線寬越來越小,ALD未來或成唯一選擇?
在半導(dǎo)體制程進(jìn)入28nm后,由于器件結(jié)構(gòu)不斷縮小且更為3D立體化,生產(chǎn)過程中需要實(shí)現(xiàn)厚度更薄的膜層,以及在更為立體的器件表面均勻鍍膜。在此背景下,ALD技術(shù)憑借優(yōu)異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確的膜厚控制等特點(diǎn),技術(shù)優(yōu)勢(shì)愈加明顯,在半導(dǎo)體薄膜沉積環(huán)節(jié)的市場(chǎng)占有率也將持續(xù)提高。