGBT應(yīng)用手冊

IGBT是一種四層半導體器件，結(jié)合了雙極晶體管(集電極-發(fā)射極)的電壓特性和MOSFET的驅(qū)動特性。這個概念最早記錄在山神于1968年提交的一項日本專利中。第一個設(shè)備是平面技術(shù)，但最近垂直的溝槽設(shè)備已經(jīng)流行起來。

近年來，由于IGT擅長的高電壓、高功率應(yīng)用的增加，IGT的普及程度飆升。雖然開關(guān)速度比MOSFET慢，但在大電流下，VCE(SAT)特性比MOSFET有顯著改善，特別是對于高壓器件。它們的額定電壓范圍為300至1200伏以上，單個芯片的額定電流為15至100安培。IGBT模塊的電流額定值可達100安培。

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安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、航空及電源應(yīng)用的獨特設(shè)計挑戰(zhàn)，既快速又符合高性價比。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計中心在內(nèi)的世界一流、增值型供應(yīng)鏈和網(wǎng)絡(luò)。