SiC MOSFET中自由器件實(shí)現(xiàn)的優(yōu)化

2023/10/26 作者：力特奧維斯Littelfuse

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SiC MOSFET中自由器件實(shí)現(xiàn)的優(yōu)化

本文討論了在半橋結(jié)構(gòu)下SiC MOSFET自由器件實(shí)現(xiàn)的優(yōu)化。介紹了用SiC MOSFET開關(guān)實(shí)現(xiàn)的多自由度器件的動態(tài)特性。比較了SiC MOSFET體二極管和SiC肖特基勢壘二極管(SBD)在開爾文源連接和無開爾文源連接下的開關(guān)器件的性能。本文旨在確定SiC MOSFET的主體二極管是否是MOSFET高速開關(guān)的限制因素。

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器件型號	數(shù)量	器件廠商	器件描述	ECAD模型	參考價格	更多信息
XGL4030-471MEC	1	Coilcraft Inc	General Purpose Inductor, 0.47uH, 20%, 1 Element, Composite-Core, SMD, 1616, CHIP		暫無數(shù)據(jù)	查看
NRS5030T4R7MMGJV	1	TAIYO YUDEN	General Purpose Inductor,	ECAD模型下載ECAD模型	$0.5	查看
XAL7030-102MEC	1	Coilcraft Inc	General Purpose Inductor, 1uH, 20%, 1 Element, Composite-Core, SMD, 3030, CHIP, 3030, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT	ECAD模型下載ECAD模型	$25.3	查看

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