動態(tài)表征平臺應用說明

2024/01/05 作者：力特奧維斯Littelfuse

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動態(tài)表征平臺應用說明

Littelfuse的動態(tài)表征平臺旨在:
測量:
?精確的MOSFET 開關損耗、開關次數(shù)、柵極電荷
?肖特基勢壘二極管(SBD)和體二極管反向精確恢復
為柵極驅動和電源環(huán)路PCB布局提供參考設計。
提供閘板驅動布局和部件的建議。
促進簡化的設備驗證和更快的設計周期。

推薦器件

更多器件

器件型號	數(shù)量	器件廠商	器件描述	ECAD模型	參考價格	更多信息
P410QS333M300AH101	1	KEMET Corporation	RC Network,	ECAD模型下載ECAD模型	$1.83	查看
VLS6045EX-220M-H	1	TDK Corporation	General Purpose Inductor,	ECAD模型下載ECAD模型	$0.52	查看
NDT3055L	1	Fairchild Semiconductor Corporation	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET		$1.34	查看

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在從消費電子產品到車輛和工業(yè)設施的使用電能的應用中，Littelfuse 產品一只是重要的組件。他們提供業(yè)界最廣泛、最深入的電路保護產品組合，并在功率控制和檢測領域擁有不斷發(fā)展的平臺。作為其加速組織增長和戰(zhàn)略并購公司戰(zhàn)略的一部分，他們正不斷向相鄰市場擴張。這些市場包括功率半導體、重型開關、磁性、光學、機電和溫度傳感器；并提供安全控制和電力分配產品。

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