內(nèi)存芯片

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“內(nèi)存顆?！笔侵袊?guó)港臺(tái)地區(qū)對(duì)內(nèi)存芯片的一種稱呼（僅對(duì)內(nèi)存），其他的芯片則稱為“晶片”。晶片經(jīng)過(guò)封裝之后就成為一個(gè)閃存顆粒。

“內(nèi)存顆?！笔侵袊?guó)港臺(tái)地區(qū)對(duì)內(nèi)存芯片的一種稱呼（僅對(duì)內(nèi)存），其他的芯片則稱為“晶片”。晶片經(jīng)過(guò)封裝之后就成為一個(gè)閃存顆粒。收起

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  • 芯片制造轉(zhuǎn)移，價(jià)格大變
    7月，處在2024年中，不僅是上下半年的過(guò)渡期，也是整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由衰轉(zhuǎn)盛的過(guò)渡期，因?yàn)樾袠I(yè)正在從2023年的低谷期向上走，根據(jù)各大市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)和預(yù)測(cè)，2024上半年依然處于恢復(fù)期，下半年的行情會(huì)比上半年好很多。在這種情況下，處于年中過(guò)渡期的6、7月份，受多種因素影響，也成了多事之秋，特別是芯片制造，訂單和制造產(chǎn)線轉(zhuǎn)移輪番上演，芯片價(jià)格也隨之變化。
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  • HBM4技術(shù)競(jìng)賽，進(jìn)入白熱化
    HBM（HighBandwidthMemory，高帶寬內(nèi)存）是一款新型的CPU/GPU內(nèi)存芯片，其實(shí)就是將很多個(gè)DDR芯片堆疊在一起后和GPU封裝在一起，實(shí)現(xiàn)大容量，高位寬的DDR組合陣列。該內(nèi)存技術(shù)突破了內(nèi)存容量與帶寬瓶頸，被視為新一代DRAM解決方案，也契合了半導(dǎo)體技術(shù)小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)。
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  • 內(nèi)存芯片的瘋狂或?qū)⒃?024年重演
    糟糕的2023年已經(jīng)過(guò)去，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)正在醞釀一場(chǎng)新的爆發(fā)。據(jù)TrendForce統(tǒng)計(jì)，2023年第四季度，全球DRAM（內(nèi)存）和NAND閃存的價(jià)格約上漲 3%~8%。相對(duì)于PC市場(chǎng)而言，服務(wù)器DRAM市場(chǎng)對(duì)增長(zhǎng)起到更大作用。2024年，隨著運(yùn)算速度的提升，DRAM和NAND閃存在各類(lèi)AI應(yīng)用，如智能手機(jī)、服務(wù)器、筆電的單機(jī)平均搭載容量都會(huì)增長(zhǎng)，其中，服務(wù)器應(yīng)用的增長(zhǎng)幅度最高。
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  • 芯片巨頭漲價(jià)20%！終端搶購(gòu)低價(jià)庫(kù)存 、材料廠被迫停工
    近日，據(jù)韓媒報(bào)道，三星除了繼續(xù)減產(chǎn)以外，還將DRAM和NAND的合同價(jià)調(diào)漲了10%-20%。存儲(chǔ)芯片在經(jīng)歷許久的低迷行情后，似乎終于有回暖的跡象。而隨著三星減產(chǎn)漲價(jià)的消息，終端廠商開(kāi)始搶貨，但上游材料廠卻因三星減產(chǎn)而被迫暫停運(yùn)營(yíng)部分工廠，整體呈現(xiàn)有人歡喜有人愁的境況。
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    2023/09/19
    芯片巨頭漲價(jià)20%！終端搶購(gòu)低價(jià)庫(kù)存 、材料廠被迫停工
  • AI風(fēng)口下的這類(lèi)芯片：缺貨、漲價(jià)、擴(kuò)產(chǎn)！
    在AI大模型爆火的當(dāng)下，GPU被瘋搶，連帶HBM內(nèi)存芯片也在一片寒冬的存儲(chǔ)市場(chǎng)脫穎而出，成為三大原廠積極擴(kuò)產(chǎn)的目標(biāo)，并持續(xù)在該領(lǐng)域發(fā)力。
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