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動態(tài)隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。

動態(tài)隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。收起

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  • 全球存儲器市場營收排名及趨勢預測（20205-Q1）
    最近，隨著全球主要存儲器廠商公布了今年Q1的財務數(shù)據(jù)，我也根據(jù)各方面數(shù)據(jù)整理了一系列最新營收排名表和趨勢圖，供大家參考：1）Samsung、SK Hynix和Micron的數(shù)據(jù)來自各家官網(wǎng)發(fā)布的財報。其數(shù)據(jù)和DrameXchange發(fā)布的數(shù)據(jù)存在微小差異，所以我選擇以財報數(shù)據(jù)為準。 2）Samsung的財報數(shù)據(jù)里存儲器營收沒有區(qū)分DRAM和NAND，所以我根據(jù)DrameXchange的數(shù)據(jù)，按照比
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    06/24 15:26
    全球存儲器市場營收排名及趨勢預測（20205-Q1）
  • 突發(fā)！千億晶圓廠項目推遲
    SK海力士在投資擴大其尖端DRAM和HBM（高帶寬存儲器）產(chǎn)能方面持謹慎態(tài)度。據(jù)悉，該公司推遲了原定的提前將設備引入新工廠的計劃，今年整體設備投資規(guī)模的最終確定時間也被推遲。
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    06/19 10:50
    突發(fā)！千億晶圓廠項目推遲
  • DRAM，開啟30年“新賭局”
    DRAM制程如何突破?10nm？這曾是困擾行業(yè)的共同課題。近日，SK海力士帶來了它的答案。本周，2025年IEEE VLSI?研討會在日本東京舉行，會議上SK海力士提出了未來30年的新?DRAM?技術路線圖。SK?海力士表示，4F2?VG和3D DRAM技術將應用于10nm及以下級內(nèi)存。
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  • NAND閃存有壽命，那DRAM內(nèi)存也有壽命說法嗎？
    這是一個NAND閃存的Cell，也就是用來存儲數(shù)據(jù)的單元。NAND?閃存的存儲單元是浮柵晶體管，通過電子注入和釋放實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲。其?“壽命”?核心是擦寫次數(shù)（P/E Cycle）。
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  • 研報 | 需求升溫促使2Q25 Server與PC DDR4模組合約價漲幅擴大
    根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，由于受到DRAM主要供應商將逐漸收斂Server和PC DDR4產(chǎn)出，以及買方積極提前備貨等因素，支撐第二季Server與PC DDR4模組價格上漲，預估漲幅將優(yōu)于先前預期，分別季增18-23%和13-18%。
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  • 需求升溫促使2Q25 Server與PC DDR4模組合約價漲幅擴大
    由于受到DRAM主要供應商將逐漸收斂Server和PC DDR4產(chǎn)出，以及買方積極提前備貨等因素，支撐第二季Server與PC DDR4模組價格上漲，預估漲幅將優(yōu)于先前預期，分別季增18-23%和13-18%。 DDR4世代的生命周期已超過10年，需求逐步由DDR5取代，加上HBM、DDR5、LPDDR5(X)等產(chǎn)品的利潤率皆明顯較高，各主要供應商已規(guī)劃終止生產(chǎn)DDR4，最后出貨時間大約落在202
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  • 研報 | 2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元
    根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季由于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價下跌，加上HBM出貨規(guī)模收斂，DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元，季減5.5%。在平均銷售單價方面，由于Samsung（三星）更改HBM3e產(chǎn)品設計，HBM產(chǎn)能排擠效應減弱，促使下游業(yè)者去化庫存，導致多數(shù)產(chǎn)品合約價延續(xù)2024年第四季以來的跌勢。
    研報 | 2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元
  • 2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元
    2025年第一季由于一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價下跌，加上HBM出貨規(guī)模收斂，DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元，季減5.5%。在平均銷售單價方面，由于Samsung（三星）更改HBM3e產(chǎn)品設計，HBM產(chǎn)能排擠效應減弱，促使下游業(yè)者去化庫存，導致多數(shù)產(chǎn)品合約價延續(xù)2024年第四季以來的跌勢。 展望2025年第二季，隨著PC OEM和智能手機業(yè)者陸續(xù)完成庫存去化，并積
    2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元
  • 《元器件動態(tài)周報》——受益于AI推動，HBM&LDDDR5供不應求
    核心觀點 受益于AI基礎設施投資的持續(xù)推動，2025年5月整體存儲器件的需求在向好，HBM以及LDDDR5需求強烈，預計維持至少一整年； 得益原廠減產(chǎn)以及數(shù)月來持續(xù)的庫存消耗，存儲庫存逐步維持平衡，但HBM以及LDDDR5仍供不應求； 受傳統(tǒng)消費終端季節(jié)性疲軟影響，低端存儲價格穩(wěn)定，但受益于AI設施及AI應用的推動，HBM、LDDDR5以及LPDDR4價格維持高位甚至略漲。 三大維度解讀存儲器件最
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    06/03 09:37
    《元器件動態(tài)周報》——受益于AI推動，HBM&LDDDR5供不應求
  • 三星1c DRAM大擴產(chǎn)，加速HBM4量產(chǎn)
    據(jù)悉，三星電子繼平澤工廠之后，已制定計劃在華城工廠建設1c DRAM（第6代10nm級DRAM）量產(chǎn)線。預計該項投資最早將于今年年底完成，此舉被解讀為反映了公司內(nèi)部對提高收益率的信心。
    三星1c DRAM大擴產(chǎn)，加速HBM4量產(chǎn)
  • DRAM芯片，“甜蜜點”已至
    4月，存儲芯片似乎迎來行業(yè)的轉(zhuǎn)折點。月初，筆者曾報道過閃迪、美光等公司開啟漲價潮。月尾，來自市場研究機構的統(tǒng)計數(shù)據(jù)給這個月存儲芯片的價格走勢做了總結。
    DRAM芯片，“甜蜜點”已至
  • [存儲現(xiàn)貨行情] DRAM資源供應緊張；NAND緊缺推漲價格?
    DRAM現(xiàn)貨市場情況:DDR4現(xiàn)貨市場持續(xù)呈現(xiàn)強勁需求，供應緊張的局面。 尤其以SK Hynix與Samsung品牌的8Gb與16Gb顆粒供應緊張尤為突出。
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    05/12 10:00
    [存儲現(xiàn)貨行情] DRAM資源供應緊張；NAND緊缺推漲價格?
  • 國際形勢變化帶動拉貨潮，預估2Q25存儲器合約價漲幅將擴大
    近期國際形勢變化已實質(zhì)改變存儲器供需方操作策略。TrendForce資深研究副總吳雅婷表示，由于買賣雙方急于完成交易、推動生產(chǎn)出貨，以應對未來市場不確定性，預期第二季存儲器市場的交易動能將隨之增強。 基于對未來國際形勢走向不明的擔憂，采購端普遍秉持“降低不確定因素、建立安全庫存”的策略，積極提高DRAM和NAND Flash的庫存水位。 TrendForce集邦咨詢表示，受到積極備貨潮帶動，第二季
    國際形勢變化帶動拉貨潮，預估2Q25存儲器合約價漲幅將擴大
  • 存儲芯片，正式漲價
    今日，存儲芯片正式開始漲價浪潮。自此，存儲市場長達多半年的低迷態(tài)勢，終于迎來轉(zhuǎn)折。存儲芯片的兩大主力產(chǎn)品?NAND?與?DRAM，在新一季度的市場表現(xiàn)也各不相同。
    存儲芯片，正式漲價
  • 研報 | 下游客戶庫存去化順利，預計2Q25 DRAM價格跌幅將收斂
    根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應國際形勢變化，此舉有助供應鏈中DRAM的庫存去化。展望第二季，預估Conventional DRAM（一般型DRAM）價格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預計均價為季增3%至8%。
    研報 | 下游客戶庫存去化順利，預計2Q25 DRAM價格跌幅將收斂
  • 下游客戶庫存去化順利，預計2Q25 DRAM價格跌幅將收斂
    2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應國際形勢變化，此舉有助供應鏈中DRAM的庫存去化。展望第二季，預估Conventional DRAM（一般型DRAM）價格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預計均價為季增3%至8%。 PC DRAM、Server DRAM價格皆持平上季 因應國際形勢變化，各主要PC OEM要求ODM提高整機組裝量，將加速去化
    下游客戶庫存去化順利，預計2Q25 DRAM價格跌幅將收斂
  • 芯片制造為什么需要High-K材料
    DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）是一種常見的內(nèi)存芯片，就像我們家里的儲藏室，用來短暫存放數(shù)據(jù)（“0”或“1”）。DRAM最基本的結構就是由一個晶體管（相當于開關）和一個電容（相當于儲藏室）組成的“1T1C”單元。
    芯片制造為什么需要High-K材料
  • 長鑫存儲DRAM份額將增至12%
    隨著市場份額穩(wěn)步提升的中國企業(yè)的崛起，持續(xù)數(shù)年的三星電子、SK海力士、美光三足鼎立的格局將被打破。
  • 揭秘DRAM內(nèi)存接口：從手機到AI超算，為何它決定了計算速度的極限？
    當我們驚嘆于手機流暢加載4K視頻，或是AI模型秒級生成圖像時，背后默默支撐的DRAM內(nèi)存技術正經(jīng)歷一場靜默革命。ISSCC 2025最新教程揭示：內(nèi)存接口（I/O）設計才是突破算力瓶頸的關鍵！本文將帶你速覽尖端內(nèi)存技術的內(nèi)核密碼。
    揭秘DRAM內(nèi)存接口：從手機到AI超算，為何它決定了計算速度的極限？
  • Server DRAM與HBM持續(xù)支撐，4Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增9.9%
    2024年第四季全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收突破280億美元，較前一季成長9.9%；由于Server DDR5的合約價上漲，加上HBM集中出貨，前三大業(yè)者營收皆持續(xù)季增。平均銷售單價方面，多數(shù)應用產(chǎn)品的合約價皆反轉(zhuǎn)下跌，只有美系CSP增加采購大容量Server DDR5，成為支撐Server DRAM（服務器內(nèi)存）價格續(xù)漲的主因。 展望2025年第一季，隨著進入生產(chǎn)淡季，整體原廠出貨位元量將季減。價格部分
    Server DRAM與HBM持續(xù)支撐，4Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增9.9%

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