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    • 金剛石半導(dǎo)體的技術(shù)優(yōu)勢(shì)
    • CTC與佐賀大學(xué)的合作:從實(shí)驗(yàn)室到量產(chǎn)的跨越
    • 日本產(chǎn)學(xué)研合作案例
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日本佐賀大學(xué)將“金剛石半導(dǎo)體”投入實(shí)際應(yīng)用

03/04 09:04
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【DT半導(dǎo)體獲悉,隨著人工智能AI)技術(shù)的爆發(fā)式增長,全球?qū)Ω?a class="article-link" target="_blank" href="/tag/%E7%AE%97%E5%8A%9B/">算力設(shè)備的需求激增,但隨之而來的高能耗問題也日益嚴(yán)峻。近日,日本伊藤忠技術(shù)解決方案株式會(huì)社(CTC)與佐賀大學(xué)近期宣布合作,旨在加速“金剛石半導(dǎo)體”技術(shù)的實(shí)用化進(jìn)程。這一合作不僅標(biāo)志著半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的技術(shù)躍遷,更可能為電力供應(yīng)鏈的高效化與低碳化提供關(guān)鍵解決方案。

金剛石半導(dǎo)體的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

金剛石被譽(yù)為“終極半導(dǎo)體材料”,其超寬禁帶(5.45eV)、超高熱導(dǎo)率(2000W/m·K)、高載流子遷移率(硅的3倍)及耐高壓、抗輻射等特性,使其在功率密度、散熱效率及能源損耗控制上遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅基及第三代半導(dǎo)體(如碳化硅SiC、氮化鎵GaN)。例如,佐賀大學(xué)嘉數(shù)誠教授團(tuán)隊(duì)研發(fā)的金剛石功率半導(dǎo)體器件,在1平方厘米面積上實(shí)現(xiàn)了875兆瓦的輸出功率,電力損耗僅為硅基產(chǎn)品的五萬分之一,且連續(xù)運(yùn)行190小時(shí)無劣化,展現(xiàn)了其在極端環(huán)境下的穩(wěn)定性。

此外,金剛石的熱管理能力尤為突出。以數(shù)據(jù)中心為例,當(dāng)前高功率芯片的散熱依賴氮化鋁或銅基材料,而金剛石的熱導(dǎo)率是銅的5倍,可顯著降低設(shè)備溫度,延長使用壽命,同時(shí)減少冷卻系統(tǒng)的能耗。這一特性對(duì)AI服務(wù)器等高密度電子設(shè)備至關(guān)重要。

CTC與佐賀大學(xué)的合作:從實(shí)驗(yàn)室到量產(chǎn)的跨越

佐賀大學(xué)在金剛石半導(dǎo)體領(lǐng)域已積累了多項(xiàng)核心技術(shù)。(1)2023年,其團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)了全球首個(gè)金剛石功率器件,并與日本宇宙航空研究開發(fā)機(jī)構(gòu)(JAXA)合作研發(fā)出適用于太空通信的高頻元件。(2)佐賀大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)通過向金剛石基板吹送二氧化氮?dú)怏w并使用氧化鋁膜進(jìn)行保護(hù),成功制造出高性能的金剛石半導(dǎo)體器件。這些器件在高溫和高電壓環(huán)境下表現(xiàn)出色,具有低能耗和長壽命的特點(diǎn)。(3)佐賀大學(xué)的研究不僅在學(xué)術(shù)界引起廣泛關(guān)注,還推動(dòng)了金剛石半導(dǎo)體的商業(yè)化進(jìn)程。與Orbray等企業(yè)合作,佐賀大學(xué)致力于解決金剛石半導(dǎo)體在制造過程中的技術(shù)難題,如摻雜和鈍化技術(shù),以實(shí)現(xiàn)其在電動(dòng)汽車、衛(wèi)星通信等領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用。

此次CTC的加入,將重點(diǎn)推動(dòng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化與量產(chǎn)體系建設(shè)。合作的另一核心目標(biāo)是降低電力供應(yīng)鏈的能源損耗。AI服務(wù)器的電力需求呈指數(shù)級(jí)增長,而傳統(tǒng)半導(dǎo)體在電能轉(zhuǎn)換中的損耗高達(dá)20%。金剛石半導(dǎo)體可將這一損耗降至極低水平,同時(shí)減少發(fā)熱,從而提升整體能源效率。

可以預(yù)見,CTC與佐賀大學(xué)的合作將加速金剛石半導(dǎo)體從實(shí)驗(yàn)室邁向市場(chǎng)。隨著技術(shù)成熟與成本下降,這一“終極材料”有望在2030年前后重塑半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局,成為全球能源轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵推手。

日本產(chǎn)學(xué)研合作案例

VLSI項(xiàng)目:日本超大規(guī)模集成電路(VLSI)項(xiàng)目是官產(chǎn)學(xué)研合作的典范。該項(xiàng)目由日本通產(chǎn)省組織實(shí)施,聯(lián)合東芝、三菱電機(jī)、日立、富士通和NEC等五家日本最具研發(fā)實(shí)力的公司共同設(shè)立,預(yù)算總額為28.1億美元,其中政府資金占50%。該項(xiàng)目不僅推動(dòng)了日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,還產(chǎn)生了1000多項(xiàng)專利,促進(jìn)了本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起。

信州大學(xué)的碳納米管技術(shù):信州大學(xué)通過與企業(yè)的合作,成功將碳納米管技術(shù)進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化,實(shí)現(xiàn)了顯著的經(jīng)濟(jì)效益。

這些案例展示了日本在產(chǎn)學(xué)研合作方面的成功經(jīng)驗(yàn),包括高校與企業(yè)的緊密合作以及創(chuàng)新機(jī)制的建立。

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