CMOS工藝

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CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。CMOS中的C表示“互補(bǔ)”，即將NMOS器件和PMOS器件同時制作在同一硅襯底上，制作CMOS集成電路。

CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。CMOS中的C表示“互補(bǔ)”，即將NMOS器件和PMOS器件同時制作在同一硅襯底上，制作CMOS集成電路。收起

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  • 為什么CMOS工藝都采用P型襯底(晶圓)呢？
    在集成電路制造領(lǐng)域，CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）工藝占據(jù)著絕對主導(dǎo)地位，而幾乎所有主流 CMOS 芯片都采用 P 型硅晶圓作為襯底。這種選擇并非偶然，而是源于半導(dǎo)體物理特性、制造工藝優(yōu)化、電氣性能平衡以及產(chǎn)業(yè)生態(tài)演進(jìn)的綜合結(jié)果。
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  • CMOS工藝-STI（淺溝槽隔離）
    學(xué)員問：能介紹STI工藝嗎？相比于LOCOS，STI工藝有哪些有點？什么是STI工藝？STI（Shallow Trench Isolation）淺溝槽隔離，先在硅片上刻蝕淺溝槽，然后填充氧化硅，形成電氣隔離層。主要作用是將CMOS的nMOSFET和pMOSFET隔離開，防止相互干擾。什么是LOCOS工藝？
    CMOS工藝-STI（淺溝槽隔離）
  • 聊聊高壓CMOS工藝
    高壓CMOS (HVCMOS) 是一種專門為處理高電壓應(yīng)用而設(shè)計的CMOS技術(shù)。HVCMOS技術(shù)因其能夠處理高壓且同時具備低壓CMOS電路的所有優(yōu)勢，使其在現(xiàn)代電子設(shè)備的各個領(lǐng)域中成為不可或缺的技術(shù)。無論是電源管理、汽車電子還是其他需要高壓處理的場景，HVCMOS都提供了一種高效、可靠的解決方案。
    聊聊高壓CMOS工藝
  • 不可忽視的閃爍噪聲
    當(dāng)器件內(nèi)部，載流子在不連續(xù)的材料上移動時，會隨機(jī)的遭遇到捕獲和釋放，進(jìn)而產(chǎn)生閃爍噪聲。比如，MOS管中柵極的氧化層與硅介質(zhì)層之間，就存在不連續(xù)性。
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  • 爍科中科信：離子注入機(jī)國產(chǎn)替代步伐提速
    2020年6月15日，爍科中科信宣布，12英寸中束流離子注入機(jī)順利搬入集成電路大產(chǎn)線，此舉標(biāo)志著國產(chǎn)離子注入機(jī)市場化進(jìn)程邁向新臺階