三星宣布開發(fā)出下一代內(nèi)存

三星電子宣布開發(fā)出將NAND閃存與Compute Express Link（CXL）模組相結(jié)合的產(chǎn)品，該產(chǎn)品被認(rèn)為是下一代內(nèi)存。

三星電子內(nèi)存事業(yè)部DRAM設(shè)計團(tuán)隊大師孫教民在5月13日舉行的“AI半導(dǎo)體論壇早餐講座”上表示，“下一代CXL解決方案，我們還可以考慮將高速DRAM和大容量NAND結(jié)合起來的混合結(jié)構(gòu)?！彼a(bǔ)充道：“它具有很高的發(fā)展?jié)摿Γ驗樗梢詫崿F(xiàn)現(xiàn)有?DRAM?所不具備的新應(yīng)用?！?/p>

CXL?是集成多種設(shè)備的下一代接口，包括中央處理器?(CPU)、圖形處理單元?(GPU)?和存儲。如果說以前連接CPU和內(nèi)存半導(dǎo)體的道路只有2到3條通道的話，那么CXL就好比是將通道數(shù)大幅增加到8條甚至更多的技術(shù)。因其具有能夠擴(kuò)大容量、提高數(shù)據(jù)處理效率的優(yōu)點而受到關(guān)注。

目前商業(yè)化的CXL 1.1和2.0版本基于內(nèi)存模組（CMM）-D，并配備了提供CXL功能的DRAM。?Master Son提到的混合結(jié)構(gòu)是CMM-Hybrid（H），是將NAND與DRAM結(jié)合在一起的新概念。在基于?DRAM?的模塊中添加?NAND?的優(yōu)勢似乎在于它可以增加存儲容量。

三星電子利用可編程門陣列（FPGA）制作了CMM-H結(jié)構(gòu)的原型。三星正在推進(jìn)研發(fā)，目標(biāo)是在?2027?年實現(xiàn)商業(yè)化。Son Master?表示：“專注于容量的?CXL?是一種新興的解決方案”，并補(bǔ)充道，“我們正在實驗室中對各種形式的內(nèi)存進(jìn)行研發(fā)?！?/p>

接下來，Son Master?提到，針對堆疊多個?DRAM?以提高數(shù)據(jù)處理速度的高帶寬內(nèi)存?(HBM)，“定制?HBM”?的供應(yīng)正在全面展開，從第六代?HBM“HBM4”開始，代工工藝被應(yīng)用于基礎(chǔ)芯片（最底層的半導(dǎo)體），從而實現(xiàn)“定制化”。

他說道，“由于HBM基礎(chǔ)芯片采用邏輯半導(dǎo)體工藝制造，我們創(chuàng)造了一個可以根據(jù)不同客戶需求進(jìn)行生產(chǎn)的環(huán)境，這是一個巨大的變化，因為它為內(nèi)存部門為客戶生產(chǎn)定制內(nèi)存開辟了可能性”。