半導(dǎo)體工藝

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  • 半導(dǎo)體二手設(shè)備的認(rèn)知誤區(qū)
    這個(gè)話題其實(shí)一直想寫一寫，最近怠于動(dòng)筆，今天得空兒碼幾行文字。 半導(dǎo)體二手設(shè)備其實(shí)是半導(dǎo)體領(lǐng)域一個(gè)非常獨(dú)特的存在，別的行業(yè)雖然也存在二手設(shè)備市場，但能夠撐起成熟制程設(shè)備半壁江山的，還真是比較少。雖然二手設(shè)備在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)中扮演了如此重要的角色，但普遍存在一些認(rèn)知誤區(qū)，也導(dǎo)致很多人對這個(gè)行業(yè)有誤解。 正是因?yàn)橛姓`解，導(dǎo)致相關(guān)公司特別不愿意提自己是二手設(shè)備廠商， “二手” 倆字都羞于啟齒，反倒用一
    半導(dǎo)體二手設(shè)備的認(rèn)知誤區(qū)
  • 什么是SPT技術(shù)，SPT技術(shù)位于工藝流程什么位置？
    在半導(dǎo)體工藝中，SPT 通常是指應(yīng)力鄰近技術(shù)（Stress Proximity Technology）。它是一種通過在柵極周圍形成特定結(jié)構(gòu)或沉積特定材料，將應(yīng)力引入到半導(dǎo)體溝道中的工藝技術(shù)。具體介紹如下：
    什么是SPT技術(shù)，SPT技術(shù)位于工藝流程什么位置？
  • 在半導(dǎo)體SiGe工藝中，為什么需要分兩步生長？
    在半導(dǎo)體 SiGe 工藝中，分兩步生長低摻雜 Ge 層和高摻雜 Ge 層主要基于以下多方面的工藝優(yōu)化需求：晶格常數(shù)差異：Ge的晶格常數(shù)（5.66 ?）比Si（5.43 ?）大約4%，直接在 Si 襯底上生長高摻雜 Ge 層會(huì)因晶格失配產(chǎn)生高應(yīng)力，導(dǎo)致位錯(cuò)等缺陷。第一步低摻雜 Ge 層作為緩沖層，通過較低的摻雜濃度和漸變的 Ge 含量（如從 Si 到 SiGe 的過渡），逐步釋放晶格應(yīng)力，為后續(xù)高摻雜層提供穩(wěn)定的生長基礎(chǔ)。
    在半導(dǎo)體SiGe工藝中，為什么需要分兩步生長？
  • 在半導(dǎo)體工藝中，Metal ECP 為什么要洗邊？一般洗多少寬度？
    在半導(dǎo)體制造工藝?yán)?，金屬層的電化學(xué)鍍（ECP）是構(gòu)建芯片內(nèi)部復(fù)雜電路互連的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。而在 ECP 工藝完成后，一項(xiàng)不可或缺的后續(xù)操作便是洗邊。這一操作看似簡單，實(shí)則對芯片制造的整體質(zhì)量、性能以及生產(chǎn)效率有著多方面的深刻影響。
    在半導(dǎo)體工藝中，Metal ECP 為什么要洗邊？一般洗多少寬度？
  • 如何看待中國的半導(dǎo)體工藝制程被卡在7nm，如何才能突破？
    突破7nm制程瓶頸，既需要短期內(nèi)的技術(shù)攻堅(jiān)，也需要長期的戰(zhàn)略布局。當(dāng)前，中國的7nm制程技術(shù)尚未達(dá)到全球頂尖水平，尤其是在極紫外（EUV）光刻機(jī)等關(guān)鍵前道制造設(shè)備上，仍然依賴外部供應(yīng)。要突破這一瓶頸，必須依賴自主研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新。
    如何看待中國的半導(dǎo)體工藝制程被卡在7nm，如何才能突破？