揭秘碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造
眾所周知,對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來(lái)說(shuō),高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買(mǎi)得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買(mǎi)到,可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ),高性能的碳化硅器件對(duì)于器件的設(shè)計(jì)和制造工藝有著極高的要求,接下來(lái)我們來(lái)看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)和制造上都獲得了哪些進(jìn)展和成果。 Die Layout 下圖是一張制造測(cè)試完成了的SiC MOSFE