芯耀
260
晶圓濕法清洗后吹掃氮?dú)猓∟?）的純度要求至關(guān)重要，直接影響晶圓表面潔凈度、干燥效果及后續(xù)工藝良率。以下是關(guān)鍵分析：
1. 核心要求
典型純度：99.999%（5N）以上，部分高端制程（如EUV光刻）可能要求99.9999%（6N）。
雜質(zhì)控制重點(diǎn)：
氧氣（O?）：<1 ppm（避免氧化殘留污染物或影響金屬層）。
水蒸氣（H?O）：露點(diǎn)≤-70℃（防止水漬殘留導(dǎo)致顆粒團(tuán)聚或腐蝕）。
顆粒物：<0.1 μm（通過(guò)過(guò)濾器實(shí)現(xiàn)，如0.003μm濾芯）。
其他氣體：如氬氣（Ar）、氦氣（He）等惰性氣體殘留需低于ppb級(jí)。
2. 技術(shù)依據(jù)
RCA清洗標(biāo)準(zhǔn)：在SC1/SC2濕法清洗后，氮?dú)獯祾呤菢?biāo)準(zhǔn)步驟，用于快速干燥并形成惰性保護(hù)氛圍35。
SEMI標(biāo)準(zhǔn)：
F47-1101：規(guī)定氮?dú)庵锌傤w粒數(shù)≤3.5×10?個(gè)/m3（≥0.1 μm）。
C79-13：要求水分含量≤10 ppb（對(duì)應(yīng)露點(diǎn)≤-70℃）。
行業(yè)實(shí)踐：
先進(jìn)制程（如3nm及以下）對(duì)氮?dú)饧兌纫筅厙?yán)，部分廠商采用現(xiàn)場(chǎng)制氮系統(tǒng)（PSA變壓吸附或膜分離技術(shù)）確保實(shí)時(shí)供應(yīng)高純氮。
3. 關(guān)鍵影響因素
純度不足的后果：
氧化風(fēng)險(xiǎn)：O?殘留可能導(dǎo)致金屬層（如Al、Cu）氧化，影響電學(xué)性能。
水漬殘留：H?O未徹底去除會(huì)吸附顆?；蛞l(fā)化學(xué)腐蝕（如NaCl溶液殘留）。
顆粒污染：氮?dú)庵械念w?？赡芏挝廴揪A表面，導(dǎo)致良率下降。
吹掃工藝優(yōu)化：
流速與角度：采用層流或旋風(fēng)吹掃（流速20-30 m/s），確保晶圓表面均勻干燥。
溫度控制：氮?dú)忸A(yù)熱至30-50℃，加速水分蒸發(fā)25。
環(huán)境隔離：吹掃時(shí)保持腔室潔凈度（Class 10或更高），避免外部污染。
晶圓濕法清洗后氮?dú)獯祾叩募兌纫笸ǔ?9.999%以上，需嚴(yán)格控制O?、H?O和顆粒物含量。實(shí)際工藝中需結(jié)合SEMI標(biāo)準(zhǔn)、制程節(jié)點(diǎn)需求及設(shè)備能力（如過(guò)濾器精度、供氣系統(tǒng)）綜合設(shè)計(jì)，以確保晶圓表面無(wú)殘留污染，滿足后續(xù)光刻、蝕刻等關(guān)鍵步驟的良率要求。
