磁致電阻效應是什么 磁致電阻效應的原理是什么

磁致電阻效應（magneto-resistive effect）是指在外加磁場下，材料內(nèi)部的電子運動狀態(tài)和電學性質(zhì)會發(fā)生變化，從而導致材料的電阻率隨著磁場大小、方向、溫度等因素而變化的現(xiàn)象。磁致電阻效應廣泛應用于磁存儲器、傳感器、讀寫頭等領域。

1.磁致電阻效應是什么

磁致電阻效應是材料的電阻率隨著外加磁場大小、方向、溫度等因素的變化而變化的現(xiàn)象。磁致電阻效應可分為長大磁性磁致電阻（GMR）和巨磁電阻（TMR），其中GMR主要應用于硬盤驅(qū)動器等領域，而TMR則應用于磁存儲器。

2.磁致電阻效應的原理是什么

磁致電阻效應的原理是基于自旋運動的電子輸運理論，即當外加磁場改變自旋極化狀態(tài)時，導體材料中的自由電子的自旋會發(fā)生變化，從而影響了材料的電學性質(zhì)。這種效應可以通過反鐵磁體、互補金屬等復合材料的結(jié)構(gòu)來放大，進而應用于實際領域。