MOSFET技術

在上一篇文章《國內外人形機器人用MCU對比分析》中，我們對國內外人形機器人用MCU廠家進行了對比分析。今日，我們再來聊聊一家以自主研發(fā)為核心的（BLDC）電機驅動芯片公司——峰岹科技。 峰岹科技與大多數(shù)競爭對手采用的ARM 內核架構不同，公司從底層架構上將芯片設計、電機驅動架構、電機技術三者有效融合，用算法硬件化的技術路徑在芯片架構層面實現(xiàn)復雜的電機驅動控制算法，形成自主知識產權的電機驅動控制處理

SiC 器件性能表現(xiàn)突出，能實現(xiàn)高功率密度設計，有效應對關鍵環(huán)境和能源成本挑戰(zhàn)，也因此越來越受到電力電子領域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 器件的運行頻率更高，有助于實現(xiàn)高功率密度設計、減少散熱、提高能效，并減輕電源轉換器的重量。其獨特的材料特性可以減少開關和導通損耗。與 Si MOSFET 相比，SiC 器件的電介質擊穿強度更高、能量帶隙更寬且熱導率更優(yōu)，有利于開發(fā)更緊湊、更高效的電源轉換器。

工業(yè)電機需要可靠、高效的電源解決方案。這款采用SiC（碳化硅）MOSFET技術設計的三相逆變器代表著在滿足現(xiàn)代工業(yè)應用的功率和效率需求方面邁出了重要一步。SiCMOSFET因其降低導通電阻和增加擊穿電壓的能力而受到認可，使其成為高壓、高效應用的理想選擇。在本文中，我們將介紹逆變器的規(guī)格、關鍵組件和操作功能。

KLV2002采用光耦合MOSFET技術，在輸入和輸出之間提供3750Vrms的隔離，以確保在高壓環(huán)境下安全運行。其隔離屏障由輸入側的高效GaAlAs紅外LED和輸出側的MOSFET組成，實現(xiàn)無電接觸的信號傳輸。

PCD2203 是一款 3.8V-24V 的寬輸入電壓范圍同步降壓轉換器，擁有 30V 輸入過壓保護，能夠驅動 0.8A 的負載。內部集成兩個低 RDSON 功率管，可減小導通損耗，提高效率。該芯片采用峰值電流模式控制，可以實現(xiàn)優(yōu)秀動態(tài)性能，也使得外圍補償電路簡單，由于開關頻率固定為 600K，可以選用小尺寸電感、電容，以及小尺寸的 SOT23- 6L 封裝，可以實現(xiàn)小尺寸的電源解決方案。具有15uA 靜態(tài)工作電流與 2uA 關斷電流，適用于低功耗要求的供電系統(tǒng)。PCD2203 具有逐周期限流打嗝的 OCP 保護，輸入 OVP 以及熱關斷功能。