GaN FET

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  • Nexperia針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
    基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專(zhuān)有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。經(jīng)過(guò)二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規(guī)模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專(zhuān)業(yè)知識(shí)，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應(yīng)用于級(jí)聯(lián)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管（GaN FET），Nexperia對(duì)此感到非常自豪。
    Nexperia針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
  • Transphorm推出SuperGaN FET 的低成本驅(qū)動(dòng)器解決方案
    Transphorm FET 使用簡(jiǎn)單的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)了高達(dá) 99% 的效率，驗(yàn)證了在超過(guò) 1 kW 的寬功率范圍內(nèi)具有成本效益的設(shè)計(jì)方案 新世代電力系統(tǒng)的未來(lái), 氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅(qū)動(dòng)器解決方案。這款設(shè)計(jì)方案面向中低功率的應(yīng)用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦，
  • EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機(jī)驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)
    基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設(shè)計(jì)增強(qiáng)了高功率應(yīng)用的電機(jī)系統(tǒng)性能、精度、扭矩和可實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的續(xù)航里程。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動(dòng)滑板車(chē)、小型電動(dòng)汽車(chē)、農(nóng)業(yè)機(jī)械、叉車(chē)和大功率無(wú)人機(jī)等應(yīng)用。 EPC9186在每個(gè)開(kāi)關(guān)
  • EPC GaN FET配以ADI控制器 可實(shí)現(xiàn)具有最高功率密度的穩(wěn)壓DC/DC轉(zhuǎn)換器
    宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)和Analog Devices(ADI)公司攜手新推的參考設(shè)計(jì)采用經(jīng)過(guò)全面優(yōu)化的新型模擬控制器來(lái)驅(qū)動(dòng)EPC的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可實(shí)現(xiàn)超過(guò)96.5%的效率。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布新推EPC9158，這是一款工作在500 kHz開(kāi)關(guān)頻率的雙輸出同步降壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)，可將48 V~54 V的輸入電壓轉(zhuǎn)換為12 V穩(wěn)壓輸出，可提供高達(dá)每相25 A電流或50 A總連續(xù)
  • Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET
    基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級(jí)聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計(jì)人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mo
    Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET
  • EPC新推200 V、10 mΩ、采用QFN封裝的GaN FET， 實(shí)現(xiàn)高效靈活設(shè)計(jì)
    宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出 200 V、10 mΩ的EPC2307，完善了額定電壓為 100V、150 V和200 V的6個(gè)GaN晶體管系列，提供更高的性能、更小的解決方案和易于設(shè)計(jì)的DC/DC 轉(zhuǎn)換、AC/DC SMPS和充電器、太陽(yáng)能優(yōu)化器和微型逆變器，以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。 全球增強(qiáng)型氮化鎵FET和IC領(lǐng)導(dǎo)者EPC推出 200 V、10 mΩ的EPC2307，采用耐熱增強(qiáng)型QFN封裝，占位面積
  • 使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
    在許多應(yīng)用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實(shí)現(xiàn)的性能，使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。
  • EPC開(kāi)拓"GaN Talk支持論壇"平臺(tái)
    宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布新推"GaN Talk支持論壇"，為工程師提供產(chǎn)品信息和技術(shù)支持，從而了解氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。該論壇專(zhuān)為工程師、工程專(zhuān)業(yè)學(xué)生和所有氮化鎵技術(shù)愛(ài)好者而設(shè)，為用戶(hù)答疑解難和提供互相交流的平臺(tái)。
  • EPC與ADI攜手推出基于GaN FET的最高功率密度DC/DC轉(zhuǎn)換器 可實(shí)現(xiàn)2 MHz的開(kāi)關(guān)頻率
    EPC公司和ADI公司推出參考設(shè)計(jì)，采用全面優(yōu)化的新型模擬控制器來(lái)驅(qū)動(dòng)EPC的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)。新型模擬LTC7890同步氮化鎵降壓控制器與EPC的超高效eGaN?FET相結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)2 MHz的開(kāi)關(guān)頻率。
  • EPC與MPS合作開(kāi)發(fā)基于新型GaN FET的2 kW、穩(wěn)壓輸出電壓、48 V/14 V轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)
    宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC9165，這是一款2 kW、兩相48 V/14 V雙向轉(zhuǎn)換器，在小尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)97%的峰值效率，非常適合具有高密度和高功率的48 V電池組，例如電動(dòng)和輕型運(yùn)輸所需的電池組。

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