氧化鎵

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氧化鎵是一種無機化合物，化學式為Ga2O3。別名三氧化二鎵，是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV，其導電性能和發(fā)光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。

氧化鎵是一種無機化合物，化學式為Ga2O3。別名三氧化二鎵，是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV，其導電性能和發(fā)光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。收起

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  • 【對話前沿專家】香港科技大學黃文海教授談氧化鎵器件的突破與展望
    在超寬禁帶半導體領(lǐng)域，氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。我們有幸與香港科技大學電子及計算機工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀、應(yīng)用前景及測試測量挑戰(zhàn)展開深入交流。 香港科技大學在氧化鎵研究領(lǐng)域取得了顯著的成果，涵蓋了材料生長、器件設(shè)計、性能優(yōu)化和應(yīng)用開發(fā)等多個方面。通過與國際科研機構(gòu)和企業(yè)的合作，港科大團隊不僅推動了氧化鎵技術(shù)的發(fā)展，也為相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用提供了重要的技術(shù)支持。 黃文海教
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  • 第四代半導體，破曉時刻
    3nm，是半導體市場的?“熱搜關(guān)鍵詞”。光刻機，是眾人爭搶的?“香餑餑”。第三代半導體，一出現(xiàn)就在資本市場掀起波瀾。而現(xiàn)在，這類技術(shù)的突破，給半導體賽道開啟新一輪熱潮。
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  • 第四代半導體，初露鋒芒
    今年，鎵、鍺相關(guān)物出口管制觸發(fā)多股漲停，第四代半導體發(fā)展初露鋒芒。公開資料顯示，鎵和鍺都是新興的戰(zhàn)略關(guān)鍵礦產(chǎn)，均已被列入國家戰(zhàn)略性礦產(chǎn)名錄中。兩種 金屬礦產(chǎn)無論是在儲量還是在出口上，中國均在全球占據(jù)領(lǐng)先地位。2022 年我國鎵產(chǎn)品的出口數(shù)量大幅增長。海關(guān)總署數(shù)據(jù)表明，2022 年 1 至 11 月，我國累計出口鎵產(chǎn)品 89.35 噸，比 2021 年 同期增加 44.1%。
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  • 【“源”察秋毫系列】下一代半導體氧化鎵器件光電探測器應(yīng)用與測試
    氧化鎵（Ga2O3）探測器是一種基于超寬禁帶半導體材料的光電探測器，主要用于日盲紫外光的探測。其獨特的物理化學特性使其在多個應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)出廣泛的前景。探測器性能由于材料不同、結(jié)構(gòu)不同、制備工藝以及應(yīng)用場景的不同的區(qū)別會有較大的性能差異。而性能指標之間往往存在制約，例如暗電流和輸出電流、靈敏度和響應(yīng)度、可靠性和靈敏度等需要權(quán)衡和折中。對于性能表征也是如此，高響應(yīng)度一定無法和高精度電流表征同時進行。
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  • 半導體全面分析（九）：四代半，氧化鎵，2025襯底外延，2030器件應(yīng)用！
    一般用禁帶寬度來區(qū)分半導體代際，不知道禁帶是啥的請移步半導體全面分析（一）：兩大特性，三大政策，四大分類！