光刻技術(shù)

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集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)（從毫米級(jí)到亞微米級(jí)），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長(zhǎng)已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。

集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)（從毫米級(jí)到亞微米級(jí)），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長(zhǎng)已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。收起

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  • 半導(dǎo)體微縮化的技術(shù)突圍與光刻革命
    隨著半導(dǎo)體的發(fā)展，我們的生活在過去幾十年中發(fā)生了巨大變化。50年前，研究人員家中的電器只有收音機(jī)和電視機(jī)，通信設(shè)備也只有電話。即使在辦公室，打字機(jī)和計(jì)算機(jī)也并不普遍，只有一些大型企業(yè)能夠使用大型計(jì)算機(jī)。而如今，個(gè)人計(jì)算機(jī)幾乎已經(jīng)成為普通家庭的必備之物，性能遠(yuǎn)超當(dāng)年的大型計(jì)算機(jī)，不僅具備計(jì)算能力，還能進(jìn)行通信，另外，只有手掌大小的智能手機(jī)也早已在社會(huì)生活中普及開來。這一切背后的支撐技術(shù)之一就是半導(dǎo)體。
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  • 軟烘，PEB，后烘在光刻工序中的作用？
    學(xué)員問：光刻工序中的烘烤有幾次？各有什么作用？光刻工序中的烘烤有幾次？根據(jù)用途不一樣，烘烤的次數(shù)也不一樣。一般為兩到三次。
  • 光刻工藝中，什么是Binary mask和Phase Shift Mask？一次講明白！
    在半導(dǎo)體光刻技術(shù)中，光掩模（Photo mask）是芯片制造的核心工具之一，其作用類似于傳統(tǒng)照相的底片，通過控制光線透射或阻擋，將電路圖案轉(zhuǎn)移到硅片上。隨著芯片制程不斷微縮至納米級(jí)，掩模技術(shù)也在持續(xù)演進(jìn)。其中，
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  • 光刻工藝：光刻膠、曝光方式、光刻主要步驟
    光刻工藝貫穿整個(gè)芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對(duì)于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn)，對(duì)光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求持續(xù)攀升，光刻技術(shù)也將不斷演化，支持更為先進(jìn)的制程與更復(fù)雜的器件設(shè)計(jì)。
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  • g線與i線光刻工藝的技術(shù)節(jié)點(diǎn)、工藝特點(diǎn)以及典型應(yīng)用
    在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體邁向深亞微米甚至納米制程的今天，g線（436 nm）與i線（365 nm）光刻工藝相較于后續(xù)的 KrF（248 nm）、ArF（193 nm）或 EUV（13.5 nm）而言，已經(jīng)相對(duì)成熟和“傳統(tǒng)”。然而，g/i線工藝仍然在某些特定領(lǐng)域和應(yīng)用場(chǎng)景中發(fā)揮著重要作用。
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  • 光刻工藝中g(shù)線、i線、DUV、EUV是什么意思？
    不同波長(zhǎng)的光源各自對(duì)應(yīng)不同的技術(shù)節(jié)點(diǎn)和制造需求。從早期的 g線、i線到目前主流的 KrF、ArF 再到最尖端的 EUV，每一次升級(jí)都展現(xiàn)了更高分辨率和更先進(jìn)的工藝水平。隨著對(duì)器件尺寸不斷逼近物理極限，EUV及其后續(xù)升級(jí)版本將持續(xù)發(fā)展。
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  • ASML收購Mapper的背后故事：中美俄荷四方暗斗
    近日，一名具有俄羅斯背景的ASML前員工因涉嫌竊取ASML和Mapper Lithography 的微芯片手冊(cè)等文件而被荷蘭政府拘留，引發(fā)各方關(guān)注。
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  • 納米壓印取代光刻，我國(guó)半導(dǎo)體制造不用再被卡脖子？
    第十四屆中國(guó)國(guó)際納米技術(shù)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（簡(jiǎn)稱“納博會(huì)”）在萬眾矚目中圓滿落下了帷幕。這場(chǎng)全球納米科技領(lǐng)域盛會(huì)，以1場(chǎng)主報(bào)告、13場(chǎng)分論壇、1場(chǎng)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽，1場(chǎng)新產(chǎn)品發(fā)布會(huì)為主，匯聚了全球納米科技領(lǐng)域的18位院士，450多位高校研究院所、上市公司、知名企業(yè)機(jī)構(gòu)的頂級(jí)專家代表出席，分享專業(yè)報(bào)告476場(chǎng)，較往屆增加132場(chǎng)，同比增長(zhǎng)約33%，吸引9663位嘉賓參會(huì)聽會(huì)。
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  • 計(jì)算光刻進(jìn)入3.0時(shí)代，東方晶源ILT引領(lǐng)技術(shù)變革
    在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，計(jì)算光刻技術(shù)是推動(dòng)芯片制程不斷突破的關(guān)鍵因素之一。隨著集成電路的尺寸不斷縮小，計(jì)算光刻技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，成為提升光刻精度和芯片性能的重要手段。在國(guó)內(nèi)尖端光刻設(shè)備受限的背景下，其重要性更是不言而喻。 在這一技術(shù)革新的浪潮中，東方晶源以其前瞻性的布局和強(qiáng)大的研發(fā)能力，成為推動(dòng)計(jì)算光刻技術(shù)發(fā)展的先鋒，以及國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造行業(yè)實(shí)現(xiàn)技術(shù)飛躍的關(guān)鍵力量。 從基于規(guī)則、模型到基于ILT，計(jì)算光刻進(jìn)入
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  • 在嘉興，600多位專家談光刻未來
    光刻技術(shù)是半導(dǎo)體制造的核心工藝，它決定了芯片的集成度和性能。在芯片制造業(yè)的浩瀚宇宙中，光刻技術(shù)無疑是最為璀璨的星辰之一，引領(lǐng)著整個(gè)行業(yè)的創(chuàng)新與前沿發(fā)展。
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  • 聊聊光刻工序常見術(shù)語（2）
    上次，我們總結(jié)了光刻工序部分的術(shù)語，見文章：《光刻工序常見術(shù)語中英文對(duì)照（1）》這次，我們把剩下的又總結(jié)了一些，供大家參閱。1，Developer Mist：顯影液回濺產(chǎn)生的水霧，是顯影過程引入的一種缺陷。2，Bubble：氣泡，比如光刻膠中含有氣泡。
    聊聊光刻工序常見術(shù)語（2）
  • 光刻工序常見術(shù)語中英文對(duì)照（1）
    在半導(dǎo)體制造中會(huì)使用很多英文詞匯，而英文詞匯在翻譯為漢語的過程中，意思往往會(huì)出現(xiàn)偏差，后面的幾期，Tom會(huì)針對(duì)幾大工序中常見的半導(dǎo)體術(shù)語做一個(gè)歸納總結(jié)，有些術(shù)語會(huì)做必要的解釋。
    光刻工序常見術(shù)語中英文對(duì)照（1）
  • 面試 | 光刻工藝,晶圓制造,CMP,PIE工程師面試問題合集
    本篇匯集了關(guān)于光刻工藝、晶圓制造相關(guān)崗位，以及FPGA工程師面試時(shí)的常見問題。且在持續(xù)更新中……? 切記收藏哦！
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  • 負(fù)膠的Undercut在lift-off工藝中的應(yīng)用
    ?光刻工藝中負(fù)膠因?yàn)檎扯绕?，和正膠相反的曝光模式，被廣泛應(yīng)用，但是負(fù)膠精度沒有正膠好，容易顯影變形，價(jià)格也普遍相對(duì)較貴。
  • 光刻技術(shù)，有了新選擇
    光刻工藝是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。
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  • 光刻工藝面試問題干貨
    光刻的基本工藝流程：光刻工藝主要包括涂膠（spin coating）、軟烘（soft bake）、對(duì)準(zhǔn)（alignment）、曝光（exposure）、顯影（developing）和硬烘（hard bake）。在這些步驟中，光刻膠被涂覆在晶圓表面，通過曝光和顯影形成特定的圖案。
    光刻工藝面試問題干貨
  • 面試 | 如果我是光刻工藝面試官，會(huì)問哪些問題？
    學(xué)員問：up能出一期光刻工藝工程師職場(chǎng)就業(yè)相關(guān)面試問題啥的嗎？基本問題：介紹光刻的基礎(chǔ)概念，包括其基本工藝流程、什么是關(guān)鍵尺寸、光譜范圍、分辨率，數(shù)值孔徑，overlay的概念等。比較和對(duì)比負(fù)性光刻膠和正性光刻膠的主要差異。
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  • 晶圓Fab廠Photo工藝工程師
    Fab中有很多道工序，cvd，pvd，photo，etch，wet，cmp，imp，diff，thermal等。photo（光刻）在晶圓制造的多個(gè)工藝中都會(huì)出現(xiàn)，目前光刻機(jī)也是國(guó)產(chǎn)廠商還沒有突破的核心裝備之一。光刻工程師既要有扎實(shí)的理論知識(shí)，又要保持腦子清醒，同時(shí)具備嚴(yán)密的數(shù)據(jù)分析能力，才能把photo這道工藝調(diào)好。Photo工藝工程師一般向工藝主管匯報(bào)工作。
  • 行業(yè)數(shù)據(jù)：全球光刻掩模版供應(yīng)商列表
    在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，光刻工藝可以說是所有制造環(huán)節(jié)里最復(fù)雜的一道了。由此，無論是光刻機(jī)還是光刻膠都是大家關(guān)注的焦點(diǎn)，甚至在網(wǎng)絡(luò)上也成為了熱門話題不過相對(duì)而言，似乎光刻掩模版相關(guān)的話題熱度就少了很多。其實(shí)這個(gè)領(lǐng)域也并不簡(jiǎn)單，在光刻掩模版及其上游供應(yīng)鏈里也存在著大量的機(jī)會(huì)，值得行業(yè)關(guān)注
    行業(yè)數(shù)據(jù)：全球光刻掩模版供應(yīng)商列表
  • 2023 | 第七屆國(guó)際先進(jìn)光刻技術(shù)研討會(huì)舉辦通知
    第七屆國(guó)際先進(jìn)光刻技術(shù)研討會(huì) （IWAPS 2023） 近年來，集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為世界各國(guó)越來越重視的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，尤其在中國(guó)，集成電路產(chǎn)業(yè)受到了前所未有的關(guān)注，并在政策和資本的推動(dòng)下獲得了蓬勃發(fā)展?；谶@樣的形勢(shì)，國(guó)際先進(jìn)光刻技術(shù)研討會(huì)(International Workshop on Advanced Patterning Solutions, IWAPS)應(yīng)運(yùn)而生。IWAPS為來自國(guó)內(nèi)外半
    2023 | 第七屆國(guó)際先進(jìn)光刻技術(shù)研討會(huì)舉辦通知

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