HBM3

• HBM3E時代到來，三星電子依然焦慮

  進入8月，有傳聞稱，韓國存儲芯片巨頭三星電子（以下簡稱“三星”）的8層HBM3E內存（高帶寬內存新一代產(chǎn)品）已通過英偉達測試。對此，三星回應：與事實相距甚遠。其相關人員表示：“我們不能證實與我們客戶相關的傳聞，但這個報道不是真的。正如我們上個月電話會議上所說的，質量測試還在進行中，在那之后還沒有取得更多進展。”這番解釋中，依然能看到HBM3E內存產(chǎn)品是三星打入英偉達產(chǎn)品鏈的“敲門磚”。

  中國電子報

  895

  2024/08/22

  三星電子 HBM3

  
• HBM新戰(zhàn)局，半導體存儲廠商們準備好了嗎？

  在半導體存儲領域，參與HBM市場競爭的存儲廠商主要為SK海力士、三星和美光，三者的競爭已經(jīng)延續(xù)到HBM3e。而近日，行業(yè)標準制定組織固態(tài)技術協(xié)會JEDEC宣布HBM4即將完成的消息引發(fā)了業(yè)界關注，這似乎也預示著HBM領域新的戰(zhàn)場已經(jīng)開啟...

  全球半導體觀察

  1693

  2024/07/16

  HBM 存儲廠商

  
• SK海力士官宣：HBM3E良率已達80%！

  SK海力士宣布，其第五代高帶寬存儲器HBM3E的良率已達到80%。這遠遠超出了業(yè)界預期的60~70%。良品率是正常產(chǎn)品減去不良品的比率，“80%的良品率”意味著生產(chǎn)的100個產(chǎn)品中有80個是正常的。

  芯片說 IC TIME

  2034

  2024/05/23

  SK海力士 HBM3

  
• 這一次，三星被臺積電卡脖子了

  在晶圓代工領域，三星與臺積電是純粹的競爭關系，但在存儲芯片市場，作為行業(yè)霸主，三星卻不得不尋求與臺積電深入合作，這都是英偉達惹的禍。

  半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

  1864

  2024/05/21

  臺積電 三星電子

  
• 三星成立HBM3E特別工作組，搶500億大單

  三星電子為了向英偉達提供新一代高帶寬存儲器（HBM），投入了400多名半導體ACE（最高水平的）員工?！叭请娮訛榇蛲ㄌ囟蛻艄就度脒@么多人力，實屬史無前例?！庇蟹治稣J為，只有抓住“英偉達”才能掌握市場主導權，所以三星動員了公司的全部力量。

  芯片說 IC TIME

  1103

  2024/05/13

  HBM HBM3

  
• HBM3E起飛，沖鋒戰(zhàn)鼓已然擂響

  HBM即高帶寬內存，是一款新型的CPU/GPU內存芯片。如果說傳統(tǒng)的DDR就是采用的"平房設計"方式，那么HBM則是采用"樓房設計"方式。目前，HBM產(chǎn)品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發(fā)。

  半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

  4237

  2024/04/01

  HBM HBM3

  
• 價格暴漲500%，HBM市場徹底被引爆

  內存技術作為計算機系統(tǒng)的核心組成部分，其性能的提升對于整體計算能力的提升至關重要。在這個背景下，高帶寬內存（HBM）以其卓越的性能表現(xiàn)，正逐漸在內存技術領域嶄露頭角，成為推動計算領域進入全新時代的關鍵力量。

  半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

  1977

  2024/02/23

  HBM 內存

  
• Rambus推9.6 Gbps HBM3內存控制器IP，直擊AI訓練內存墻痛點

  oe Salvador認為：“確實，當前市場上幾家主流的內存廠商都宣稱有HBM3e內存，但從規(guī)格的角度上來講，目前所說的HBM3e還不是正式的行業(yè)標準，它是在HBM3基礎上的拓展，比較HBM3E和HBM3，可以發(fā)現(xiàn)其實堆棧的厚度沒有變化，支持的DRAM容量也沒有變化，變化的知識總帶寬?！?/div>

  夏珍

  2644

  2023/12/18

  與非觀察 Rambus

  
• 各原廠預期2024年第一季于NVIDIA完成HBM3e產(chǎn)品驗證；而HBM4預計2026年推出

  為了更妥善且健全的供應鏈管理，NVIDIA也規(guī)劃加入更多的HBM供應商，其中三星（Samsung）的HBM3（24GB）預期于今年12月在NVIDIA完成驗證。而HBM3e進度依據(jù)時間軸排列如下表所示，美光（Micron）已于今年7月底提供8hi（24GB）NVIDIA樣品、SK海力士（SK hynix）已于今年8月中提供8hi（24GB）樣品、三星則于今年10月初提供8hi（24GB）樣品。

  與非網(wǎng)編輯

  1589

  2023/11/27

  AI芯片 NVIDIA

  
• 英偉達H200帶寬狂飆！HBM3e/HBM3時代即將來臨

  當?shù)貢r間11月13日，英偉達（NVIDIA）宣布推出NVIDIA HGX? H200，旨為世界領先的AI計算平臺提供強大動力，將于2024年第二季度開始在全球系統(tǒng)制造商和云服務提供商處提供。

  全球半導體觀察

  1716

  2023/11/15

  存儲器 HBM3

  
• 受AI加速芯片新品帶動，HBM3與HBM3e將成為2024年HBM市場主流

  2023年HBM（High Bandwidth Memory）市場主流為HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多數(shù)CSPs自研加速芯片皆以此規(guī)格設計。同時，為順應AI加速器芯片需求演進，各原廠計劃于2024年推出新產(chǎn)品HBM3e，預期HBM3與HBM3e將成為明年市場主流。

  與非網(wǎng)編輯

  1983

  2023/08/01

  NVIDIA HBM

  
• 美光推出性能更出色的大容量高帶寬內存 (HBM) 助力生成式人工智能創(chuàng)新

  業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3，帶寬超過1.2TB/s，先進的1β制程節(jié)點提供卓越能效 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開始出樣業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內存，其帶寬超過1.2TB/s，引腳速率超過9.2Gb/s，比當前市面上現(xiàn)有的HBM3解決方案性能可提升最高50%。美光第二代HBM3產(chǎn)品

  與非網(wǎng)編輯

  1884

  2023/07/27

  人工智能 臺積電

  
• 高帶寬內存HBM需求猛漲，原因還是……

  ChatGPT已經(jīng)從下游AI應用“火”到了上游芯片領域，在將GPU等AI芯片推向高峰之外，也極大帶動了市場對新一代內存芯片HBM（高帶寬內存)的需求。據(jù)悉，2023年開年以來三星、SK海力士的HBM訂單就快速增加，價格也水漲船高。有市場人士透露近期HBM3規(guī)格DRAM價格上漲了5倍。這也為寒冬中的存儲器市場帶來了一抹春色。

  中國電子報

  1009

  2023/02/27

  存儲芯片 HBM
• 深度丨巨頭領跑，HBM3時代來臨

  ·聚焦:人工智能、芯片等行業(yè)

  AI芯天下

  1313

  2023/01/12

  存儲器 HBM3
• 數(shù)據(jù)中心即將進入HBM3時代

  SK海力士宣布公司已經(jīng)量產(chǎn)了HBM3 DRAM芯片，并將供貨英偉達。因此英偉達的Tensor Core GPU將成為首先配備HBM3 DRAM的GPU。

  半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

  298

  2022/07/05

  數(shù)據(jù)中心 HBM3
• SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM

  SK海力士(或“公司”，www.skhynix.com) 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。

  美通社

  147

  2021/10/20

  美通社 dram
• Rambus推出支持HBM3的內存子系統(tǒng)，速率可達8.4Gbps，助力AI/ML性能提升

  作為業(yè)界領先的芯片和IP核供應商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達克股票代碼：RMBS）今日宣布推出支持HBM3的內存接口子系統(tǒng)，內含完全集成的PHY和數(shù)字控制器。

  與非網(wǎng)編輯

  97

  2021/08/25

  數(shù)據(jù)傳輸 Rambus

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