硅芯片

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  • 氮化鎵芯片和硅芯片有什么區(qū)別？有什么優(yōu)勢(shì)？
    氮化鎵芯片是目前世界上速度最快的電源開(kāi)關(guān)器件之一。氮化鎵本身就是第三代材料，很多特性都強(qiáng)于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比，氮化鎵具有更好的擊穿能力、更高的密度和電子遷移率以及更高的工作溫度?？梢詭?lái)低損耗和高開(kāi)關(guān)頻率：低損耗可以減少導(dǎo)通電阻引起的熱量，高開(kāi)關(guān)頻率可以減小變壓器的體積并有助于減小充電器的體積和重量。同時(shí)，GaN具有更小的Qg，可以很容易地提高頻率，降低驅(qū)動(dòng)損耗。
  • 氮化鎵芯片未來(lái)會(huì)取代硅芯片嗎？
    氮化鎵?(GaN)?可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面?AC-DC?電源。Keep Tops?氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN?比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小的尺寸和更輕的重量。 傳統(tǒng)硅晶體管有兩種類(lèi)型的損耗：傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗。 功率晶體管是開(kāi)關(guān)電源中功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失，GaN?晶體管（取代舊的硅技術(shù)）的開(kāi)發(fā)已引起電力電子行業(yè)的關(guān)注。
  • 2nm，硅芯片終極之戰(zhàn)？
    盡管絕大部分半導(dǎo)體市場(chǎng)都被成熟制程占據(jù)，多數(shù)應(yīng)用領(lǐng)域并不需要用到更先進(jìn)的2nm制程，但各企業(yè)還是競(jìng)相追逐，甚至近日傳出日美兩大半導(dǎo)體大國(guó)要聯(lián)合研發(fā)2nm芯片的消息?！?nm現(xiàn)象”，值得深思。
  • 泛林硅部件推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展
    為了制造我們?nèi)粘Ｊ褂玫闹悄苁謾C(jī)、筆記本電腦等各種功能日新月異的電子設(shè)備，如今芯片制造商越來(lái)越需要采用極高深寬比的刻蝕工藝來(lái)生產(chǎn)3D閃存和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)芯片。
  • 英媒：英國(guó)政府或叫停安世收購(gòu)NWF案
    據(jù)英國(guó)《衛(wèi)報(bào)》7月27日?qǐng)?bào)道，被約翰遜聘請(qǐng)為英國(guó)脫歐后貿(mào)易顧問(wèn)的澳大利亞前總理托尼?阿博特（Tony Abbott）表示，他對(duì)安世半導(dǎo)體收購(gòu)NWF案啟動(dòng)審查感到鼓舞，并表示這意味著該起收購(gòu)可能會(huì)暫停。