芯耀
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5月21日，據(jù)美國主流媒體《華爾街日報》報道，全球最大的SiC襯底制造商之一碳化硅功率器件巨頭Wolfspeed正準備在未來數(shù)周內(nèi)申請破產(chǎn)！消息出來以后，該公司股價在盤后交易中下跌逾57%，Wolfspeed 的市值從百億美元縮水至個位數(shù)。
據(jù)路透社的消息，Wolfspeed 一直在努力應對工業(yè)和汽車市場需求低迷以及關稅引發(fā)的不確定性。報道稱，在拒絕了債權人提出的幾項庭外債務重組提議后，該公司正尋求申請第 11 章破產(chǎn)保護，這將獲得大多數(shù)債權人的支持。
當路透社聯(lián)系Wolfspeed 時，他們拒絕發(fā)表評論。
該公司使用碳化硅制造芯片，本月早些時候提出了持續(xù)經(jīng)營的疑慮，并預測年收入將低于預期。該公司預計 2026 年營收為 8.5 億美元，低于分析師預期的 9.587 億美元。
去年11月面疲軟的電動汽車需求和緩慢的工業(yè)市場，Wolfspeed宣布裁員20%，并關閉多個站點。到了2025年初，Wolfspeed關閉了幾家工廠，并將一些業(yè)務轉移到200mm碳化硅晶圓廠，以提高效率并擴大生產(chǎn)規(guī)模。
據(jù)悉，破產(chǎn)主要原因是Wolfspeed目前面臨巨大的債務壓力，其總債務高達65億美元（約合人民幣470億元）。公司未能就債券重組達成協(xié)議，導致其財務狀況進一步惡化。
盡管Wolfspeed深陷債務危機，碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)的技術革命卻未停步。作為第三代半導體核心材料，SiC器件在新能源汽車、光伏儲能等領域的滲透率持續(xù)攀升，據(jù)Yole預測全球市場規(guī)模將在2027年突破60億美元。近期行業(yè)動態(tài)更凸顯出冰火兩重天的格局。
安森美公布 2025 年第一季度業(yè)績。財報顯示，安森美第一季度收入為 14.457億美元（約合人民幣104億），GAAP毛利率為 20.3%，自由現(xiàn)金流為4.55億美元（約合人民幣33億），同比增長72%，占收入的31%。安森美在碳化硅領域持續(xù)發(fā)力，其總裁Hassane El-Khoury透露，盡管一季度汽車行業(yè)處于庫存調整期，公司仍通過與一家美國頭部車企合作斬獲750V插混車型碳化硅器件訂單，并憑借技術優(yōu)勢在中國800V高壓電動車市場加速滲透——中國最新發(fā)布的電動車型中近半數(shù)將搭載其碳化硅器件，預計2025年末迎來量產(chǎn)高峰。隨著第四代溝槽架構EliteSiC MOSFET技術突破及PHEV市場長期增長預期，安森美正通過產(chǎn)品迭代與產(chǎn)能布局鞏固碳化硅領域領先地位。
5月8日，英飛凌公布了2025財年第二季度的財報（截至2025年3月31日）。該季度營收為35.91億歐元（約合人民幣290億），利潤為6.01億歐元（約合人民幣48.4億），利潤率為16.7%。英飛凌在財報電話會議中透露，碳化硅（SiC）市場價格正因襯底成本下降及8英寸晶圓遠期定價策略呈現(xiàn)動態(tài)波動，但公司憑借技術優(yōu)勢保持競爭力——其碳化硅MOSFET在面積效率與性能系數(shù)上領先競品一至兩代，并推出全球首款結合溝槽與超結技術的SiC產(chǎn)品，強化高壓場景應用潛力。盡管市場波動或導致2025財年碳化硅業(yè)務收入增速放緩，英飛凌仍通過結構性創(chuàng)新鞏固行業(yè)話語權。
近期，英飛凌相繼與偉世通、Rivian達成SiC合作，將在車規(guī)級應用上搭載SiC技術。
天岳先進
4月29日，天岳先進發(fā)布2025年一季度報告，實現(xiàn)季度營收4.1億元，凈利潤為852萬元，研發(fā)投入合計為4494萬元，同比增加5.79%。
天岳先進在2024年度暨2025年第一季度業(yè)績說明會上透露，2025年碳化硅市場需求將呈現(xiàn)“多點共振”的強勁態(tài)勢，主要體現(xiàn)在新能源汽車中碳化硅的滲透率和器件用量持續(xù)提升，光伏儲能與電力電網(wǎng)領域成為新的增長點，以及AI數(shù)據(jù)中心與AR眼鏡領域的巨大潛力。
此外，天岳先進認為碳化硅產(chǎn)業(yè)不會重蹈光伏“內(nèi)卷”的覆轍，因為其襯底制備需要極端高溫、高壓設備和精密工藝，全球范圍內(nèi)能穩(wěn)定量產(chǎn)8英寸襯底的企業(yè)寥寥無幾。天岳先進已具備大尺寸襯底量產(chǎn)能力，其8英寸襯底已實現(xiàn)規(guī)模出貨，12英寸產(chǎn)品也已發(fā)布并銷售，這將強化其技術壁壘并加深與下游技術的綁定。
山東力冠微電子
山東力冠微電子裝備有限公司繼8英寸液相法SiC長晶爐量產(chǎn)后，正加速攻關12英寸液相法SiC長晶設備，推出12英寸液相法SiC長晶爐。
設備支持12英寸SiC單晶生長，通過多溫區(qū)協(xié)同控制技術，實現(xiàn)生長界面溫度梯度高精度控制，破解晶型混雜和晶體開裂難題。采用特殊坩堝設計與惰性氣體保護系統(tǒng)，避免雜質污染，降低雜質殘留。其自主研發(fā)的全閉環(huán)控制生長系統(tǒng)，可實時監(jiān)控生長速率與重量等相關問題。
晶盛機電
5月13日，晶盛機電在官微宣布，他們的子公司浙江晶瑞電子材料有限公司實現(xiàn)12英寸導電型碳化硅（SiC）單晶生長技術突破，首顆12英寸SiC晶體成功出爐——晶體直徑達到309mm，質量完好。
浙江晶瑞基于自主研發(fā)的SiC單晶生長爐以及持續(xù)迭代升級的8-12英寸長晶工藝，經(jīng)過多年的技術攻關，創(chuàng)新晶體生長溫場設計及氣相原料分布工藝，成功攻克12英寸SiC晶體生長中的溫場不均、晶體開裂等核心難題，實現(xiàn)了12英寸超大尺寸晶體生長的重要突破。
南砂晶圓
南砂晶圓展示了12英寸導電型SiC襯底等重點產(chǎn)品。
公司總部設在廣州市南沙區(qū)，現(xiàn)有廣州、中山、濟南三大生產(chǎn)基地，形成了碳化硅單晶爐制造、碳化硅粉料制備、碳化硅單晶生長和村底制備等完整的生產(chǎn)線，公司產(chǎn)品以6、8英寸導電型和半絕緣型碳化硅襯底為主，可視市場需求不斷豐富產(chǎn)品線。
魯晶半導體與山東大學深化碳化硅功率器件合作
4月2日，魯晶半導體技術團隊與山東大學新一代半導體材料研究院雙方達成深化合作協(xié)議
雙方重點交流了超高壓5000V SiC肖特基二極管及大功率MOSFET器件的技術進展。魯晶半導體技術團隊分享了其在器件研發(fā)與制造中的階段性成果，山東大學專家則從學術角度剖析了高頻、高效、高溫性能優(yōu)化方案。雙方一致認為，SiC功率器件憑借其耐高壓、低損耗特性，將成為未來電力電子領域的核心技術方向，而魯晶半導體的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗與山東大學的科研實力為合作提供了強有力支撐。
綜上，產(chǎn)業(yè)與個別企業(yè)生存危機并存的現(xiàn)狀，恰恰印證了SiC賽道已進入深度洗牌期。當技術迭代速度超越資本耐受度，Wolfspeed的困境或許正是行業(yè)向理性發(fā)展轉型的必經(jīng)陣痛。
