芯耀
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三星電子?已開(kāi)始開(kāi)發(fā)?1?（代工工藝，被稱為夢(mèng)想半導(dǎo)體工藝。由于在2nm工藝等接近量產(chǎn)的技術(shù)領(lǐng)域與臺(tái)積電存在現(xiàn)實(shí)差距，三星計(jì)劃通過(guò)加速開(kāi)發(fā)未來(lái)技術(shù)的1nm工藝，創(chuàng)造扭轉(zhuǎn)乾坤的機(jī)會(huì)。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士4月9日透露，三星電子半導(dǎo)體研究院近日開(kāi)始研發(fā)1納米工藝。招募部分參與過(guò)2nm等前沿工藝研發(fā)的科研人員，組建項(xiàng)目組。?1納米被稱為夢(mèng)想的半導(dǎo)體工藝，而在三星電子迄今披露的晶圓代工工藝路線圖中，計(jì)劃于2027年量產(chǎn)的1.4納米工藝是最先進(jìn)的。
1納米工藝需要打破現(xiàn)有設(shè)計(jì)模式的新技術(shù)理念，以及引入高NA EUV曝光設(shè)備等下一代設(shè)備。該公司的目標(biāo)是2029年后實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
三星電子在目前已量產(chǎn)的3nm制程和預(yù)定今年量產(chǎn)的2nm制程的技術(shù)實(shí)力均落后于臺(tái)積電，因此對(duì)1nm制程的期待值較高。就2nm而言，臺(tái)積電的良率早已超過(guò)60%，與三星電子的差距不小。特別是據(jù)報(bào)道，三星李在镕會(huì)長(zhǎng)上個(gè)月呼吁高管們“繼承技術(shù)優(yōu)先的傳統(tǒng)”，并強(qiáng)調(diào)，“要用世界上不存在的技術(shù)創(chuàng)造未來(lái)”，從而提前啟動(dòng)了1nm工藝的開(kāi)發(fā)。
競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手也正在加速開(kāi)發(fā)1納米級(jí)工藝。臺(tái)積電去年4月意外宣布，將在現(xiàn)有的1.4納米與2納米之間增加16A技術(shù)，即1.6納米，并于2026年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。分析稱，此舉是為了應(yīng)對(duì)快速變化的人工智能（AI）半導(dǎo)體市場(chǎng)的技術(shù)需求，同時(shí)為下一代工藝奠定基礎(chǔ)。
近期更換領(lǐng)導(dǎo)層的三星晶圓代工部門正致力于加強(qiáng)技術(shù)能力并擴(kuò)大業(yè)務(wù)生態(tài)系統(tǒng)。三星電子代工業(yè)務(wù)部負(fù)責(zé)人兼總裁韓進(jìn)萬(wàn)?(Han Jin-man)?最近一直致力于加強(qiáng)合作伙伴關(guān)系，與包括?DeepX?在內(nèi)的韓國(guó)人工智能?(AI)?半導(dǎo)體初創(chuàng)公司會(huì)面，了解客戶需求。
