刻蝕設(shè)備

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刻蝕設(shè)備的發(fā)展和光刻技術(shù)，互連技術(shù)密切相關(guān)。High K / Low K材料，銅互連，Metal Gate，double Pattern等技術(shù)的發(fā)展都對刻蝕設(shè)備提出了新的需求·

刻蝕設(shè)備的發(fā)展和光刻技術(shù)，互連技術(shù)密切相關(guān)。High K / Low K材料，銅互連，Metal Gate，double Pattern等技術(shù)的發(fā)展都對刻蝕設(shè)備提出了新的需求·收起

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  • 聊聊新凱來的刻蝕設(shè)備&友商統(tǒng)計數(shù)據(jù)（更新版）
    上次Semicon China結(jié)束后我立即發(fā)布一個關(guān)于新凱來的量檢測設(shè)備和刻蝕設(shè)備的簡介和行業(yè)數(shù)據(jù)統(tǒng)計。文章發(fā)布以后閱讀量和讀者反饋效果都非常不錯但刻蝕設(shè)備的分類上有些技術(shù)性錯誤，很容易給讀者產(chǎn)生誤導(dǎo)。所以我今天再修改一下產(chǎn)品分類，同時也增加幾家最新收集到的供應(yīng)商信息，發(fā)布一個新版本
    聊聊新凱來的刻蝕設(shè)備&友商統(tǒng)計數(shù)據(jù)（更新版）
  • 中微公司在等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域再次實現(xiàn)重大突破
    近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，股票代碼“688012.SH”）宣布通過不斷提升反應(yīng)臺之間氣體控制的精度，?ICP雙反應(yīng)臺刻蝕機Primo Twin-Star??又取得新的突破，反應(yīng)臺之間的刻蝕精度已達到0.2A（亞埃級）。這一刻蝕精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蝕工藝上，均得到了驗證。該精度約等于硅原子直徑2.5埃的十分之一，是人類頭發(fā)絲平均直徑100微米的
  • 幾種常見的刻蝕機臺，包括LAM、AMAT、TEL、MATTSON和AMEC等
    在晶圓制造過程中，刻蝕工藝是至關(guān)重要的，它不僅影響芯片的功能，還決定了工藝的精度和生產(chǎn)效率。LAM Research（簡稱LAM）是刻蝕機領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商之一，尤其在干法刻蝕方面具有很強的競爭力。LAM的刻蝕機臺通常采用等離子體刻蝕技術(shù)，其特點是高效的刻蝕速率和良好的工藝控制能力。
    幾種常見的刻蝕機臺，包括LAM、AMAT、TEL、MATTSON和AMEC等
  • 越制裁，越強大！重要性比肩光刻機的刻蝕設(shè)備——北方華創(chuàng)
    美日荷相繼加大對華半導(dǎo)體設(shè)備出口限制，國產(chǎn)替代迫在眉睫。盡管中國是全球最大半導(dǎo)體消費市場，但本土化缺口明顯，2023 年芯片自產(chǎn)率僅 20%、半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率為 35%、高端刻蝕機等關(guān)鍵領(lǐng)域國產(chǎn)化率不足 10%。隨著國產(chǎn)晶圓廠的逆勢擴張、海外制裁趨緊，本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商有望擴大份額，預(yù)計2025年國產(chǎn)化率將達50%。 前面文章我們分析了國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭之一的中微公司，今天我們繼續(xù)深入研究半導(dǎo)體
    1.4萬
    2024/11/26
    越制裁，越強大！重要性比肩光刻機的刻蝕設(shè)備——北方華創(chuàng)
  • 2024 CSEAC：半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化加速，競爭力在哪里？
    尊重知識產(chǎn)權(quán)和打造差異化競爭優(yōu)勢是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的關(guān)鍵。當前，低價競爭導(dǎo)致的低毛利已成為行業(yè)發(fā)展的主要障礙，它削弱了設(shè)備企業(yè)的研發(fā)能力，阻礙了技術(shù)的迭代升級。半導(dǎo)體設(shè)備廠商需要維持40%-50%的毛利潤率，以確保持續(xù)的研發(fā)投入和技術(shù)創(chuàng)新。非法的設(shè)備翻新和抄襲行為不僅侵犯了知識產(chǎn)權(quán)，也不利于企業(yè)的長期發(fā)展。
    2024 CSEAC：半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化加速，競爭力在哪里？