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STM為一般時(shí)分復(fù)用,即各信道的信號(hào)按時(shí)間間隔出現(xiàn)在線路上。SDH的基本速率是155.52Mb/s 稱為第1級(jí)同步傳輸模塊,即STM-1,相當(dāng)于SONET體系中OC-3的速率SDH、SONET傳輸速率對(duì)照表SONETSDH數(shù)據(jù)傳輸速率(Mbps)電子的光的光的局間SPESTS-1OC-1-51.8450.112STS-3OC-3STM-1155.52150.338STS-9OC-9STM-3466.56451.008STS-12OC-12STM-4622.08601.344

STM為一般時(shí)分復(fù)用,即各信道的信號(hào)按時(shí)間間隔出現(xiàn)在線路上。SDH的基本速率是155.52Mb/s 稱為第1級(jí)同步傳輸模塊,即STM-1,相當(dāng)于SONET體系中OC-3的速率SDH、SONET傳輸速率對(duì)照表SONETSDH數(shù)據(jù)傳輸速率(Mbps)電子的光的光的局間SPESTS-1OC-1-51.8450.112STS-3OC-3STM-1155.52150.338STS-9OC-9STM-3466.56451.008STS-12OC-12STM-4622.08601.344收起

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  • SPI錫膏的技術(shù)原理及特點(diǎn)
    SPI在SMT行業(yè)中指的是錫膏檢測設(shè)備(Solder Paste Inspection)的英文簡稱,用于錫膏印刷后檢測錫膏的高度、體積、面積、短路和偏移量。其工作原理:錫膏檢查機(jī)增加了錫膏測厚的雷射裝置,所以SPI的工作原理與AOI類似,就是要先取一片拼板目檢沒有問題后讓機(jī)器拍照當(dāng)成標(biāo)準(zhǔn)樣品,后面的板子就依照首件板子的影像及資料來作為判斷根據(jù),這樣會(huì)有很多的誤判率,所以需要不斷的修改其參數(shù),直到誤判率降低到一定標(biāo)準(zhǔn),因此,使用SPI時(shí),需要有工程師維護(hù)。
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    01/17 08:34
    SPI錫膏的技術(shù)原理及特點(diǎn)
  • 詳解SMT工藝的五球原則
    SMT(表面貼裝技術(shù))工藝中的五球原則,是工程師在選擇焊膏時(shí)的一個(gè)重要指導(dǎo)原則,它確保了焊接的可靠性和質(zhì)量。以下是對(duì)五球原則的詳細(xì)解釋:
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    2024/12/04
    stm
    詳解SMT工藝的五球原則
  • STM8L超低功耗程序編寫教學(xué),簡單易懂
    之所以寫這篇博客,是因?yàn)樽罱鲆粋€(gè)項(xiàng)目,需要用到單片機(jī)的低功耗模式。第一次用stm8,我在網(wǎng)上看了很多資料,雖然有些寫的還是挺詳細(xì)的,但是我自己實(shí)際調(diào)試的時(shí)候還是出了不少意外,花了不少時(shí)間,因此想寫一篇文章讓你們少走一些彎路。語文水平有限,寫的不好勿怪。
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    2024/03/07
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  • STM32開發(fā)者社區(qū):從這里開啟你的STM32之旅!小白和PRO都友好
    當(dāng)面對(duì)STM32Cube生態(tài)系統(tǒng)這樣一個(gè)龐大而豐富的開發(fā)世界時(shí),工程師難免會(huì)產(chǎn)生疑問,從哪里開始才好? ST的許多合作伙伴和客戶都希望有更多的產(chǎn)品能夠利用STM32Cube開發(fā)環(huán)境。開發(fā)人員很享受開發(fā)環(huán)境的圖形用戶界面和工具的易用性,如STM32CubeMX、免費(fèi)的STM32CubeIDE以及許多軟件包、驅(qū)動(dòng)程序和中間件,這些都有助于更快地將產(chǎn)品推向市場。隨著越來越多的企業(yè)選擇ST的產(chǎn)品,越來越多
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  • MCU價(jià)格趨勢|2022年9月
    在統(tǒng)計(jì)的100個(gè)MCU型號(hào)中(含32位和8位),價(jià)格下跌的型號(hào)數(shù)量由近3個(gè)月的76個(gè),減少至近一個(gè)月的55個(gè),下跌型號(hào)數(shù)量明顯減少。整體上,MCU價(jià)格在8月大幅下行后,9月下行趨勢減緩。
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  • MCU價(jià)格趨勢|2022年8月
    根據(jù)88個(gè)MCU型號(hào)價(jià)格、需求、庫存數(shù)據(jù)得出:8月MCU價(jià)格持續(xù)下行,整體市場供大于求。
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  • SiC戰(zhàn)鼓擂響,中國勝算幾何
    以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體市場正在蓬勃發(fā)展。隨著5G、電動(dòng)汽車等新興市場出現(xiàn),SiC和GaN不可替代的優(yōu)勢使得相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用加速;隨著制備技術(shù)的進(jìn)步,SiC與GaN器件與模塊在需求拉動(dòng)下,疊加成本降低,SiC和GaN將迎來高光時(shí)代。
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    2021/05/13

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