芯耀
2630
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技（CXMT）已采用 16 納米技術(shù)量產(chǎn) DDR5 DRAM。
據(jù)業(yè)界1月26日?qǐng)?bào)道，半導(dǎo)體市場(chǎng)研究公司TechInsights近日?qǐng)?bào)道稱，“中國(guó)分銷市場(chǎng)發(fā)布的32GB DDR5 DRAM模組由長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的16Gb（千兆位）DDR5 DRAM組成”，而“長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)最新的16?采用了‘G4’ DRAM 技術(shù)”。?TechInsights 獲取并分析了上個(gè)月上市的中國(guó) DDR5 DRAM模組。DDR5 DRAM 的容量更大，傳輸速度大約是其前身 DDR4 的兩倍。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)采用的 16? G4 與三星電子、SK 海力士于 2021 年開(kāi)始量產(chǎn)的 10? 第三代（1z，15.8~16.2?）工藝相同。這也是為何有分析稱，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與韓國(guó)的DRAM技術(shù)差距已縮小至3年，上一代 DRAM DDR4 的工藝技術(shù)差距超過(guò)五年。TechInsights評(píng)價(jià)稱，“長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)成功量產(chǎn)16? DRAM，意義重大，意味著其已經(jīng)做好與三星、SK海力士等公司競(jìng)爭(zhēng)的準(zhǔn)備”。
韓國(guó)企業(yè)處于高度警惕狀態(tài)。三星電子和SK海力士已開(kāi)始準(zhǔn)備應(yīng)對(duì)措施，包括開(kāi)始對(duì)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的16? DDR5 DRAM技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)分析。
去年下半年，三星電子和 SK 海力士開(kāi)始密切關(guān)注長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技（CXMT）的DDR5發(fā)布趨勢(shì)。因?yàn)樵谀莻€(gè)時(shí)候，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)秘密通知其主要客戶“DDR5已開(kāi)始量產(chǎn)”。此次，人們的擔(dān)憂變成了現(xiàn)實(shí)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)確認(rèn)已采用 10 納米（nm；1 nm = 十億分之一米）第三代（1z）技術(shù)量產(chǎn) DDR5 DRAM。
若長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)繼DDR4之后再度發(fā)起“低價(jià)攻勢(shì)”，那么對(duì)于本已虧損的韓國(guó)企業(yè)而言，通用DRAM的盈利能力預(yù)計(jì)將進(jìn)一步下滑。
據(jù)半導(dǎo)體市場(chǎng)研究公司TechInsights 報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的1z DDR5 16千兆位（Gb）DRAM性能與三星電子、SK海力士同規(guī)格產(chǎn)品相當(dāng)。韓國(guó)內(nèi)存公司于 2021 年開(kāi)始量產(chǎn) 16Gb DDR5 DRAM。
據(jù)了解，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)采用 16? 工藝生產(chǎn) DDR5 16Gb DRAM。與韓國(guó)企業(yè)的10nm第三代1z DRAM（15.8~16.2?）類似。位密度（單位面積存儲(chǔ)單位）是性能的關(guān)鍵衡量標(biāo)準(zhǔn)，為 0.239 Gb/mm2，高于三星電子的同類產(chǎn)品（0.217 Gb/mm2）和 SK 海力士的同類產(chǎn)品（0.213 Gb/mm2）規(guī)格。TechInsights分析稱，“相比18?工藝，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)通過(guò)16?工藝將存儲(chǔ)信息的單元面積減少了20%?！?/p>
上個(gè)月，當(dāng)中國(guó)制造的 DDR5 DRAM 出現(xiàn)在中國(guó)分銷市場(chǎng)時(shí)，半導(dǎo)體行業(yè)一度陷入懷疑。這是因?yàn)槊绹?guó)從2023年10月開(kāi)始對(duì)技術(shù)和設(shè)備出口進(jìn)行監(jiān)管，以阻止中國(guó)開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)18?或更低規(guī)格的DRAM。據(jù)悉，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)突破美國(guó)監(jiān)管限制，成功量產(chǎn)16? DDR5 DRAM，令國(guó)內(nèi)業(yè)界感到震驚。據(jù)悉，三星電子已經(jīng)開(kāi)始對(duì)該產(chǎn)品進(jìn)行詳細(xì)分析。
隨著長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)成功量產(chǎn)16? DDR5，預(yù)計(jì)目前已知14-15?級(jí)別的“10?第四代（1a）”DRAM的開(kāi)發(fā)也將加速。TechInsights解釋道：“長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也在積極開(kāi)發(fā)15?以下的DRAM?！?/p>
韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)界擔(dān)心長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)繼DDR4之后，在DDR5市場(chǎng)發(fā)起“低價(jià)攻勢(shì)”。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)自去年下半年起開(kāi)始以30%的折扣向市場(chǎng)推出DDR4。結(jié)果導(dǎo)致個(gè)人電腦用DDR4 DRAM固定交易價(jià)格從去年7月的每單位2.10美元，暴跌35.7%，至12月的1.35美元。韓國(guó)企業(yè)庫(kù)存積壓，盈利能力惡化。
分析認(rèn)為，若中國(guó)在DDR5市場(chǎng)開(kāi)始低價(jià)攻勢(shì)，韓國(guó)企業(yè)必然會(huì)受到?jīng)_擊。去年全球DRAM市場(chǎng)DDR5出貨量（折算為位單位）超過(guò)了DDR4（62Eb），達(dá)到87exabit（Eb）。TechInsights預(yù)測(cè)，“長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將采取行動(dòng)擴(kuò)大其DDR5市場(chǎng)份額。”
一些分析人士表示，這些擔(dān)憂有些過(guò)度。SK海力士首席財(cái)務(wù)官(CFO)兼執(zhí)行副總裁金宇鉉1月23日在業(yè)績(jī)發(fā)布會(huì)上表示，“中國(guó)企業(yè)的DDR5產(chǎn)品在質(zhì)量和性能上會(huì)有明顯差異(與SK海力士相比)?！边@意味著長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)做好充分準(zhǔn)備進(jìn)入DDR5市場(chǎng)。
