芯耀
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1、「天科合達」榮獲 2020 年度中國科學院科技促進發(fā)展獎
2021 年 1 月 15 日，中國科學院 2021 年度工作會議在京召開，會議頒發(fā)了中國科學院 2020 年度各類科技獎項，北京天科合達公司和中國科學院物理研究所的“碳化硅晶體生長和加工技術研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化團隊”榮獲 2020 年度中國科學院科技促進發(fā)展獎。
“碳化硅晶體生長和加工技術研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化團隊”
榮獲 2020 年度中國科學院科技促進發(fā)展獎
天科合達是專業(yè)從事第三代半導體碳化硅單晶襯底和外延研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國家級高新技術企業(yè)，是全球碳化硅單晶襯底和外延的主要生產(chǎn)商之一。經(jīng)過多年研發(fā)投入和技術積累，公司形成擁有自主知識產(chǎn)權的“PVT 碳化硅單晶生長爐制造技術”、“高純度碳化硅生長原料合成技術”、“PVT 碳化硅晶體生長技術”、“低翹曲度碳化硅晶體切割技術”、“碳化硅晶片精密研磨拋光技術”和“即開即用的碳化硅晶片清洗技術”等六大核心技術體系，覆蓋“設備研制—原料合成—晶體生長—晶體切割—晶片加工—清洗檢測”的碳化硅晶片生產(chǎn)的全流程。
2、比亞迪、中車時代電氣同時宣布上市
1 月初，比亞迪公告稱，公司董事會會議審議通過了《關于擬籌劃控股子公司分拆上市的議案》，董事會同意公司控股子公司比亞迪半導體股份有限公司（以下簡稱“比亞迪半導體”）籌劃分拆上市事項，并授權公司及比亞迪半導體管理層啟動分拆比亞迪半導體上市的前期籌備工作。無獨有偶，中車時代電氣也在港交所發(fā)布公告稱，該公司就建議發(fā)行 A 股向上交所提交包括 A 股招股說明書（申報稿）在內(nèi)的申請材料，上交所已予以受理并依法進行審核。2019 年中國新能源車 IGBT（即絕緣柵雙極型晶體管）市場中，比亞迪半導體的市場份額排名第二，中車時代電氣也占據(jù)了一定的市場份額。業(yè)內(nèi)人士分析，政策支持疊加市場需求的大背景下，2021 年功率半導體有望迎來高景氣周期，產(chǎn)業(yè)鏈相關企業(yè)上市，無疑將會加速其分享功率半導體行業(yè)紅利的進程。
3、青銅劍第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地舉行奠基儀式
1 月 18 日上午，青銅劍第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地奠基儀式在深圳坪山隆重舉行，標志著青銅劍集團發(fā)展邁入新階段。青銅劍第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地是深圳市 2020 年重大項目，位于坪山區(qū)丹梓大道與光科三路交匯處西南角，占地 8073.79 平方米，總建筑面積近 5 萬平方米，預計 2022 年底完工。該基地將作為青銅劍科技集團總部，同時建設第三代半導體研發(fā)中心、車規(guī)級碳化硅功率器件封裝線和中歐創(chuàng)新中心孵化器等，最終形成國內(nèi)領先的具備全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)和生產(chǎn)制造能力的第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地。
4、泰科天潤陳彤：力爭瀏陽項目春節(jié)前投產(chǎn)，滿產(chǎn)后年產(chǎn)值預計 13 億至 14 億元
瀏陽泰科天潤碳化硅芯片項目
泰科天潤瀏陽項目位于瀏陽經(jīng)開區(qū)（高新區(qū)）新能源標準廠區(qū)內(nèi)，如今 90%的生產(chǎn)設備已到位，大部分設備處于工藝調(diào)試階段。項目建成滿產(chǎn)后可實現(xiàn) 6 萬片 / 年的 6 英寸碳化硅功率芯片生產(chǎn)及銷售。這意味著，項目一旦投產(chǎn)，將打造一條極具市場競爭力的碳化硅功率器件生產(chǎn)線。依托這樣爭分奪秒的發(fā)展速度，泰科天潤有信心以最快的速度改變歐美國家對我國高端功率器件的長期壟斷格局，突破行業(yè)領域技術壁壘等問題。
5、科銳推出新型 Wolfspeed WolfPACK SiC 功率模塊
1 月 12 日，科銳宣布推出 Wolfspeed WolfPACK™ 功率模塊，擴展其解決方案范圍，并為包括電動汽車快速充電、可再生能源和儲能、工業(yè)電源應用在內(nèi)的各種工業(yè)電源的性能開啟新時代。該新型 SiC 模塊實現(xiàn)功率密度最大化，并在標準尺寸內(nèi)簡化設計，顯著加快新一代技術的生產(chǎn)和推出，賦能包括非車載充電和太陽能解決方案在內(nèi)的眾多快速增長的工業(yè)市場。
6、汽車廠商押注碳化硅
1 月中旬，據(jù)韓媒報道，LG 集團旗下子公司硅芯片有限公司（Silicon Works）日前宣布擴大其半導體業(yè)務，重點押注碳化硅 PMIC 以及 MCU。據(jù)了解，硅芯片公司此前更常以其驅(qū)動 IC 產(chǎn)品被業(yè)界所熟知。此次大動作轉(zhuǎn)向碳化硅芯片領域，不僅透露了其對從 LG 集團分拆后的發(fā)展規(guī)劃，更是從側(cè)面印證了碳化硅正在成為汽車領域冉冉升起的新星。自從 2016 年 4 月，特斯拉 Tesla Model 3 中率先采用了以碳化硅 SiC MOSFET 為功率模塊的逆變器之后，截至當前，全球已有超過 20 家汽車廠商在車載充電系統(tǒng)中使用碳化硅功率器件。
7、新型金剛石 MOSFET 可提供更高效率
加的斯大學（UCA）的一組研究人員設計了一種基于高效半導體材料的電子晶體管，該晶體管具有新穎的結構，可應用于能源領域，例如風能和光伏電站以及電動汽車。隨著金剛石的摻入，研究人員在器件效率方面取得了顯著改善，從而將電力變壓器的重量和能量損失減少多達 90％。 該器件的特性還使其在新結構中具有更大的通用性，使其成為電子工業(yè)領域，尤其是能源領域的真正有價值的產(chǎn)品。
8、山東國宏中能年產(chǎn) 11 萬片碳化硅襯底片項目啟動試生產(chǎn)
1 月 15 日，由國宏中宇科技發(fā)展有限公司控股，山東國宏中能科技發(fā)展有限公司投資建設的年產(chǎn) 11 萬片碳化硅襯底片項目在山東河口經(jīng)濟開發(fā)區(qū)建成并啟動試生產(chǎn)。山東國宏中能年產(chǎn)11 萬片碳化硅襯底片項目總投資 6.5 億元，總建筑面積 3 萬平方米。該項目于 2020 年 2 月入選山東省新舊動能轉(zhuǎn)換重大項目庫第一批優(yōu)選項目名單，是市、區(qū)兩級重點項目。通過在材料制備技術體系、核心裝備研制上的持續(xù)科研投入，同時緊密結合研發(fā)成果的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)轉(zhuǎn)化，目前本項目已經(jīng)具備投產(chǎn)條件。本項目整體兩期規(guī)劃建設完畢并全部投產(chǎn)后，預計平均年營業(yè)收入約7 億元，企業(yè)年納稅總額約 5000 萬元，新增中高端就業(yè)崗位超過 200 個。
9、我國在氮化鎵界面態(tài)研究方面取得重要進展
近日，微電子所高頻高壓中心劉新宇研究員團隊與先導中心工藝平臺合作，在 GaN 界面態(tài)研究領域取得了重要進展，在 LPCVD-SiNx/GaN 界面獲得原子級平整界面和國際先進水平的界面態(tài)特性，提出了適用于較寬能量范圍的界面態(tài) U 型分布函數(shù)，實現(xiàn)了離散能級與界面態(tài)的分離。
原子級平整界面、先進水平界面態(tài)密度及 U 型分布函數(shù)
相關論文連接：
https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0169433220332888
10、蘇州納維科技第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地在蘇州園區(qū)奠基
1 月 24 日上午，蘇州工業(yè)園區(qū)科技領軍人才企業(yè)蘇州納維科技有限公司舉行總部大樓奠基儀式。項目占地面積超 1.4 萬平方米，總建筑面積超 3.4 萬平方米，建成后，年產(chǎn)氮化鎵單晶襯底及外延片可達 5 萬片。蘇州納維科技 2007 年由中科院蘇州納米所徐科研究員創(chuàng)立，致力于第三代半導體核心關鍵材料——氮化鎵（GaN）單晶襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
11、北京：加速第三代半導體等領域技術和產(chǎn)品的研發(fā)過程
2021 年 1 月 20 日上午，國務院新聞辦公室舉行新聞發(fā)布會，介紹落實五中全會精神，加快推進北京國際科技創(chuàng)新中心建設的有關情況。會上，北京市副市長、秘書長靳偉表示，到 2025 年，北京國際科技創(chuàng)新中心基本形成。到 2035 年，北京國際科技創(chuàng)新中心創(chuàng)新力、競爭力、輻射力全球領先，形成國際人才的高地，切實支撐我國建設科技強國。未來五年，北京要進一步堅持“鍛長板”與“補短板”并重，立足科技自立自強，堅持有所為、有所不為，圍繞“四個面向”，開展重點領域關鍵核心技術研發(fā)工作，加速第三代半導體等領域技術和產(chǎn)品的研發(fā)過程。
12、工信部：海思、中芯國際等 90 家單位申請籌建“全國集成電路標準化委員會”
1 月 28 日，工信部官網(wǎng)消息，為統(tǒng)籌推進集成電路標準化工作，加強標準化隊伍建設，有關單位提出了全國集成電路標準化技術委員會籌建申請，秘書處擬設在中國電子技術標準化研究院，公示期一個月。對外公開的委員單位包括深圳市海思半導體、大唐半導體、華大半導體、展銳通信等 90 家。工信部表示，集成電路作為信息產(chǎn)業(yè)的基礎和核心，在國民經(jīng)濟和社會發(fā)展中占有舉足輕重的地位，建立一個自主創(chuàng)新能力不斷提高、產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴大的集成電路產(chǎn)業(yè)體系，對促進新興產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展、支撐國家信息化建設，促進國民經(jīng)濟和社會持續(xù)健康發(fā)展具有重要的意義。
13、Cree 將改名 Wolfspeed，全面擁抱 SiC
1 月 29 日上午，Cree 在其官方微信號表示：“我們預計將于 2021 年底正式更名為Wolfspeed。我們的團隊對于創(chuàng)新和超越可能極限的承諾將始終不變。作為碳化硅 SiC 產(chǎn)業(yè)的全球引領者，我們已經(jīng)做好準備，在未來賦能實現(xiàn)開創(chuàng)性的、高效節(jié)能的變革！”Wolfspeed 位于美國北卡羅來納州三角研究園，過去近三十年來一直屬于 Cree 公司，是碳化硅功率器件和碳化硅基氮化鎵射頻功率解決方案的主要供應商之一。其核心競爭力包括碳化硅晶圓襯底制造，以及面向射頻功率器件、包含單晶氮化鎵層的碳化硅晶圓襯底制造。
14、2020 年化合物半導體行業(yè)年度十大事件
1??第三代半導體產(chǎn)業(yè)或?qū)懭?ldquo;十四五規(guī)劃”
2??長沙三安 160 億第三代半導體項目開工
3??Cree 推進建造全球最大 SiC 器件制造工廠
4??華為投資入股北京天科合達、全芯微電子、瀚天天成
5??全球最大氮化鎵工廠落地蘇州，一期投資 60 億
6??臺積電將與意法半導體合作，加快 GaN 制程技術開發(fā)
7??日本研發(fā)長晶新技術，1 小時可制成優(yōu)質(zhì) GaN 基底
8??穩(wěn)懋投 850 億新臺幣建廠
9??比亞迪將自建 SiC 產(chǎn)線
