碳化硅外延片

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  • 國(guó)內(nèi)第一！廣東半導(dǎo)體獨(dú)角獸沖刺IPO，華為比亞迪都投了
    12月24日?qǐng)?bào)道，昨日，廣東第三代半導(dǎo)體企業(yè)天域半導(dǎo)體的港交所主板IPO申請(qǐng)獲受理。華為哈勃科技、比亞迪、上汽集團(tuán)均是其股東。外延片是生產(chǎn)功率半導(dǎo)體的關(guān)鍵原材料，從最初的硅發(fā)展到以碳化硅及氮化鎵為代表的新一代材料。碳化硅外延片通常可用于新能源行業(yè)、軌道交通、智能電網(wǎng)、通用航空等領(lǐng)域。
    國(guó)內(nèi)第一！廣東半導(dǎo)體獨(dú)角獸沖刺IPO，華為比亞迪都投了
  • 速度快10倍！這項(xiàng)SiC技術(shù)提供降本新思路
    在第1-3期內(nèi)容中，“行家說三代半“介紹了日本電裝（Denso）的SiC長(zhǎng)晶核心技術(shù)（鏈接），今天這期內(nèi)容我們給大家剖一下他們和昭和電工（Resonac）的超快速SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)。
    速度快10倍！這項(xiàng)SiC技術(shù)提供降本新思路
  • 超結(jié)SiC新技術(shù)出爐，規(guī)?；慨a(chǎn)又進(jìn)一步
    近日，華威大學(xué)工程學(xué)院的一項(xiàng)突破性的研究提供了一種新的溝槽外延方法，該研究團(tuán)隊(duì)在1550°C的較低生長(zhǎng)溫度下，使用過飽和氯化化學(xué)方法重新填充4H-SiC的外延溝槽。這種方法帶來了2大好處：
    超結(jié)SiC新技術(shù)出爐，規(guī)模化量產(chǎn)又進(jìn)一步
  • 第三代半導(dǎo)體SiC動(dòng)態(tài)涌現(xiàn)！
    近日，化合物半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)頻頻，國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》正式對(duì)外發(fā)布，并將于今年年末開始實(shí)施。另外晶升股份研發(fā)出液相法碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備，多家碳化硅企業(yè)完成新一輪融資，多個(gè)碳化硅項(xiàng)目迎來最新進(jìn)展。
    第三代半導(dǎo)體SiC動(dòng)態(tài)涌現(xiàn)！
  • 8英寸碳化硅外延玩家+1！
    4月24日，據(jù)投中資本官微消息，南京百識(shí)電子科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱百識(shí)電子）近期宣布正式具備國(guó)產(chǎn)8英寸SiC外延片量產(chǎn)能力。至此，國(guó)內(nèi)8英寸SiC外延賽道又多了一個(gè)新玩家。
    8英寸碳化硅外延玩家+1！
  • 國(guó)內(nèi)碳化硅外延片市場(chǎng)簡(jiǎn)析
    隨著電動(dòng)汽車和新能源需求的持續(xù)擴(kuò)大，碳化硅功率半導(dǎo)體元件在各領(lǐng)域的滲透率呈現(xiàn)持續(xù)攀升之勢(shì)。對(duì)于碳化硅外延片環(huán)節(jié)，過去市場(chǎng)長(zhǎng)期由Resonac、Wolfspeed等國(guó)際大廠主導(dǎo)，中國(guó)廠商瀚天天成與天域半導(dǎo)體歷經(jīng)10余年積累，終隨新能源浪潮迎來業(yè)務(wù)高速增長(zhǎng)期，近年來全球市場(chǎng)份額得以迅速上升。
    國(guó)內(nèi)碳化硅外延片市場(chǎng)簡(jiǎn)析
  • 這4家SiC企業(yè)獲車規(guī)認(rèn)證，它們是？
    2024年以來，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)已有4家SiC企業(yè)順利通過車規(guī)認(rèn)證，拿下“汽車供應(yīng)鏈”的入場(chǎng)券： 蓉矽半導(dǎo)體：SiC MOSFET通過AEC-Q101、HV-H3TRB測(cè)試；●?鈞聯(lián)電子：SiC功率模塊通過AQG-324測(cè)試；● 海乾半導(dǎo)體：SiC外延獲得IATF16949、ISO9001認(rèn)證；● ?？瓢雽?dǎo)體：SiC外延通過IATF16949認(rèn)證。
    這4家SiC企業(yè)獲車規(guī)認(rèn)證，它們是？
  • 中國(guó)SiC外延片市場(chǎng)，繁榮與挑戰(zhàn)并存
    隨著電動(dòng)汽車和新能源需求的持續(xù)擴(kuò)大，碳化硅功率半導(dǎo)體元件在各領(lǐng)域的滲透率呈現(xiàn)持續(xù)攀升之勢(shì)。對(duì)于碳化硅外延片環(huán)節(jié)，過去市場(chǎng)長(zhǎng)期由Resonac、Wolfspeed等國(guó)際大廠主導(dǎo)，中國(guó)廠商瀚天天成與天域半導(dǎo)體歷經(jīng)10余年積累，終隨新能源浪潮迎來業(yè)務(wù)高速增長(zhǎng)期，近年來全球市場(chǎng)份額得以迅速上升。
    中國(guó)SiC外延片市場(chǎng)，繁榮與挑戰(zhàn)并存
  • 14.7億！這一年產(chǎn)30萬片SiC外延項(xiàng)目啟動(dòng)
    近日，賽達(dá)半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱賽達(dá)半導(dǎo)體）碳化硅（SiC）外延項(xiàng)目環(huán)評(píng)消息公示。公告顯示，該項(xiàng)目總投資約14.7億元，占地面積11979m2，總建筑面積7887m2，將租賃長(zhǎng)城汽車徐水分公司原有廠房和空地（華訊廠房），形成公司生產(chǎn)和研發(fā)廠房。項(xiàng)目擬購置外延設(shè)備、測(cè)試設(shè)備、清洗設(shè)備等主要生產(chǎn)、研發(fā)和附屬設(shè)備，先期產(chǎn)能1.5萬片/年，2027年規(guī)劃產(chǎn)能為30萬片/年。
    14.7億！這一年產(chǎn)30萬片SiC外延項(xiàng)目啟動(dòng)
  • 普興電子：SiC營(yíng)收/出貨均增500%，60%用于主驅(qū)
    回首2023，碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步？出現(xiàn)了哪些變化？2024將迎來哪些新機(jī)遇和新挑戰(zhàn)？本期嘉賓是普興電子總經(jīng)理 薛宏偉，薛總在訪談中分享了很多干貨：碳化硅外延出貨片超10萬片，同比增長(zhǎng)5倍，60%產(chǎn)品用于新能源汽車主驅(qū)逆變。2024年6英寸碳化硅產(chǎn)能約30萬片，主驅(qū)應(yīng)用占比預(yù)計(jì)超80%；2024年，8英寸產(chǎn)能達(dá)1萬片左右；碳化硅企業(yè)已超100多家，競(jìng)爭(zhēng)激烈。襯底可以進(jìn)一步降低成本，主要原材料價(jià)格在2023年同比降低30%。
    普興電子：SiC營(yíng)收/出貨均增500%，60%用于主驅(qū)
  • 2個(gè)項(xiàng)目，近40萬片！這家SiC企業(yè)沖刺投產(chǎn)
    近日，天域半導(dǎo)體2個(gè)SiC外延項(xiàng)目迎來封頂/擴(kuò)建，進(jìn)一步加速產(chǎn)能擴(kuò)充：東莞生態(tài)園廠區(qū)：項(xiàng)目一期預(yù)計(jì)今年5月試產(chǎn)，規(guī)劃年產(chǎn)能為17萬片；東莞松山湖廠區(qū)：第七次擴(kuò)產(chǎn)，項(xiàng)目將新增20萬片/年產(chǎn)能。
    2個(gè)項(xiàng)目，近40萬片！這家SiC企業(yè)沖刺投產(chǎn)
  • 瀚天天成IPO進(jìn)展更新！SiC企業(yè)爭(zhēng)上市
    上交所科創(chuàng)板官網(wǎng)顯示，1月24日，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：瀚天天成）申請(qǐng)上交所科創(chuàng)板上市審核狀態(tài)變更為“已問詢”。瀚天天成主要從事碳化硅外延晶片的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，產(chǎn)品用于制備碳化硅功率器件，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)及航空航天等領(lǐng)域。
    瀚天天成IPO進(jìn)展更新！SiC企業(yè)爭(zhēng)上市
  • 超23億！80萬片SiC項(xiàng)目即將建成
    2023年12月，廈門市生態(tài)環(huán)境局公布了瀚天天成《6-8 英寸 SiC 外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目（一期）的環(huán)境影響報(bào)告表》。文件透露，該項(xiàng)目預(yù)計(jì)新增216條SiC外延產(chǎn)線，產(chǎn)能高達(dá)80萬片。
    超23億！80萬片SiC項(xiàng)目即將建成
  • 這家SiC外延設(shè)備廠商開啟上市輔導(dǎo)
    1月9日，證監(jiān)會(huì)披露了關(guān)于深圳市納設(shè)智能裝備股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱納設(shè)智能)首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報(bào)告（以下簡(jiǎn)稱報(bào)告）。報(bào)告顯示，12月27日，納設(shè)智能與中信證券簽署了上市輔導(dǎo)協(xié)議。
    這家SiC外延設(shè)備廠商開啟上市輔導(dǎo)
  • SiC器件，中外現(xiàn)況
    近年來，以碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料備受關(guān)注，在禁帶寬度、擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率、電子飽和速率、抗輻射能力等關(guān)鍵參數(shù)方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，滿足了現(xiàn)代工業(yè)對(duì)高功率、高電壓、高頻率的需求。 碳化硅器件按照電阻性能的不同，可以分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅基射頻器件。 ①導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過在導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層，得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成，品種包括SBD（肖
    SiC器件，中外現(xiàn)況
  • 今日要聞 | 中國(guó)半導(dǎo)體初創(chuàng)投資過于偏重?zé)o廠企業(yè)；華為大量削減芯片采購量
    消費(fèi)電子訂單需求疲弱，IC設(shè)計(jì)業(yè)慘淡 2月7日消息，據(jù)中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，面對(duì)半導(dǎo)體庫存修正潮，PC、手機(jī)等消費(fèi)電子應(yīng)用目前都沒有看到明顯回暖跡象。 媒體指出，綜合多家 IC 設(shè)計(jì)廠商的看法，從供應(yīng)鏈的角度來看，今年筆記本電腦市場(chǎng)可能繼續(xù)衰退，手機(jī)客戶提供的市場(chǎng)預(yù)估也偏保守，消費(fèi)電子訂單需求依然疲弱，有廠商直言“現(xiàn)在幾乎沒有訂單能見度可言”。 ? 碳化硅外延片企業(yè)天域半導(dǎo)體獲12億
  • 碳化硅外延技術(shù)突破或改變產(chǎn)業(yè)格局
    第一代半導(dǎo)體材料主要是硅(Si)、鍺元素(Ge);第二代主要是化合物半導(dǎo)體材料;而第三代半導(dǎo)體，主要是二十一世紀(jì)以來以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石四種為代表的半導(dǎo)體材料，即高溫半導(dǎo)體材料。

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