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NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲設備，在不超過4GB的低容量應用中表現得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術，即斷電后仍能保存數據。它的發(fā)展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。

NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲設備，在不超過4GB的低容量應用中表現得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術，即斷電后仍能保存數據。它的發(fā)展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。收起

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  • 《元器件動態(tài)周報》——受益于AI推動，HBM&LDDDR5供不應求
    核心觀點 受益于AI基礎設施投資的持續(xù)推動，2025年5月整體存儲器件的需求在向好，HBM以及LDDDR5需求強烈，預計維持至少一整年； 得益原廠減產以及數月來持續(xù)的庫存消耗，存儲庫存逐步維持平衡，但HBM以及LDDDR5仍供不應求； 受傳統(tǒng)消費終端季節(jié)性疲軟影響，低端存儲價格穩(wěn)定，但受益于AI設施及AI應用的推動，HBM、LDDDR5以及LPDDR4價格維持高位甚至略漲。 三大維度解讀存儲器件最
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    06/03 09:37
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  • [存儲現貨行情] DRAM資源供應緊張；NAND緊缺推漲價格?
    DRAM現貨市場情況:DDR4現貨市場持續(xù)呈現強勁需求，供應緊張的局面。 尤其以SK Hynix與Samsung品牌的8Gb與16Gb顆粒供應緊張尤為突出。
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    05/12 10:00
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  • 《元器件動態(tài)周報》——高關稅困擾下的存儲市場表現
    核心觀點 2025年4月份存儲市場整體存儲器件需求穩(wěn)步增長，部分器件在四方維商品動態(tài)商情需求指數中環(huán)比上漲； 整體庫存水位持續(xù)下降，NAND和傳統(tǒng)DRAM交貨時間不斷延長； 受關稅影響，原材料成本上揚傳導至現貨成品端，推動現貨市場部分存儲價格走強。 三大維度解讀存儲器件最新供需動態(tài) 市場需求分析 4月，四方維商品動態(tài)商情存儲需求指數環(huán)比上升7.38%，同比下降-29.71%。 小型語言模型的興起，
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    04/24 08:04
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  • 產業(yè)丨存儲市場再變，開始漲價浪潮！
    由于去年NAND產品價格低迷，為預防供過于求的問題，美光、三星、SK海力士、鎧俠等公司自2024年第四季度起陸續(xù)實施了減產措施。盡管減產的幅度不及之前，但這些措施緩解了市場供需失衡的狀況。此前，分析機構預測2025年上半年NAND價格將持續(xù)下跌，直至下半年才可能有所改善。
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  • 存儲芯片，正式漲價
    今日，存儲芯片正式開始漲價浪潮。自此，存儲市場長達多半年的低迷態(tài)勢，終于迎來轉折。存儲芯片的兩大主力產品?NAND?與?DRAM，在新一季度的市場表現也各不相同。
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  • ZLG嵌入式筆記(連載32) | 拯救NAND/eMMC：延長閃存壽命
    隨著電子設備的廣泛應用，NAND閃存和eMMC作為主流存儲介質，其使用壽命受到廣泛關注。本文將探討其損壞的軟件原因，并提供延長使用壽命的實用方法。
  • 存儲市場復蘇，關鍵看AI
    存儲市場新一輪的逆風，始于2024年下半年。邁入 2025 年 3 月，市場已顯露出一些微妙變化。近日，全球知名存儲芯片廠商閃迪向客戶發(fā)出漲價函，宣布自 4 月 1 日起，旗下產品將全面漲價，整體漲幅超 10%，此次調價覆蓋所有渠道及消費類產品。閃迪還透露，將持續(xù)審查定價，后續(xù)季度或有額外漲幅。
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  • 《元器件動態(tài)周報》——AI需求打開高性能存儲空間
    核心觀點 2025年3月份存儲市場已經從供過于求轉向部分企穩(wěn)回升，整體存儲器件需求上升，部分器件在四方維商品動態(tài)商情需求指數中環(huán)比上漲； 交付周期和庫存均呈現下降趨勢，市場逐步回暖； AI設備的需求帶動大容量存儲價格小幅上漲。 三大維度解讀存儲器件最新供需動態(tài) 市場需求分析 3月，四方維商品動態(tài)商情存儲需求指數環(huán)比上升19.44%，同比下降31.94%，至88.97。 供需局面逐漸改善，AI設備的
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    03/11 08:38
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  • NAND閃存芯片，進入第十代！
    隨著人工智能、大模型、云計算等新興技術的飛速發(fā)展，市場對NAND閃存的存儲性能要求也在不斷提高，各大廠商都在積極推進NAND閃存的研發(fā)，越來越多有關第十代NAND閃存技術的消息撲面而來，第十代NAND閃存的技術之爭正在拉開帷幕。
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  • 640億晶圓大廠，SK海力士下月接管
    SK海力士將于3月完成對英特爾NAND業(yè)務的收購，并加速業(yè)務多元化。英特爾NAND的核心產品是企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD），SK海力士將全權接管該部門。
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  • 昂科燒錄器支持XTX芯天下的SPI NAND閃存XT26G11DWS
    芯片燒錄領導者昂科技術近期揭曉了其燒錄軟件的最新升級，并發(fā)布了新增兼容芯片型號的列表。在此次升級中，芯天下（XTX）推出的SPI NAND閃存XT26G11DWS已被昂科的燒錄工具脫機編程器AP8000納入支持范圍。XT26G11DWS是一款具有先進寫保護機制的1G位(128M字節(jié))SPI(串行外設接口)NAND閃存。XT26G11DWS支持標準串行外設接口(SPI)，并具有雙/四I/O選項。XT
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  • 跌跌不休，NAND進入新一輪減產期
    近日，美國存儲芯片大廠美光發(fā)布的最新財報顯示，其2025財年第一季度（截至2024年11月）總營收87.1億美元，同比上升84.3%，符合市場預期。但從細分業(yè)務來看，美光的DRAM和NAND業(yè)務在環(huán)比層面卻有明顯分化，其中DRAM業(yè)務環(huán)比增長20%，而NAND業(yè)務卻下滑了5%，主要原因是受到了手機、汽車及工業(yè)等市場需求持續(xù)走低的影響。美光預計2025財年第二季度NAND出貨量仍將環(huán)比下降，并且影響公司下一季度業(yè)績。美光執(zhí)行副總裁首席財務官Mark Murphy表示：“在NAND業(yè)務方面，我們正在采取迅速而果斷的行動來降低資本支出并削減晶圓產量?！?/div>
    跌跌不休，NAND進入新一輪減產期
  • 存儲大廠預警NAND增長不及預期，高端DRAM等被押注
    近日，存儲大廠美光、三星紛紛披露最新市況。美光方面披露將投資21.7億美元擴大其DRAM內存生產，近期其也公布了2025財年第一季度（2024年9月至2024年11月）的業(yè)績報告，該季營收較為亮眼，但美光對于下一季度的預測，體現了其對存儲市場的隱憂，美光表示NAND閃存市場正遭遇前所未有的挑戰(zhàn)；另外三星電子方面也將調整DRAM未來研發(fā)策略。
    存儲大廠預警NAND增長不及預期，高端DRAM等被押注
  • 明年存儲，令人憂心
    存儲價格，時漲時落。在2024年下半年，存儲行業(yè)再度步入下行周期，其價格后續(xù)的發(fā)展態(tài)勢引發(fā)了廣泛關注。至2025年，存儲價格究竟會走向何方？是延續(xù)下行趨勢，還是觸底反彈？
    明年存儲，令人憂心
  • Samsung、Hynix、Micron存儲器御三家財務數據統(tǒng)計及2025年預測
    之前，我已經做了全球存儲器市場的統(tǒng)計和預測了。后來和行業(yè)人士核對了一下我的預測結論，大方向上彼此還是基本一致的：明年無論DRAM還是NAND的價格都會出現下跌，但出貨量的上漲會有一些對沖作用；明年HBM的市場大約會占DRAM市場的10%左右，對整體市場規(guī)模會有一些支撐
    Samsung、Hynix、Micron存儲器御三家財務數據統(tǒng)計及2025年預測
  • 存儲大廠獲數百億補貼擴產尖端DRAM，最新市況如何？
    近日美光表示獲得美國61.65億美元（約為人民幣450億元）的直接資金資助，計劃用于加強尖端DRAM供應能力。兩個月時間里，美國芯片法案補貼計劃已公布9家。另外近日存儲市場動態(tài)頻頻，三星、Marvell、鎧俠等相繼披露了最新進展。
    存儲大廠獲數百億補貼擴產尖端DRAM，最新市況如何？
  • 存儲廠商沒有笑出雙十一
    國內市場DRAM現貨價格在整個11月份持續(xù)走低，尤其是DDR4受到的沖擊尤為嚴重。相比之下，NAND閃存價格顯示出穩(wěn)定跡象。業(yè)內估計，雙十一期間 DRAM 模組整體銷量與 2023 年同期相比下降約 20%。單位銷量下降 16%，平均售價下降約 9%。在產品價格貢獻方面，2024年雙十一期間，SSD的銷售表現已超越DRAM模組。今年雙十一，長江存儲旗下的致態(tài)品牌表現亮眼，在京東實現了SSD品類交易總額（GMV）和銷量的雙料第一，超過了三星。
    存儲廠商沒有笑出雙十一
  • 全球半導體存儲器市場統(tǒng)計分析及預測（2024-Q3）
    今天講講半導體存儲器器件（DRAM、NAND）的市場數據。過去，我一直是直接把DramExchange公布的季度市場數據拿過來參考使用的。不過最近我扒了三星、海力士、美光的財報以后，發(fā)現這幾家財報上公布的數據和DramExchange的數據有些許差異，而且這些差異也并不僅僅是匯率換算的問題導致的
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    2024/12/03
    全球半導體存儲器市場統(tǒng)計分析及預測（2024-Q3）
  • 越制裁，越強大！重要性比肩光刻機的刻蝕設備——北方華創(chuàng)
    美日荷相繼加大對華半導體設備出口限制，國產替代迫在眉睫。盡管中國是全球最大半導體消費市場，但本土化缺口明顯，2023 年芯片自產率僅 20%、半導體設備國產化率為 35%、高端刻蝕機等關鍵領域國產化率不足 10%。隨著國產晶圓廠的逆勢擴張、海外制裁趨緊，本土半導體設備廠商有望擴大份額，預計2025年國產化率將達50%。 前面文章我們分析了國產半導體設備龍頭之一的中微公司，今天我們繼續(xù)深入研究半導體
    1.4萬
    2024/11/26
    越制裁，越強大！重要性比肩光刻機的刻蝕設備——北方華創(chuàng)
  • 明年將進入400層NAND時代
    繼在高帶寬內存（HBM）市場占據領先地位之后，SK 海力士還在 NAND 閃存領域對三星電子構成威脅。盡管它在市場份額方面仍然落后，但它在垂直堆疊單元的堆疊技術方面處于領先地位，這預示著 NAND 市場將發(fā)生翻天覆地的變化。
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    2024/11/25
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