高溫環(huán)境下的MDD肖特基二極管設計 如何避免熱失效
在高溫環(huán)境下,肖特基二極管(Schottky Diode)以其低正向壓降和快速開關(guān)特性被廣泛應用于電源管理、電機驅(qū)動及新能源系統(tǒng)中。然而,由于其PN結(jié)被金屬-半導體接觸結(jié)構(gòu)取代,其溫度特性與普通PN結(jié)二極管存在顯著不同,特別是在高溫下,肖特基管的反向漏電流急劇上升,成為熱失效的主要隱患。因此,設計人員在高溫環(huán)境下使用肖特基二極管時,必須充分考慮其熱穩(wěn)定性與散熱策略。 首先,識別失效風險是設計的前提