ALD

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  • 一文了解原子層沉積(ALD)薄膜制備技術(shù)
    CVD?技術(shù)是一種在真空環(huán)境中通過襯底表面化學(xué)反應(yīng)來進(jìn)行薄膜生長的過程，較短的工藝時(shí)間以及所制備薄膜的高致密性，使?CVD?技術(shù)被越來越多地應(yīng)用于薄膜封裝工藝中無機(jī)阻擋層的制備。
    一文了解原子層沉積(ALD)薄膜制備技術(shù)
  • ALD（原子層沉積）與ALE（原子層刻蝕）的區(qū)別解析
    ALD（Atomic Layer Deposition）：原子層沉積是一種逐層生長薄膜的工藝。每個(gè)循環(huán)通過“自限性反應(yīng)”，將化學(xué)前體逐層吸附并反應(yīng)，沉積一個(gè)原子層的材料。目標(biāo)：構(gòu)建具有高均勻性、無缺陷、埃級(jí)厚度精度的薄膜。
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    01/17 08:40
    ALD
    ALD（原子層沉積）與ALE（原子層刻蝕）的區(qū)別解析
  • 原子層沉積（ALD, Atomic Layer Deposition）詳解
    ALD 是一種精確的薄膜沉積技術(shù)，其核心原理是利用化學(xué)反應(yīng)的“自限性”，以原子或分子層為單位逐層生長薄膜。具體過程包括：前體吸附：將化學(xué)前體（Precursor）引入反應(yīng)室，前體分子在襯底表面發(fā)生吸附，形成單分子層。
    原子層沉積（ALD, Atomic Layer Deposition）詳解
  • ALD,ALE與傳統(tǒng)技術(shù)相比的優(yōu)勢？
    學(xué)員問：ALD（原子層沉積），ALE（原子層刻蝕）與傳統(tǒng)的沉積，刻蝕技術(shù)相比，有什么優(yōu)勢？如上圖，先說第一行，第一行是傳統(tǒng)鍍膜與ALD效果的對(duì)比，傳統(tǒng)薄膜沉積方法如 PECVD 或 PVD等，在高深寬比結(jié)構(gòu)中，由于氣體進(jìn)出受到了物理限制，側(cè)壁和底部區(qū)域的沉積速率不同。
  • 先進(jìn)邏輯和3D存儲(chǔ)的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
    隨著集成電路制造不斷向更先進(jìn)工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴(kuò)大， 芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，所需要的薄膜層數(shù)越來越多，對(duì)絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產(chǎn)線，需要超過 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對(duì)于薄膜顆粒的要求也由微米級(jí)提高到納
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    2024/12/10
    先進(jìn)邏輯和3D存儲(chǔ)的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技